化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞） 受賞者
| 受賞年 | 受賞者 | ||
|---|---|---|---|
| 第10回 （2019年） |
藤田静雄氏 （京都大学 工学研究科 教授） GaAs系，ZnSe系，および酸化物半導体の結晶成長における新技術開拓への貢献 | ||
| 第9回 （2018年） |
平山秀樹氏 （理化学研究所 研究開拓本部 主任研究員） Al系窒化物結晶ヘテロ成長技術とそれを用いた深紫外線LEDの開発 | ||
| 第8回 （2017年） |
松岡隆志氏 （東北大学金属材料研究所・教授） InGaN 系混晶半導体のエピタキシャル成長技術に関する先駆的研究 | ||
| 第7回 （2016年） |
福井孝志氏 （北海道大学名誉教授） 化合物半導体ナノ構造形成法の先駆的研究とそのナノエレクトロニクスへの展開 | ||
| 第6回 （2015年） |
天野浩氏 （名古屋大学大学院工学研究科・教授） 青色及び紫外光デバイスの開発 | ||
| 第5回 （2014年） |
大野英男氏 （東北大学電気通信研究所所長・教授） 強磁性化合物半導体の創成とスピントロニクスの先導的研究 | ||
| 第4回 （2013年） |
纐纈明伯 （東京農工大学 副学長・教授） 化合物半導体エピタキシャル成長の熱力学解析および高品質バルク結晶成長法の創製 | ||
| 第3回 （2012年） |
佐々木 昭夫 （京都大学名誉教授・大阪電気通信大学名誉教授） Ⅲ-Ⅴ族半導体における規則性、不規則性の究明とその応用に関する研究 | ||
| 第2回 （2011年） |
荒川 泰彦 （東京大学教授） 化合物半導体量子構造光デバイスに関する先駆的研究 | ||
| 第1回 （2010年） |
名西 憓之 （立命館大学） RF MBE法による高品質InN薄膜の実現と物性解明、バルクGaAsの高品質化、及び化合物半導体光・電子デバイスの高性能化への貢献 | ||