半導体分野将来基金表彰（名取研二賞）公募公告

半導体分野将来基金委員会委員長
　鳥海 明

筑波大学名誉教授であられた名取研二先生が2021年にご逝去され，翌年，先生の御遺産を原資として，奥様である名取晃子先生（電気通信大学名誉教授）から応用物理学会にご寄付がなされました．これをもとに2023年度に，応用物理学会内に「半導体分野将来基金」が創設され，その活動の一つとして本表彰制度が設立されました．本表彰では，「シリコン及びその発展系」の分野において顕著な研究業績をあげ，その発展に大きく寄与した方を顕彰するために，応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞），応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞），および，応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞（名取研二高専活性化奨励賞）を設けました．

シリコン系半導体はマイクロエレクトロニクス，パワーエレクトロニクスの両面において変わることなく現在もその重要性は言うまでもありません．名取研二先生はその両分野において産業界および大学において大きな功績を残された方であり，その功績は基礎的な観点だけでなく産業技術的な観点からも顕著な貢献を残されました．また若い方の教育にも大変力を注いでこられた方でもありました．その点を鑑み，本表彰においても論文等における出版物では表されないがその重要性は間違いないというような業績についても高く評価したいと考えており，上記の分野に関連する方からの優れた候補者の推薦・応募を強く期待しております．また若手奨励賞に関しては，その学術的価値・産業技術的価値のみならず，その成果に至る過程や取り組みにおける考え方なども評価いたします．また高専活性化奨励賞に関しては，各校における成果だけでなく学校としての活性化の試みを評価したいと考えております． 当該分野において顕著な業績をあげた方（あるいはグループ）を表彰し，その功績をたたえるために2025年応用物理学会春季学術講演会の期間中に，賞状，賞金あるいは記念メダルを贈呈します．

2024年度の候補者を下記のように募集いたしますので，奮って推薦・応募をお願いいたします．表彰のカテゴリーによって自薦・他薦の区別があるのでご注意ください．応募に際しては，下記にご留意いただくとともに，半導体分野将来基金表彰規程もご覧ください．

第2回半導体分野将来基金表彰（名取研二賞） 公募概要

第2回（2024年度）半導体分野将来基金表彰の公募は終了いたしました．

表彰対象分野

(1) 「シリコン及びその発展系」に関わる微細半導体デバイス関連技術の研究開発
(2) 「シリコン及びその発展系」に関わるパワー半導体デバイス関連技術の研究開発

表彰対象者

(1) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）

上記業績に関わる個人，あるいはグループを対象とします．年齢は問いませんが，グループの場合には3人以下のグループでの応募とします．自薦・他薦は問いません．原則として表彰の時点において，個人の場合は応用物理学会会員あるいは分科会会員であること，グループの場合はその中に，応用物理学会会員あるいは分科会会員を含むものとしますが，応募時の会員資格は問いません．（2分野各1件）

(2) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）

上記業績に関わり，主として日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員である個人を対象とします．本表彰は他薦とします．学生，社会人は問いません．なお，同一の年齢制限カテゴリーでの受賞歴の無い方を対象とします．
　a：表彰年度の4月1日時点で32才以下の個人（2分野いずれかで1件）
　b：表彰年度の4月1日時点で26才以下の個人（2分野いずれかで1件） *
* 対象年齢を引き上げました．
若手奨励賞の対象年齢は，産前・産後休暇，育児休業等でやむを得ず研究を離れていた期間がある場合は，その理由と期間を推薦書に記載することにより，その休業期間除いた年齢といたします．なお，休業期間は1年単位で換算し，1年に満たない場合は，年単位で切り上げとします．
なお，若手奨励賞に関しては，数名を選抜し，表彰委員会によるヒアリング審査を経て受賞者を決定する予定です．

(3) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞（名取研二高専活性化奨励賞）

上記2分野において研究教育活動を行っており，表彰の時点において日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員である高等専門学校の教員を対象とします．本表彰は自薦とします．（2分野いずれかで1件）

応募提出書類

注）候補者は，同一年度においていずれか1件の賞にのみ応募できます．若手奨励賞と高専活性化奨励賞については，併願を認めます．応募される賞の名称・表彰対象分野を必ず明記してください．

(1) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）

• 1. 候補者のご氏名，および現在のご所属，職名，連絡先．すでに退職している方におかれましては，表彰の対象となる仕事をなされた時のご所属および職名
  グループの場合は，グループ名（例：△△研究グループ）および，グループ全員のご氏名，ご所属，職名，連絡先
• 2. 候補者の略歴（グループの場合はグループ全員の略歴）
• 3. 推薦・応募理由・業績タイトルを記した推薦書（他薦の場合には推薦者の方のご氏名，ご所属，連絡先を含めてA4用紙に2～3枚程度の長さ）
• 4. 表彰対象に関連した論文あるいは特許のリストと代表的論文あるいは登録特許のコピー（3編以内）．なお，論文には，公開されている社内技術報に類するものも含みます．
• 5. 推薦者とは別に推薦賛同者3名以内のそれぞれ独立の推薦賛同書（推薦賛同者ごとに，推薦賛同者の方のご氏名，ご所属，連絡先を含めてA4用紙に1～2枚程度の長さ）

(2) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞aおよびb）

• 1. 候補者のご氏名，および現在の所属，連絡先．
• 2. 候補者の略歴
• 3. 推薦理由・業績タイトルを記した推薦書（A4用紙に1～2枚程度の長さ）
• 4. 表彰対象に関連した代表的論文あるいは学会発表リストと代表的論文あるいは学会発表のアブストラクトなどのコピー（3編以内）
• 5. 推薦者のご氏名，所属，連絡先
  なお，候補者が学生で，推薦者が指導教員以外の場合には，本人をよく知っている教員の方にお願いしてください．また社会人の方の推薦者は，上司でも学生時代の指導教員でもかまいません．

(3) 応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞（名取研二高専活性化奨励賞）

• 1. 候補者のご氏名およびご所属，連絡先
• 2. 過去3年間における各高専におけるシリコン系半導体エレクトロニクスに関する特徴的活動の説明（A4用紙に1～2枚程度の長さ）
• 3. 過去3年間における応用物理学会（支部，分科会等も含む）での発表リスト（候補者本人に限らず，候補者の高等専門学校に所属する学生・教員等が発表したもの）
• 4. 応募に関する賛同者がおられる場合には，その推薦書および賛同者のご氏名，ご所属，連絡先

提出期限

2024年9月30日(月) までに下記の送付先に電子メールでご提出ください．
　締切延長しました

書類送付先

公益社団法人 応用物理学会 半導体分野将来基金係
メールアドレス: OBGhandotai-kikin