半導体分野将来基金表彰規程
1. 本規程は，故名取研二氏の遺産を原資とした名取晃子氏から応用物理学会への寄附金をもとに設立された半導体分野将来基金をもとに，下記研究分野において，顕著な研究業績をあげ当該分野の発展に寄与した者に対して行う表彰に関して定めたものである．
2. 本表彰は，下記の研究分野において，新しい技術の開発，発明，新原理の発見，重要な現象の解明，または卓越した実証システムの構築等において顕著な業績をあげ，当該分野の学問や産業の発展に貢献した者に対して授与し，その功績をたたえることを目的とする．
(1)「シリコン及びその発展系」を基本にした微細半導体デバイス関連技術の研究開発
(2)「シリコン及びその発展系」を基本にしたパワー半導体デバイス関連技術の研究開発3. 本表彰の名称は，「応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）」（以下，「業績賞」という），「応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）」（以下，「若手奨励賞」という），および，「応用物理学会シリコン系半導体エレクトロニクス高専活性化奨励賞（名取研二高専活性化奨励賞）」（以下，「高専活性化奨励賞」という）とし，第2条に挙げる2分野において業績をあげた者に対し，業績賞，若手奨励賞，および，高専活性化奨励賞をそれぞれ授与する．
4. 表彰対象者は原則として，下記の通りとする．なお応募は，同一年度においていずれか1件の賞のみとするが，各賞の対象条件を満たせば若手奨励賞と高専活性化奨励賞の併願は認める．
- (1) 業績賞：第2条に挙げる2分野において業績をあげた個人あるいはグループ．グループの場合は，3人以下のグループを対象とする．なお，表彰の時点において，個人の場合は応用物理学会会員あるいは分科会会員であるもの，グループの場合はその中に，応用物理学会会員あるいは分科会会員を含むものとする．応募は自薦・他薦を問わない．
- (2) 若手奨励賞a：第2条に挙げる2分野において業績をあげ，主として日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員個人．表彰年度の4月1日時点で32才以下であり，本カテゴリー（若手奨励賞a）での受賞歴のない者．応募は他薦とする．
- (3) 若手奨励賞b：第2条に挙げる2分野において業績をあげ，主として日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員個人．表彰年度の4月1日時点で26才以下であり，本カテゴリー（若手奨励賞b）での受賞歴のない者．応募は他薦とする．
- (4) 高専活性化奨励賞：第2条に挙げる2分野において研究教育活動を行っており，表彰の時点において日本国内で研究活動を行う応用物理学会会員あるいは分科会会員である高等専門学校の教員．応募は自薦とする．
なお，若手奨励賞の対象年齢は，産前・産後休暇，育児休業等でやむを得ず研究を離れていた期間がある場合は，その理由と期間を推薦書に記載することにより，その休業期間を除いた年齢とする．休業期間は１年単位で換算し，１年に満たない場合は，年単位で切り上げる．
5. 表彰件数は下記の通りとし，応用物理学会春季学術講演会で表彰する．
(1) 業績賞：第2条に挙げる2分野において各1件（計2件）
(2) 若手奨励賞a：第2条に挙げる2分野いずれかで1件（計1件）
(3) 若手奨励賞b：第2条に挙げる2分野いずれかで1件（計1件）
(4) 高専活性化奨励賞：第2条に挙げる2分野いずれかで1件（計1件）なお，各賞とも当該年度に表彰該当者がいなかった場合には見送りとする．
6. 受賞者には賞状を授与し，業績賞については賞金40万円，若手奨励賞については記念メダル，高専活性化奨励賞については，表彰時点から１年の間に開催される応用物理学会（支部・分科会等も含む）主催の講演会・研究会等で受賞者が所属する高専の学生が発表する場合の旅費を最大30万円まで補助する．
7. 委員会が認めた場合，受賞者が表彰式に出席する場合の旅費を補助することができる．
8. 表彰は，応用物理学会会長名および応用物理学会半導体将来分野基金表彰委員会委員長名で行う．
9. 受賞者の選考にあたって，表彰委員会を設置する．表彰委員会の規程は，別途定める．
10. 本規程は，総務担当理事の承認を得て改正することができる．
附則
- 本規程は，2023年7月5日より実施する．
- 2023年11月27日 改正 総務担当理事承認
