第7回（1999年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| M. Nasser（佐賀大理工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 3a-H-2 | Sheath Potential Formation near an Anode in Electronegative Plasma（佐賀大理工：H.Fujita） |
| 北嶋 武（防衛大） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 3a-H-4 | CF4/Ar2周波CCP2次元構造へのバイアス周波数の効果（慶應大：藤田利和，真野 翼，真壁利明） |
| 土田 勝（東工大像情報） | 光 | 2a-ZH-1 | マルチスペクトル情報を利用した異なる照明環境下における画像再現（東工大像情報：小尾高史，山口雅浩，大山永昭） |
| 鈴木 信靖（松下技研) | 量子エレクトロニクス | 3a-P5-17 | 希ガス雰囲気パルスレーザアブレーション法で作製したSi超微粒子の粒径制御（松下技研，機械技研*：牧野俊晴，山田由佳，吉田岳人，瀬戸章文*，綾 信博*） |
| 顧 萍（通信総研関西） | 量子エレクトロニクス | 4a-G-8 | InSb薄膜におけるLO-フォノン−プラズモン結合モードによるテラヘルツ電磁波放射（通信総研関西：河野俊介，谷 正彦，阪井清美） |
| 加藤 正夫（NTT AS研） | 光エレクトロニクス | 2p-ZF-9 | 曲げにより誘起された光ファイバの負の三次分散（NTT AS研：吉澤信幸，杉江利彦） |
| 斎藤 英彰（新情報光インコネNEC研） | 光エレクトロニクス | 3a-ZE-19 | 高均一・高密度量子ドットによる低しきい値レーザ発振実現（新情報光インコネNEC研：西 研一，菅生繁男） |
| 福井 賢一（東大院理） | 薄膜・表面 | 2a-ZK-9 | 高分解能STM観察によるMo炭化物単結晶表面上の炭素組織構造の物性と反応性（東大院理，無機材研*：Rong-Li Lo，大谷茂樹*，岩澤康裕） |
| 竹内 大輔（電総研・CREST科技団） | 薄膜・表面 | 3p-B-4 | ダイヤモンドのBand-A発光の起源に関する考察（電総研1)，筑波大連携2)，東大3)，東北大金材研4)，CREST科技団5)：渡辺幸志1)2)5)，山中貞則1)5)，沢田英敬3)，市野瀬英喜1)3)5)，関口隆史1)4)5)，大串秀世1)5)，梶村皓二1)2)） |
| 金 太源（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 3p-C-8 | PLD法によるカルシウム・オキシボレート系光学結晶の薄膜成長（東工大応セラ研1)，阪大工2)，科技団戦略研3)：荒井信之1)，松本祐司1)，森 勇介2)，佐々木孝友 2)，鯉沼秀臣1)3)） |
| 今田 将吾（東工大フロンティア研） | 薄膜・表面 | 4a-A-2 | MBE法による強誘電体YMnO・3・ 薄膜の作製（V）（東工大フロンティア研1)，精研2)：徳光永輔2)，石原 宏1)2)） |
| 中村 泰信（NEC基礎研） | 応用物性 | 3a-ZX-2 | 単一クーパー対箱における量子コヒーレンス制御（NEC基礎研，CREST-JST*：Yuri A. Pashkin*，蔡 兆申） |
| 福田 隆史（物質研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 1a-ZC-16 | 表面レリーフグレーティング光形成プロセスの流体力学的モデルに基づく解析（物質研：松田宏雄，須丸公雄，山中忠衛） |
| 梶井 博武（阪大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 2p-ZG-4 | ナノ周期構造を有する多孔性カーボンの電気的光学的特性（阪大院工：武 弘義，川岸義明，S. Lee，吉野勝美） |
| 関 修平（阪大産研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 3a-N-9 | 骨格構造を制御したポリシラン中での電荷輸送特性（阪大産研1)，東大工2)，NTT基礎研3)：吉田陽一1)，田川精一1)，浅井圭介2)，石槫顕吉2)，古川一暁3)，藤木道也3)） |
| 佐野 彰洋（日立日立研） | 半導体A（シリコン） | 1a-ZM-9 | 銅めっき配線におけるホール・溝埋め込み形状解析（日立日立研，日立デバ開セ*：小林金也，赤星晴夫，板橋武之，端場登志雄，深田晋一*，宮崎博史*） |
| 川上 信之（神戸製鋼電子技研） | 半導体A（シリコン） | 1p-ZN-13 | 超臨界乾燥による低誘電率エアロゲル薄膜の作製（神戸製鋼電子技研，化学環境研*：福本吉人，長瀬佳之*，木下 隆，鈴木康平，井上憲一） |
| 内田 建（東芝LSI基盤技術） | 半導体A（シリコン） | 2a-E-7 | シリコン表面のセルフ・アンジュレーションを利用したサブミクロン単一電子素子（東芝LSI基盤技術：古賀淳二，大場竜二，高木信一，鳥海 明） |
| 吉田 俊幸（北大量界セ・電子情報） | 半導体A（シリコン） | 2p-ZQ-3 | 超高真空対応非接触容量−電圧法による水素終端Si表面の評価（北大量界セ・電子情報，大日本スクリーン製造*： 塩沢竜生，長谷川英機，坂井高正*） |
| 大野 裕三（東北大通研） | 半導体B（シリコン以外） | 2a-P4-13 | GaAs/AlGaAs(110)量子井戸中のスピン緩和（東北大通研：寺内亮太，安達太郎，松倉文礼，大野英男） |
| 足立 真寛（鳥取大工） | 結晶工学 | 1a-N-28 | II-VI族系青色半導体レーザーの寿命・劣化機構−ミクロ欠陥増殖による劣化−（鳥取大工，ソニー中研*：小泉恵一，山口 勉，Zaw Min Aung，南晃一郎，河本清時，渡辺将司，阿部友紀，笠田洋一，安東孝止，中野一志*，石橋 晃*，伊藤 哲*） |
| 立川 功二（神戸大工） | 結晶工学 | 1p-T-8 | 反射率差分光法によるInAs自己形成量子ドット成長表面の観察（神戸大工：丹後英樹，喜多 隆，山下兼一，西野種夫） |
| 小山 紀久（慶大理工） | 結晶工学 | 2a-T-5 | InAs/GaAsヘテロ界面ミスフィット転位中の新奇5配位構造と成長モードとの関係（慶大理工1)，早大理工2)，NTT物性基礎研3)，NTTフォトニクス研4)，金材技研5)：太田英二1)，武田京三郎2)，白石賢二3)，山口浩司3)，伊藤智徳4)，大野隆央5)） |
| 矢野 裕司（京大工） | 結晶工学 | 3p-R-13 | (1120)面上に作製したSiC MOSFETにおけるチャネル移動度の異方性（京大工，関西電力*：平尾太一，木本恒暢，松波弘之，浅野勝則*，菅原良孝*） |
| 倉本大（NEC光超高研） | 結晶工学 | 4p-W-5 | 低転位FIELO*n-GaN基板上InGaN MQW LDの内部損失および利得測定（NEC光超高研，NEC基礎研*：木村明隆，久永幸博，山口敦史*，水田正志） |
| 石橋 頼子（北陸先端大） | 非晶質 | 2a-ZC-2 | Cat-CVD法により高速堆積した低欠陥密度a-Si:H膜の光安定性（北陸先端大：増田 淳，松村英樹） |
| 植竹 宏往（東大工） | 応用物理一般 | 2p-ZA-1 | 磁場による対流制御（東大工1)，科技団2)，TDK3)：廣田憲之1),2)，中川 準3)，池添泰弘1),2)，北沢宏一1),2)） |
