第6回(1999年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
前田 真一(九大システム情報) 放射線・プラズマエレクトロニクス 30a-D-1 シランRF放電中ナノ微粒子の成長観察:接地電極加熱効果(九大システム情報:坂元一貴,福澤 剛,白谷正治,渡辺征夫)
八幡 貴志(北大工) 放射線・プラズマエレクトロニクス 30p-G-4 電磁界下電子群進展の方向依存性(北大工:菅原広剛,酒井洋輔)
松尾 保孝(北大電子研) 29p-ZE-4 単一ナノ金属微粒子の微分干渉ダイナミクス吸収分光法の開発(北大電子研:笹木敬司)
飯田 恭弘(東大生研) 30a-S-1 フォトリフラクティブGaP結晶による適応型スペックル相関フィルター(東大生研,Univ of Joensuu*:芦原 聡,志村 努,黒田和男,Alexei A.Kamshilin*
今田 昌宏(京大工) 量子エレクトロニクス 29p-E-8 ウェハ融着法による2次元フォトニクス結晶内蔵型面発光レーザ(京大工,住友電工オプトエレ研*:野田 進,チュティナン・アロンカーン,村田道夫*,佐々木吾朗*
玉木 裕介(慶大理工) 量子エレクトロニクス 30p-E-4 レーザガイディングによる高次高調波発生効率の増大(理研,慶大理工*:名倉千裕*,板谷治郎,永田 豊,小原 實*,緑川克美)
篠塚 昌彦(慶大理工) 量子エレクトロニクス 30a-F-7 2つのマイクロチップレーザ間におけるカオス同期実験(慶大理工:内田淳史,小川武史,神成文彦)
石月 秀貴(阪大工) 光エレクトロニクス 28p-A-8 LiNbO3導波路QPM-SFGデバイスを用いた光サンプリングの実験(阪大工:藤村昌寿,栖原敏明,西原 浩)
戸田 知朗(東大工) 光エレクトロニクス 28p-B-9 マストランスポート法で作製されたInAsP/InP分布帰還型歪み量子細線レーザの室温発振(東大工:中野義昭)
畠 賢治(筑波大物質工・CREST) 薄膜・表面 28p-H-8 STM探針のホバーリングによるSi(001)バックルダイマーフリップフロップ運動の直接観察(筑波大物質工1),CREST2),東大工3):森 憲久1),木村知彦1),道祖尾恭之1),重川秀実1),2),3)
松浦 かおり(東北大通研) 薄膜・表面 28p-K-7 高分解能走査型非線形誘電率顕微鏡によるBaTiO3単結晶ドメインの観測(東北大通研:長 康雄,数田 聡,山之内和彦)
村上 真(東工大応セラ研) 薄膜・表面 29a-M-10 コンビナトリアルレーザーMBE法によるTiO2 およびTiN薄膜の作製とその高酸素加熱処理効果(東工大応セラ研1),東工大総理工2),CREST-JST3):松本祐司1),金 政武2),川崎雅司2),鯉沼秀臣1),3)
下村 勝(東北大科研) 薄膜・表面 29a-Z-7 内殻準位分解光電子回折によるβ-SiC(001)-c(2×2) 表面の構造解析(東北大科研,東大理*,LBNL**,電総研***:H. W. Yeom*,B. S. Mun**,C. S. Fadley**,原 史朗***,吉田貞史***,河野省三)
梅沢 仁(早大理工) 薄膜・表面 30a-P7-26 微細化によるダイヤモンドMESFETの特性改善(早大理工,CREST,電総研*:絹村謙悟,田辺憲司,山中貞則*,竹内大輔*,大串秀世*,川原田洋)
赤松 浩(姫路工大工) ビーム応用 31a-YD-5 鋼への大強度パルスイオンビーム照射効果(姫路工大,イオン工学研*:池田 孜*,東 欣吾,藤原閲夫,八束充保)
永富 隆清(阪大工) ビーム応用 31a-YE-5 酸素吸着α-Siに対するREELS-XPSスペクトル解析[I]−実効エネルギー損失関数−(阪大工:高井義造,志水隆一)
竹内 嗣人(豊田中研) 応用物性 28p-ZS-3 Bi層状構造セラミックスの配向制御による特性向上(豊田中研:谷 俊彦,斉藤康善)
上村 理(日立基礎研) 超伝導 28a-ZH-6 Bi系高温超伝導体の磁束量子の動的観察(日立基礎研,東大工*:葛西裕人,松田 強,原田 研,外村 彰,下山淳一*,岸尾光二*,北澤宏一*
服部 渉(NEC基礎研) 超伝導 30p-ZH-14 10GHz動作32bit高温超伝導遅延線メモリの開発(NEC基礎研:吉武務,田原修一)
藤井 彰彦(阪大工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-ZQ-1 ポリジシラニレンオリゴチエニレンの光学的性質(阪大工,倉敷芸科大*:中山広昭,S. リー,W. シュナイダー*,仲 章伸*,石川満夫*,吉野勝美)
古江 広和(山口東理大液晶研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 29p-V-10 表面安定化強誘電性液晶の無欠陥化(山口東理大液晶研:高橋泰樹,小林駿介)
味戸 克裕(NTT基礎研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 30p-X-3 レーザートラップされた単一ピコリットル液滴の近赤外ラマン分光(NTT基礎研:森田雅夫)
外園 明(東芝マイクロエレ研) 半導体A(シリコン) 28p-YF-11 シリコン選択エピ成長を用いたCoSi2/Si界面抵抗の制御(東芝マイクロエレ研:宮野清孝,大内和也,吉村尚郎,水島一郎,綱島祥隆,豊島義明)
高橋 信義(東大生研) 半導体A(シリコン)合同セッションC「Siナノデバイス」 29a-ZM-8 シリコン単一電子トランジスタにおけるクーロンブロケード振動のピーク位置の調整(東大生研1),東大VDEC2): 石黒仁揮1),平本俊郎1),2)
武山 真弓(北見工大) 半導体A(シリコン) 29p-ZQ-8 Cu/Siコンタクトにおける置換型TiZrN合金膜の拡散バリヤ効果(北見工大:野矢 厚)
佐藤 豪一(北陸先端大・富士通) 半導体A(シリコン) 30p-ZS-8 触媒CVD法におけるガス分解反応を応用したゲート絶縁膜の低温改質(北陸先端大:和泉 亮,松村英樹)
梅田 享英(JRCAT-融合研・筑波大) 半導体A(シリコン) 30p-ZT-6 Si(001)表面の室温酸化過程のその場ESR観察(JRCAT-融合研1),筑波大2),図情大3):山崎 聡1),安田哲二1),磯谷順一1),3),田中一宜1),2)
鈴木 健二(東大先端研) 半導体B(シリコン以外)合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 29p-ZL-16 Type-I InAsとType-II GaSb結合量子ドットの光学特性(東大先端研:荒川泰彦)
大谷 啓太(東北大通研) 半導体B(シリコン以外) 30a-Y-4 InAs/GaSb/AlSbタイプIIカスケード構造のサブバンド間エレクトロルミネッセンス(東北大通研:大野裕三,松倉文礼,大野英男)
高橋 浩(北大量界セ・電子情報) 半導体B(シリコン以外) 30p-P8-8 非接触C-V法を用いた化合物半導体表面の評価(北大量界セ・電子情報:長谷川英機)
苅谷 道彦(名城大理工) 結晶工学 28p-N-9 InをドープしたGaNの結晶成長および評価(名城大理工:新田州吾,山口栄雄,竹内哲也,C. Wetzel,天野 浩,赤﨑 勇)
棚橋 克人(阪府大先端科研) 結晶工学 28a-ZB-6 応力によるCZ-Si結晶成長中の点欠陥の挙動(2)−不純物効果−(阪府大先端科研:菊池通真,井上直久)
J. AROKIARAJ(名工大) 結晶工学 29p-P-6 Bonding of GaAs to Si-A New Approach(名工大:T. SOGA,T. JIMBO,M. UMENO)
石田 夕起(電総研) 結晶工学 29a-R-10 ステップを考慮したAPD消失機構の検討(電総研:高橋徹夫,奥村 元,吉田貞史,関川敏弘)
松原 秀樹(住友電工基盤研) 結晶工学 30p-Q-9 ZnSeホモエピを用いた蛍光剤フリー白色LEDの開発(住友電工基盤研:中西文毅,片山浩二,武部敏彦)
間野 高明(金材技研・東大工) 結晶工学合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 30a-ZL-11 高密度Ga液滴エピタキシー法によるInGaAs量子ドットの作製(金材技研,東大工2),東理大3):渡邊克之1),3),今中康貴1),高増 正1),藤岡 洋2) ,木戸義勇1),尾嶋正治2),小口信行1)
鳴島 暁(東工大応セラ研) 非晶質 28a-YD-2 透明導電性アモルファス2CdO-GeO2 の電子構造(東工大応セラ研,東理大*:柳博,細野秀雄,川副博司,渡辺裕一*
近藤 淳(静岡大工) 応用物理一般 29a-YG-2 3チャネル弾性表面波センサを用いた混合溶液の評価(静岡大工:塩川祥子)