第42回(2017年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略
受賞者 (講演時の所属) |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 (受賞者以外の共著者,所属) |
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柴 弘太(物材機構MANA) | 応用物理学一般 | 14p-317-5 | 流体熱力学質量分析(吉川 元起(物材機構MANA)) |
Chanon Pornrungroj(IMRAM, Tohoku Univ.) | 応用物理学一般 | 15a-P3-1 | Hybridized Polydiacetylene Nanocrystals as Potential Photocatalyst(Ozawa Mamiko,Onodera Tunenobu,Oikawa Hidetoshi (IMRAM, Tohoku Univ.)) |
平田 悠歩(名大工) | 放射線 | 16a-E204-10 | 光刺激蛍光体と光ファイバーを用いた小型線量計の高LET領域における消光現象に関する検討(山崎 淳1,渡辺 賢一1,吉橋 幸子1,瓜谷 章1,古場 裕介2,松藤 成弘2,歳藤 利行3,柳田 健之4 (1.名大工,2.量研機構,3.名古屋陽子線治療センター,4.奈良先端大)) |
倉見谷 航洋(横浜国立大学) | 光・フォトニクス | 14p-416-9 | ダイヤモンドNV中心の拓く量子認証システムの可能性(須田 雄太,後藤 優征,関口 雄平,佐藤 恒司,中村 孝秋,石田 直輝,長田 昂大,小坂 英男 (横浜国立大学)) |
森脇 淳仁(慶大理工) | 光・フォトニクス | 15a-211-8 | テラヘルツ偏光計測による黒色ゴム材料の内部歪みイメージング(岡野 真人,渡邉 紳一 (慶大理工)) |
石井 智(物材機構) | 光・フォトニクス | 15a-F202-5 | 光照射による窒化チタン薄膜からのホットエレクトロン励起(シンデ サティシュ1,長尾 忠昭1,2 (1.物材機構,2.北大院)) |
高田 健太(NTT物性基礎研/NTTナノフォトニクスセンタ) | 光・フォトニクス | 15p-E205-5 | 結合ナノレーザーアレイのPT対称性の破れを用いた制御可能な光トポロジカル相(納富 雅也1,2 (1.NTT物性基礎研,2.NTTナノフォトニクスセンタ)) |
橋口 幸治(産総研) | 光・フォトニクス | 15p-P10-4 | 波長計制御型CRDSを用いたガス中微量水分の高感度吸収スペクトル測定(Lisak Daniel2,阿部 恒1 (1.産総研,2.ニコラス・コペルニクス大学)) |
鈴木 涼介(東大工) | 光・フォトニクス | 16p-316-7 | 周期空間反転GaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造p-i-nダイオードのEL特性(松下 智紀1,2,近藤 高志1,2 (1.東大工,2.東大先端研)) |
山中 真仁(名大院工) | 光・フォトニクス | 17p-413-1 | Er添加ナノ粒子の高次非線形応答を用いた蛍光イメージング(佐藤 大暉1,古川 太一2,新岡 宏彦2,三宅 淳2,西澤 典彦1 (1.名大院工,2.阪大院基礎工)) |
小野田 穣(東大新領域) | 薄膜・表面 | 14a-414-1 | 原子間力顕微鏡による単原子の元素識別(Ondracek Martin3,Jelinek Pavel3,杉本 宜昭1,2 (1.東大新領域,2.阪大院工,3.ASCR)) |
大井 信敬(早大理工) | 薄膜・表面 | 14p-412-3 | 縦型2DHGダイヤモンドFETの特性向上(工藤 拓也1,牟田 翼1,大久保 智1,露崎 活人1,星野 晴華1,蔭浦 泰資1,稲葉 優文1,小野田 忍2,平岩 篤1,川原田 洋1,3 (1.早大理工,2.量研機構,3.早大材研)) |
相馬 拓人(東工大物質理工学院) | 薄膜・表面 | 14p-419-10 | βパイロクロア型CsW2O6エピタキシャル薄膜の作製と物性(吉松 公平1,大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院,2.元素戦略)) |
木全 哲也(東大院工/防衛装備庁陸装研) | ビーム応用 | 15p-P11-4 | Arイオン照射グラッシーカーボンを担体としたPtナノ微粒子のXAFS解析(垣谷 健太1,2,山本 春也2,田口 富嗣2,松村 大樹3,下山 巖3,岩瀬 彰宏4,小林 知洋5,八巻 徹也2,寺井 隆幸1 (1.東大院工,2.量研機構高崎研,3.原子力機構,4.阪府大院工,5.理研)) |
兒玉 直人(金沢大院自然) | プラズマエレクトロニクス | 15a-301-5 | Ar誘導熱プラズマへのTi原料投入時におけるトーチ内のTi励起温度分布およびTi蒸気混入率の二次元分布の推定(石坂 洋輔1,清水 光太郎1,田中 康規1,上杉 喜彦1,石島 達夫1,末安 志織2,渡邉 周2,中村 圭太郎2 (1.金沢大院自然,2.日清製粉グループ本社)) |
Daniel Balazs(Univ. Groningen, NL/RIKEN CEMS) | 応用物性 | 15a-421-12 | Counterion-Mediated Ligand Exchange for PbS Colloidal Quantum Dot Superlattices(Dirin Dmitri2,Kooi Bart1,Kovalenko Maksym2,Loi Maria Antonietta1 (1.Univ. Groningen, NL,2.ETH Zurich, CH)) |
石川 智也(横国大院工) | スピントロニクス・マグネティクス | 14p-P10-60 | Mn0.8-xCoxZn0.2Fe2O4ナノ微粒子の磁気特性と磁気ハイパーサーミアおよびMR造影効果(細貝 良行2,臼井 章仁2,町田 好男2,斎藤 春夫2,高野 真由美2,徳永 正之2,権田 幸祐2,一柳 優子1 (1.横国大院工,2.東北大院医)) |
William Andrew Borders(Tohoku University) | スピントロニクス・マグネティクス | 15p-501-13 | An Analogue Spin-Orbit Torque Device for an Artificial Neural Network(Akima Hisanao,Fukami Shunsuke,Moriya Satoshi,Kurihara Shouta,Kurenkov Aleksandr,Horio Yoshihiko,Sato Shigeo,Ohno Hideo (Tohoku University)) |
宮嶋 茂之(情通機構) | 超伝導 | 15p-316-5 | 単一光子イメージングシステムに向けた64 chイベント駆動型SFQエンコーダの動作実証(藪野 正裕,山下 太郎,三木 茂人,寺井 弘高 (情通機構)) |
古郷 敦史(桐蔭横浜大院工) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 14p-303-2 | 低温製膜TiOx/ブルッカイトTiO2電子収集層による高効率ペロブスカイト太陽電池(實平 義隆,沼田 陽平,池上 和志,宮坂 力 (桐蔭横浜大院工)) |
成島 魁至(東工大院物質理工) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 14p-311-9 | 結晶系アップコンバージョン材料の三重項励起子拡散の可視化(平田 修造,バッハ マーティン (東工大院物質理工)) |
池上 慶太郎(千葉大院融合) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 14p-311-11 | オペランド光電子収量分光法による有機トランジスタ構造における負のキャリア状態の直接観測(金城 拓海1,佐藤 友哉1,田中 有弥1,2,石井 久夫1,2,3 (1.千葉大院融合,2.千葉大先進,3.千葉大MCRC)) |
工藤 一希(山梨大院) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 15a-416-7 | 新規自己ドープ型導電性高分子の合成と電気特性(箭野 裕一1,2,奥崎 秀典1 (1.山梨大院,2.東ソー)) |
森本 勝大(富山大院工) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 16p-416-11 | 有機圧電薄膜を用いた多軸計測素子作製とモーションセンシング(小村 将大,小柴 康子,福島 達也,石田 謙司 (神戸大院工)) |
廣原 周(東京工業大学) | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17a-F206-6 | 材料表面上の吸着タンパク質の組成・構造分析(前川 逹洋1,丹生 隆1,関根 泰斗1,林 智広1,2 (1.東京工業大学,2.理研)) |
原田 大成(琉球大学工学部) | 半導体 | 14a-304-4 | ELA 結晶化Si 膜によるフレキシブル基板上のメタルソース・ドレイン構造TFT(我喜屋 風太1,伊敷 優哉1,岡田 竜弥1,野口 隆1,野田 勘治2,諏訪 輝2,3,池上 浩3 (1.琉球大学工学部,2.ギガフォトン(株),3.九大ギガフォトン共同部門)) |
大曲 駿(北大院総化) | 半導体 | 14p-411-10 | テルビウムとガドリニウムを混合した九核希土類クラスターにおけるエネルギー移動と発光特性(中西 貴之,北川 裕一,伏見 公志,長谷川 靖哉 (北大院工)) |
新井 悠人(慶大理工) | 半導体 | 15p-E205-20 | デュアルコム分光による量子ドットの過渡応答評価(浅原 彰文2,3,美濃島 薫2,3,赤羽 浩一4,早瀬 潤子1 (1.慶大理工,2.電通大,3.JST, ERATO美濃島知的光シンセサイザ,4.NICT)) |
金 佑彊(東大院工) | 半導体 | 16p-412-14 | 酸化濃縮プロセスにおける冷却方法がGOI中の圧縮ひずみに及ぼす効果(竹中 充,高木 信一 (東大院工)) |
新井 健司(東工大フロンティア研) | 半導体 | 16p-B5-15 | 透明バイポーラ酸化物半導体: ZrOS(飯村 壮史1,金 正煥2,細野 秀雄1,2 (1.東工大フロンティア研,2.東工大元素セ)) |
山路 晃広(東北大金研) | 結晶工学 | 14p-B5-3 | 近赤外領域発光シンチレータ結晶の作製と発光特性評価(黒澤 俊介2,大橋 雄二1,吉川 彰1 (1.東北大金研,2.山形大理)) |
谷川 智之(東北大金研) | 結晶工学 | 15p-503-14 | 二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価(大西 一生1,加納 聖也2,向井 孝志2,松岡 隆志1 (1.東北大金研,2.日亜化学)) |
中須 大蔵(早大先進理工) | 結晶工学 | 17a-513-11 | サファイア基板上ZnTe薄膜成長における基板面方位による効果(小高 圭佑1,小林 正和1,2,朝日 聡明3 (1.早大先進理工,2.早大材研,3.JX金属)) |
白取 優大(東工大工) | 非晶質・微結晶 | 17p-211-4 | 対向ターゲットスパッタ法によるi-a-Si:Hパッシベーション膜作製におけるRF電力の影響(ファリス アキラ,中田 和吉,宮島 晋介 (東工大工)) |
内田 勇気(九大院総理工) | ナノカーボン | 15a-F203-4 | 大面積で均一な多層h-BNのCVD成長とTMDCとのヘテロ構造への展開(仲村渠 翔1,河原 憲治2,山崎 重人1,光原 昌寿1,吾郷 浩樹1,2,3 (1.九大院総理工,2.九大GIC,3.JSTさきがけ)) |
三浦 千穂(東北大) | ナノカーボン | 15p-B6-3 | ナノ電気化学セル顕微鏡によるグラフェン/グラファイト構造における電気化学活性の局所電気化学測定と可視化(熊谷 明哉1,岡田 健2,寒川 誠二2,5,珠玖 仁1,高橋 康史3,4,末永 智一1,5 (1.東北大,2.東北大流体研,3.金沢大,4.JSTさきがけ,5.東北大AIMR)) |
神野 莉衣奈(京大院工) | 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 14a-502-9 | α-(AlxGa1-x)2O3バッファ層によるGa2O3の構造制御(内田 貴之,金子 健太郎,藤田 静雄 (京大院工)) |
Roman Anufriev(IIS, Univ. of Tokyo) | 合同セッションM「フォノンエンジニアリング」 | 15p-F206-2 | Heat guiding and focusing using phononic nanostructures(Ramiere Aymeric1,2,Maire Jeremie1,Nomura Masahiro1,3 (1.IIS, Univ. of Tokyo,2.LIMMS, Univ. of Tokyo,3.JST PRESTO)) |