第4回（1998年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 栗原 優（慶大理工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 28pA11 | RCTモデルによるXe,RFマイクロセルプラズマの2次元モデリング（慶大理工：中野誠彦，真壁利明） |
| 高橋 和生（京都工繊大工芸） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 29aB7 | レーザーマニピュレーションによる微粒子間引力の解析（京都工繊大工芸：大石智子，下舞賢一，林康明，西野茂弘） |
| Maria Madjarova（東工大像情報） | 光 | 30pC18 | Multi-state Toggle Celluar Automata based block cipher（東工大像情報：M.Kakuta，T.Obi，M.Yamaguchi，N.Ohyama） |
| 有本 英伸（北大工） | 光 | 30aK9 | コヒーレンス測定による2点光源の位置とスペクトルの復調II（北大工：田中哲，大塚喜弘） |
| 山本 健（東大生研） | 光 | 30aPA9 | 音響位相共役波の超音波映像系への応用（東大生研，オリンパス光学*：小久保旭，大野正弘*，酒井啓司，高木堅志郎） |
| 山本 修平（三菱情報技研） | 量子エレクトロニクス | 28aX6 | TEM00モード高平均出力LD励起Nd:YAGロッドレーザ（三菱総合技研：小矢田康晴，平野嘉仁，笠原久美雄） |
| 中村 孝一郎（東北大通研） | 量子エレクトロニクス | 30pV8 | 周波数シフト帰還型レーザーによる高い線形性の周波数チャープ光の発生（東北大通研：宮原利治，吉田真人，伊藤弘昌） |
| 大坪 孝二（新情報処理開発機構） | 光エレクトロニクス | 30pZH7 | InGaAs3元基板上長波長帯歪量子井戸レーザの高温(210℃)動作（新情報処理開発機構，富士通研*：小路元，楠木敏弘*，内田徹，鈴木貴志*，西嶋由人*，中嶋一雄*，石川浩） |
| 松浦 祐司（東北大工） | 光エレクトロニクス | 30aZL10 | エキシマレーザー用アルミニウム中空ファイバ−MOCVD法による製作と基本特性−（東北大工：宮城光信） |
| 長岡 克己（早大理工） | 薄膜・表面 | 28aYH6 | 超伝導Nb針からの電界放出電子分光（早大理工：山下哲胤，山田万寿雄，藤井英俊，内山士郎，大島忠平） |
| 福田 秀夫（青学大理工） | 薄膜・表面 | 29pZG18 | イリジウム下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長V（青学大理工，トゥプラス*：柳田貴志，鈴木一博*，澤邊厚仁） |
| 吉武 剛（九大工） | 薄膜・表面 | 29aPA15 | PLD法により作成したカーボン薄膜の膜構造と光学特性（九大工：青木肇，水津光司，高橋厚史，永山邦仁） |
| 杉崎 克己（ニコン筑波研） | 薄膜・表面 | 30pZD8 | フォースカーブ自動解析を使った弾性特性のマッピング（ニコン筑波研：中桐伸行） |
| 田中 弘隆（NTT光エレ研） | ビーム応用 | 28aSZD3 | リフトオフ加工用C60/70複合2層レジスト（NTT光エレ研：石井哲好，玉村敏昭） |
| 銘苅 春隆（総研大） | ビーム応用 | 28pZD1 | 光反応用多層膜ミラー分光器とビームラインBL-4A1の評価（分子研，NTT-AT*：宮前孝行，竹中久貴*，木下豊彦，宇理須恒雄） |
| 岩佐 繁之（NEC機能エレ研） | ビーム応用 | 29aYL8 | ArF露光用ネガ型レジストの開発 (2) −極性脂環樹脂/ユリア系架橋剤レジスト−（NEC機能エレ研：中野嘉一郎，前田勝美，長谷川悦雄） |
| 中山 高博（東大工） | 応用物性 | 31pYC6 | 正20面体ボロン系固体への金属ドーピングと熱電特性（東大工：清水淳一郎，木村薫） |
| 小田川 明弘（松下中研） | 超伝導 | 29aY6 | Bi系薄膜を用いた単一の固有トンネル接合の高周波特性（松下中研：足立秀明，瀬恒謙太郎） |
| 鵜澤 佳徳（通信総研関西先端研） | 超伝導 | 30pZ7 | Al/SiO/NbNストリップ線路を用いたTHz帯準光学SISミキサー（通信総研関西先端研：王 鎮，川上彰） |
| 馬場 暁（新潟大自然科学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29pF15 | 全反射減衰法によるポリイミドLB膜上液晶分子の評価 （III）（新潟大自然科学，新潟大工*，茨城高専**：金子双男*，新保一成*，若松孝**，加藤景三，小林敏志*） |
| 後藤 真宏（原研先端） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30aE6 | ドライプロセスによる有機分子の高分子固体中へのレーザー注入（原研先端，阪大工*，一ノ瀬暢之，河西俊一，福村裕史*） |
| 島田 敏宏（東大理） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30aE8 | プラズマ微細加工したアルカリハライド上の有機色素選択エピタキシャル成長（東大理：小間篤） |
| 小池 正浩（東芝先端半デバ研） | 半導体A（シリコン） | 28aM9 | 高誘電体ゲート絶縁膜からなるMIS構造を流れるトンネル電流の理論的検討（東芝先端半デバ研：安田直樹） |
| 高梨 一仁（信越半導体白河研） | 半導体A（シリコン） | 28pPC7 | シリコンウェーハエッジ部の金属汚染評価技術（信越半導体白河研：水野亨彦，波多野徹，北川原豊） |
| 薛 光洙（早大理工） | 半導体A（シリコン） | 29aK10 | SIMOX埋め込み酸化膜中の酸素空孔欠陥濃度（早大理工：二見毅，大木義路） |
| 土屋 英昭（神戸大工） | 半導体A（シリコン） | 29aL2 | ポテンシャル量子補正を考慮した量子ドリフト・拡散モデル（神戸大工：三好旦六） |
| 高宮 真（東大生研） | 半導体A（シリコン） | 30pYB5 | バック界面の制御方法が異なるシングルゲートSOI MOSFETの特性比較（東大生研*，中大理工**，東大VDEC***：安田有里*,**，平本俊郎*,***） |
| 秋葉 教充（東北大通研） | 半導体B（シリコン以外） | 29pR6 | 強磁性半導体(Ga,Mn)Asを用いた共鳴トンネル構造の輸送特性（東北大通研：沈 愛東，大谷啓太，松倉文礼，大野裕三，大野英男） |
| 小南 裕子（静大電子科研） | 半導体B（シリコン以外） | 29aS8 | 低速電子線励起における蛍光体の表面電位（静大電子科研*，静大電子研**，静大工***：堀河敬司**，青木徹*，中村高遠***，中西洋一郎*,**，畑中義式*,**） |
| 松倉 祐輔（富士通研） | 半導体B（シリコン以外） | 30pQ4 | パルス励起ICPによるGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング（富士通研：和田淳，田中均） |
| 山下 善文（岡山大工） | 結晶工学 | 28aZK4 | 水素プラズマ照射によるSi中の転位運動促進効果（岡山大工，東大工*：条邊文彦，上浦洋一，前田康二*） |
| 藤原 伸介（住友電工基盤研） | 結晶工学 | 29aYN3 | 回転CVT法による実効的微小重力環境下でのZnSe単結晶成長（住友電工基盤研，CAE研*：渡邊容子*，並川靖生，結石友宏*，小谷敏弘） |
| 瀧 哲也（農工大工） | 結晶工学 | 30pZK3 | グラヴィメトリック法によるGaAs(111)B面上でのAs脱離のその場観察（農工大工：成田光司，高橋直行，纐纈明伯，関 壽） |
| 工藤 真（日立中研） | 結晶工学 | 30pZM15 | GaAs基板上In(As)Sb/AlInSb系ヘテロ構造のMBE成長（日立中研：三島友義） |
| 加藤 豪作（ソニー中研） | 結晶工学 | 30pZN15 | 活性層成長条件の最適化による青緑色半導体レーザの長寿命化（ソニー中研：野口裕泰，長井政春，奥山浩之，喜島悟，石橋晃） |
| 藤原 裕之（ペンシルバニア州立大薄膜セ） | 非晶質 | 29aYM4 | Application of real time spectroscopic ellipsometry for depth profiling of compositionally graded amorphous silicon alloy thin films（Pennsylvania State Univ.，IBM Microelectronics*：Joohyun Koh，J.S.Burnham*，C.R.Wronski，R.W.Collins ） |
| 木村 英樹（東海大工） | 応用物理一般 | 28aYB10 | 1997年東海大学ソーラーカーの改良（東海大工：松前義昭，星野博司，平岡克己，押野谷康雄，髙本慶二，内田裕久） |
| 李 定植（科技団舛本プロ） | 合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 | 30pPB9 | エリプソメトリ法によるInGaAs/GaAs量子ドット成長のその場観察（科技団舛本プロ：任 紅文，菅生繁男，舛本泰章） |
