第38回（2015年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 細田 駿介（芝浦工大） | 応用物理学一般 | 11p-D13-8 | 光トラップによる気液界面の付着力の評価（芝浦工大1, JSTさきがけ2：高澤 曹1，山西 陽子1,2） |
| 石原 達也（阪大院基） | 応用物理学一般 | 14a-D12-3 | 熱モードスペクトロスコピーを用いた微小試料に対する新しい熱伝導率計測法の開発（阪大院基1, ブラウン大2：荻 博次1，石田 秀士1，平尾 雅彦1，マリス ハンフリー2） |
| 藤原 健（東大工） | 放射線 | 13p-A19-13 | Scintillating Glass GEMの開発とその応用（東大工1, 放医研2：三津谷 有貴1，古場 祐介2，高橋 浩之1，上坂 充1） |
| 岡崎 功太（NTTナノフォトニクスセンタ／NTT先端集積デバイス研） | 光・フォトニクス | 11p-A16-2 | SiD4を用いたECRプラズマCVD法による低損失SiN導波路作製（NTTナノフォトニクスセンタ1, NTT先端集積デバイス研2：西 英隆1,2，土澤 泰1,2，山本 剛2，山田 浩治1,2） |
| 安田 英紀（富士フイルム先端研） | 光・フォトニクス | 12a-A12-6 | 銀ナノ石畳構造を利用した新規反射防止構造（富士フイルム先端研1, 富士フイルム生産技術センター2：松野 亮2，谷 武晴1，納谷 昌之1） |
| 田尻 武義（東大生研） | 光・フォトニクス | 12p-A10-16 | プレート差込型積層方式を用いた三次元フォトニック結晶 〜提案と作製〜（東大生研1, ナノ量子機構2：高橋 駿2，太田 泰友2，舘林 潤2，岩本 敏1,2，荒川 泰彦1,2） |
| 相沢 美帆（東工大資源研） | 光・フォトニクス | 12p-A13-7 | 動的光重合により作製した回折格子の光学物性（東工大資源研1, JSTさきがけ2：久野 恭平1，赤松 範久1，宍戸 厚1,2） |
| 田中 圭祐（阪大院工） | 光・フォトニクス | 13a-A13-6 | 接合イオンスライスLiNbO3結晶におけるプロトン交換増速エッチングによるリッジ光導波路の作製（阪大院工：栖原 敏明） |
| Valynn Magusara（FIR-Univ. of Fukui） | 光・フォトニクス | 13a-A15-2 | Low Temperature-Grown GaAs Carrier Lifetime Measurements Using "Double Pump" Terahertz Time-Domain Spectroscopy Setup（FIR-Univ. of Fukui1, NIP Univ. of Phils.2, Univ. of Tsukuba3：Stefan Funkner1，Gudrun Niehues1，Elizabeth Ann Prieto2，Armando Somintac2，Elmer Estacio2，Arnel Salvador2，Kohji Yamamoto1，Muneaki Hase3，Masahiko Tani1） |
| 渡邉 光（東北大院工） | 薄膜・表面 | 11a-D9-7 | In situ真空電気化学測定による イオン液体 / TiO2(110) 界面の特性評価（東北大院工：丸山 伸伍，松本 祐司） |
| Alexandre FIORI（NIMS） | 薄膜・表面 | 11a-P4-8 | Role of the oxygen interlayer on electrical properties of WC/p-diamond Schottky diodes（NIMS1, University of Cadiz2：Tokuyuki TERAJI1，Jose PINERO2，Daniel ARAUJO2，Yasuo KOIDE1） |
| 村田 智城（東大院工） | 薄膜・表面 | 11p-D10-9 | 有機金属ガス源分子線エピタキシー法によるEu1-xLaxTiO3薄膜の高移動度化と異常ホール効果（東大院工1, 理研CEMS2, 東北大金研3：高橋 圭2，松原 雄也2,3，打田 正輝1，小塚 裕介1，川﨑 雅司1,2） |
| 田口 昇（産総研） | ビーム応用 | 12p-A11-4 | 反射電子エネルギー損失分光法を用いたリチウム化合物の評価（産総研：橘田 晃宜，栄部 比夏里，秋田 知樹） |
| 岩井 亮憲（京都大院工） | プラズマエレクトロニクス | 13p-A28-8 | メタマテリアル効果を用いたマイクロ波プラズマでの高調波生成の効率化(Ⅱ)（京都大院工1, 滋賀県立大工2：中村 嘉浩1，酒井 道1,2） |
| 石坂 文哉（北大院情報科学および量子集積センター） | 応用物性 | 12a-A20-2 | InP/AlGaPコアシェルナノワイヤの結晶構造評価（北大院情報科学および量子集積センター1, JST さきがけ2：平谷 佳大1，冨岡 克広1,2，福井 孝志1） |
| 森本 貴明（早大先進理工/学振DC2） | 応用物性 | 12a-B5-3 | YSZ中の酸素空孔による発光の励起・緩和機構（早大先進理工1, 早大材研2：金子 昇司1，大木 義路1,2） |
| tetsuya onotou（YNU） | スピントロニクス・マグネティクス | 11p-P1-56 | Crystallization of taurine by LLIP method in high magnetic fields |
| Tomoaki Ishii（The Univ. of Tokyo） | スピントロニクス・マグネティクス | 14a-D2-8 | Band structure of GaMnAs near the Fermi level studied by time-resolved light-induced reflectivity measurements（The Univ. of Tokyo1, Radboud Univ. Nijmegen2：Tadashi Kawazoe1，Yusuke Hashimoto2，Hiroshi Terada1，Iriya Muneta1，Motoichi Ohtsu1，Masaaki Tanaka1，Shinobu Ohya1） |
| 廣瀬 勇野（豊橋技科大） | 超伝導 | 14a-A3-10 | LN2 冷却磁束トランスを用いた超低磁場HTS-SQUID-NMR 装置の検討（豊橋技科大1, 超電導工学研究所2：山本 将彰1，八田 純一1，有吉 誠一郎1，田中 三郎1，安達 成司2，田辺 圭一2） |
| 雨宮 裕希（山梨大院） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 13a-D4-3 | 1000 S/cmを超えるPEDOT/PSSの合成と電気特性（山梨大院：堀井 辰衛，奥崎 秀典） |
| 伊澤 誠一郎（東大院工/理研CEMS） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 13a-D15-1 | ドナー／アクセプター界面第一層のエネルギー準位が有機薄膜太陽電池性能に与える影響（東大院工1, 理研CEMS2, さきがけ3：中野 恭兵2，鈴木 かおり2，橋本 和仁1，但馬 敬介2,3） |
| 加藤 幸一郎（みずほ情報総研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 13p-D5-7 | アパタイト結晶に対するフラグメント分子軌道法の試み #2（日大松戸歯1, 立教大理2, 東大生産研3：福澤 薫1,3，望月 祐志2,3） |
| 金城 拓海（千葉大院融合） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 13p-D14-4 | 超高感度負イオン光電子分光による極性有機薄膜の空準位の直接観察（千葉大院融合1, 千葉大工学部2, 千葉大先進3：Lim Hyunsoo1，大澤 祐介1，佐藤 友哉1，中光 栄仁1，Thanh Luan Nguyen1，浦上 裕希1，山﨑 純暉2，中山 泰生1，石井 久夫1,3） |
| 田中 秀（阪大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 14a-D14-1 | 透過電子顕微鏡を用いたブルー相液晶の格子構造観察（阪大院工1, 阪大電顕センター2：吉田 浩之1，桒原 隆亮2，西 竜治2，尾﨑 雅則1） |
| Minsoo Kim（The Univ. of Tokyo/JST-CREST） | 半導体 | 11a-A23-9 | Effects of strain, interface states and back bias on electrical characteristics of Ge-source UTB strained-SOI tunnel FETs（The Univ. of Tokyo1, JST-CREST2：Yuki K. Wakabayashi1，Ryosho Nakane1，Masafumi Yokoyama1,2，Mitsuru Takenaka1,2，Shinichi Takagi1,2） |
| 片山 裕美子（京大院人環） | 半導体 | 12a-A25-10 | LaAlO3:Cr3+ペロブスカイト蛍光体の深赤色長残光特性（京大院人環：小林 大晃，田部 勢津久） |
| 大久保 昂（兵庫県立大工） | 半導体 | 13a-P14-12 | Pb(Zr,Ti)O3薄膜と感光性樹脂の積層構造体作製とその評価 |
| 菅野 雅博（東北大多元研） | 半導体 | 13p-A25-1 | Na-Al-Sn系新規化合物の合成と結晶構造および電気的特性（東北大多元研：山田 高広，山根 久典） |
| Cimang Lu（The Univ. of Tokyo/JST-CREST） | 半導体 | 14a-A24-12 | Design of High-k and Interfacial Layer on Germanium for 0.5nm EOT（The Univ. of Tokyo1, JST-CREST2：Choong Hyun Lee1,2，Tomonori Nishimura1,2，Kosuke Nagashio1,2，Akira Toriumi1,2） |
| HOLMES Mark（東大ナノ量子機構） | 結晶工学 | 13a-B1-14 | フーリエ分光法による位置制御GaNナノワイヤ量子ドットにおけるスペクトル拡散の評価（東大ナノ量子機構1, 東大生研2：加古 敏2，崔 琦鉉1，有田 宗貴1，荒川 泰彦1,2） |
| 金子 光顕（京大院工） | 結晶工学 | 14a-B1-4 | PAMBE法によるSiC基板上AlN成長層の貫通転位低減における成長初期V/III比の重要性（京大院工：木本 恒暢，須田 淳） |
| 丹羽 弘樹（京大院工） | 結晶工学 | 14a-B4-12 | 超高耐圧4H-SiCパワーデバイスを目指した衝突イオン化係数の決定（京大院工：須田 淳，木本 恒暢） |
| 鈴木 理恵（東北大院工） | 非晶質・微結晶 | 12p-A28-3 | Mn4+ドープSrGe4O9相の赤色発光におけるSi置換効果（東北大院工：寺門 信明，高橋 儀宏，藤原 巧） |
| 石橋 祐輔（阪大産研） | ナノカーボン | 12p-D7-21 | プラステックフレキシブル基板上でのグラフェン直接合成（阪大産研1, 徳島大2, 東京農工大3：金井 康1，大野 恭秀1,2，前橋 兼三1,3，井上 恒一1，松本 和彦1） |
| 遠藤 匠（慶大理工） | ナノカーボン | 13a-D7-8 | 単層カーボンナノチューブを用いた室温・通信波長帯域でのフォトンアンチバンチング測定（慶大理工：早瀬 潤子，牧 英之） |
| 浦川 哲（奈良先端大） | 合同セッションK | 11p-D1-8 | 塗布型a-InZnO薄膜トランジスタに向けた銀ナノペーストの印刷適性（奈良先端大：石河 泰明，長田 至弘，藤井 茉実，堀田 昌宏，浦岡 行治） |
