第3回（1997年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・アルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 上田 洋子（九大総理工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 4aB5 | ECRプラズマの一様性におけるX波の役割（九大総理工：河合良信） |
| 岩佐 章夫（電総研） | 計測・制御 | 3aYE8 | ヘリウム温度での量子電流標準のための単一電子トランジスタの測定（電総研：福島章雄，佐藤昭，坂本泰彦） |
| 日暮 栄治（NTT光エレ研） | 光 | 3aL3 | 金属微小球からの反射光を用いた臨界角法に基づく高感度変位計測（NTT光エレ研：澤田廉士，伊藤高廣） |
| 芦野 慎（神奈川科学技術アカデミ） | 光 | 4pL12 | 局在プラズモン共鳴プローブの開発（神奈川科学技術アカデミ，東工大総理工：大津元一） |
| 山本 宗継（京大工） | 量子エレクトロニクス | 2pW3 | ウェハ融着による光領域３次元フォトニック結晶実現法（V）（京大工：野田進） |
| 住吉 哲実（日電光超高研） | 量子エレクトロニクス | 2aPB8 | 2波長（3µm,2µm）CWカスケード発振ホルミウムドープファイバレーザ（日電光超高研：関田仁志） |
| 工藤 耕治（日電光超高研） | 光エレクトロニクス | 3pZC17 | ウエハ内一括形成されたディチューニング制御変調器集積化異波長光源（日電光超高研：山崎裕幸，佐々木達也，石坂政茂，山口昌幸） |
| 北岡 康夫（松下電器光ディスク開セ） | 光エレクトロニクス | 4aZE4 | SHGブルーレーザの直接変調と相変化光ディスクへの記録（松下電器光ディスク開セ：鳴海建治，西内健一，植野文章，山本和久，加藤誠） |
| 今井 欽之（NTT光エレ研） | 光エレクトロニクス | 5aZE2 | SBN単結晶の熱処理とフォトリフラクティブ特性（NTT光エレ研：八木生剛，山崎裕基，小野道雄） |
| 横山 崇（科技団高柳プロ） | 薄膜・表面 | 2pZT11 | 低温STMによるSi(001)表面の相転移の観察（II）（科技団高柳プロ：高柳邦夫） |
| 山向 幹雄（三菱先端総研） | 薄膜・表面 | 2aPC14 | 溶液気化CVD法による(Ba,Sr)TiO3成膜反応機構に関する検討(3)（三菱先端総研：川原孝昭，堀川剛，斧高一） |
| 小泉 聡（無機材研） | 薄膜・表面 | 3aYA6 | リンドープ{111}ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の電気特性（無機材研，青学大*：三田清二*，沢辺厚仁*，加茂睦和，佐藤洋一郎） |
| 小出 美幸（東工大総理工） | 薄膜・表面 | 4aYC3 | 大気圧コールドプラズマを用いたSiO2膜の作製（東工大応セラ研：鯉沼秀臣） |
| 長尾 昌善（京大工） | ビーム応用 | 2pE1 | Bドープダイヤモンド薄膜の電界電子放出特性のB濃度および表面処理依存性（京大工，神戸製鋼*：近藤利行，後藤康仁，辻博司，石川順三，宮田浩一*，小橋宏司*） |
| 山口 徹（NTT基礎研） | ビーム応用 | 2aZL11 | 高分子集合体脱離による新たな現像メカニズムの提案とその実証（NTT基礎研：生津英夫，永瀬雅夫，山崎謙治，栗原健二） |
| 加藤 隆典（住友重機械） | ビーム応用 | 4pZK10 | ポリマー及び光学結晶の放射光直接エッチング（住友重機械：張延平，鷲尾方一） |
| 白樫 淳一（電総研） | 応用物性 | 4pC7 | 室温Nb/Nb oxide系 単一電子トランジスタ（電総研，東工大*：松本和彦，三浦成久*，小長井誠*） |
| 右田 真司（電総研） | 超伝導 | 3aX5 | Bi自己停止作用と半ユニットセル内の相変化を利用したBi2Sr2CaCu2O8薄膜成長（電総研*，筑波大物質工**：藤野英利**，太田裕之*，河西勇二*，酒井滋樹* ，梶村皓二*，**） |
| 沼田 秀昭（日電基礎研） | 超伝導 | 4pZA3 | ジョセフソン集積回路のための研磨平坦化法（日電基礎研：田中未知，永沢秀一，田原修一） |
| 永田 正明（東京商船大） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 2pZR14 | 酸素置換型TTF誘導体に基づいた新しい導電性LB膜の探索（監）（東京商船大，東大総合文化*：石崎康雄，大貫等，和泉充，今久保達郎*，小林啓二*） |
| 山下 浩一（名大工・新日鐵化学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 3aZQ12 | 有機発光素子における熱CVD薄膜の保護膜への応用（名大工：森竜雄，水谷照吉） |
| 中山 英樹（静大電子科研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 4pZR9 | 電子ビーム照射による熱分解型高Tgポリマーの非線形光導波路（静大電子科研：藤村久，杉原興浩，松島良華，岡本尚道） |
| 阿部 一英（沖電気超L研） | 半導体A（Si） | 3pE1 | Cu/高融点金属積層構造におけるCu膜の結晶性制御（沖電気超L研：原田裕介，鉄田博） |
| 片山 敦子（日立中研） | 半導体A（Si） | 3aK7 | フラッシュメモリポリSi層間膜用単層CVDSiO2膜のトラップ低減（日立中研：小林孝，久米均，木村勝高） |
| 山田 直樹（富士通デバ開） | 半導体A（Si） | 3pK15 | アルゴンアニールウェーハと水素アニールウェーハの酸化膜信頼性比較（富士通デバ開：金田寛） |
| 高見 知秀（東北大科研） | 半導体A（Si） | 4pE6 | 真空蒸着を使わない単原子層Au吸着シリコン表面の作製（宇都宮大工：井野正三） |
| David G.Austing（NTT基礎研） | 半導体B（Si以外） | 2pZF9 | Manipulation of Quantum Dot’s Lateral Potential Geometry（NTT基礎研：T.Honda,S.Tarucha） |
| 高橋 琢二（東大先端研） | 半導体B（Si以外） | 2aZG2 | InAs被覆GaAsのレーザ光照射下でのトンネルスペクトロスコピー（東大先端研*，生研**，科技団***：神谷格***，榊裕之*，**，***） |
| 儲 涛（京都工繊大） | 半導体B（Si以外） | 4aA11 | GaAsチップの放熱板半田付け誘起複屈折の観測（京都工繊大：山田正良） |
| 阪田 康隆（日電ULデバ開） | 結晶工学 | 2aM9 | InGaAsP-MOVPE狭幅選択成長における変動パラメータの成長温度依存性（日電ULデバ開，日電関西*：田辺浩一*，井元康雅） |
| 土田 秀一（電力中研） | 結晶工学 | 3pP13 | 全反射赤外吸収分光法によるSiC単結晶表面の評価（電力中研：鎌田功穂，泉邦和） |
| 加藤 智久（名工大工） | 結晶工学 | 3pP16 | 6H-SiCのマイクロパイプ周辺に存在する内部応力の発生モデル（名工大工，豊田中研*：大里齊，岡本篤人*，杉山尚宏*，奥田高士） |
| 中平 篤（NTT入出力システム研） | 結晶工学 | 3pQ20 | 光励起による立方晶GaNからの誘導放出（NTT入出力システム研：田中秀尚） |
| 品川 達志（都立大工） | 結晶工学 | 3aZE4 | 原子状水素を照射したn形GaAs結晶中に生成される深い準位（都立大工：奥村次徳） |
| 後藤 民浩（岐阜大工） | 非晶質 | 3aSYD3 | ベンディング効果によるa-Si:Hの光誘起構造変化の評価（岐阜大工，電総研*：近藤道雄*，西尾基，青野裕美，野々村修一，伊藤貴司，松田彰久*，仁田昌二） |
| 井上 憲司（TDK応用製品研） | 応用物理一般 | 3pZA10 | ランガサイト基板の弾性表面波伝搬特性（TDK応用製品研：佐藤勝男） |
| 藤倉 序章（北大工） | 合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 | 2aZN7 | MBE選択成長によるInGaAsリッジ細線の作製（７）（北大工*，北大量界セ**：木原倫夫*，花田祐樹*，長谷川英機*，**） |
| 鍋谷 暢一（山梨大工） | 合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 | 5aS3 | 微傾斜基板上に成長した歪量子井戸における原子位置と歪エネルギー（山梨大工：加藤孝正，松本俊） |
