第25回(2008年秋季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

所属の表記は予稿集掲載内容より引用

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
堀田沙織(阪大院工) 計測・制御 2p-ZG-3 直流電圧印加による繊維状イオン交換膜の高感度化(阪大院工1,ニチビ2:青木秀充1,粂田和弘2,畑康人2,木村千春1,杉野隆1
中村大輔(九大シス情) 2p-ZH-13 2波長分光イメージングによる眼底血中酸素飽和度の測定(九大シス情1,九大芸工院2,九州医療センター3,九大医学研究院4:末田聡1,松岡昇1,岡田龍雄1,吉永幸靖2,江内田寛3,石橋達朗4
久保若奈(理研) 4a-ZH-4 ナノコーティング法による金属ナノ構造体の作製と光学素子への展開(理研:藤川茂紀,国武豊喜)
高橋重樹(京大院工) 量子エレクトロニクス 3a-V-1 3次元ナノ構造形成のための斜めプラズマエッチング技術の開発(京大院工:鈴木克佳,野田進)
住村和彦(阪大院工) 量子エレクトロニクス 3a-ZB-12 1.0-1.4μm帯超高速波長可変・超短パルス光源の開発(阪大院工:西澤典彦,伊東一良)
秋山毅志(核融合科学研) 量子エレクトロニクス 4p-ZE-14 光弾性変調器を用いたテラヘルツレーザー偏光計の開発(核融合研1,中部大2:川端一男1,岡島茂樹2,中山和也2
黒川宗高(東工大 量子ナノ研,大院理工) 光エレクトロニクス 2p-P3-8 OMVPE再成長法による薄膜クラッド層を有する横方向電流注入型レーザ(東工大量子ナノセンター1,東工大院理工2,東工大工3:奥村忠嗣1,2,白尾瑞基2,近藤大輔1,2,伊藤瞳3,西山伸彦2,3,荒井滋久1,2,3
久武信太郎(阪大院基礎工) 光エレクトロニクス 4p-ZN-8 変調電極を共通化した2つの擬似速度整合型超高速偏向器による光信号の時空間マッピング(阪大院基礎工:多田啓二,永妻忠夫)
井上暁(京大化研) 薄膜・表面 2p-J-8 還元剤CaH2を用いた無限層構造SrFeO2エピタキシャル薄膜の作製(京大化研1,SPring-82,京大理3:河合正徳1,島川祐一1,水牧仁一朗2,河村直己2,渡邉貴志3,辻本吉廣3,陰山洋3,吉村一良3
田上英人(豊橋技科大) 薄膜・表面 2p-P4-16 T字状フィルタードアーク蒸着装置を用いて作製したDLC膜のTEM観察(豊橋技科大1,伊藤光学工業2,オンワード技研3,神奈川県産技センター4,日立ツール5,石川県工試6:神谷雅男1,2,桶真一郎1,須田善行1,滝川浩史1,瀧真3,長谷川祐史3,熊谷正夫4,加納眞4,石川剛史5,安井治之6
中谷真人(物材機構) 薄膜・表面 3a-L-9 STM探針によるC60分子薄膜への超高密度情報蓄積(物材機構1,阪大院2,筑波大院3:桑原裕司2,青野正和1,中山知信1,3
平山基(電通大電子) 薄膜・表面 3p-R-8 GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態(電通大電子1,東大物性研2:中村淳1,2,名取晃子1
服部真史(京大院工) ビーム応用 2a-D-9 シリコン酸化膜に注入したゲルマニウムナノ粒子からの低電圧EL発光に関する研究(京大院工1,シャープ2:辻博司1,洗暢俊1,2,小嶋研史1,足立浩一郎2,小滝浩2,後藤康仁1,石川順三1
服部繁樹(東芝研究開発センター) ビーム応用 2p-CB-5 EUV露光用のトルクセン誘導分子レジストの解像性評価(東芝研究開発センター:斎藤聡,浅川鋼児)
伊藤剛仁(阪大院工) プラズマエレクトロニクス 4a-A-2 コヒーレントラマン散乱による高圧力水素放電雰囲気での電界測定(阪大院工1,ボーフム大2:小林和伸1,Uwe Czarnetzki2,浜口智志1
塚田真也(筑波大院数物, 学振) 応用物性 2a-B-5 鉛系リラクサー強誘電体の構造相転移と光散乱(筑波大院数物1,学振2:小島誠治1
内田健一(慶大理工) スピントロニクス・マグネティクス 5a-R-4 強磁性/常磁性金属接合における熱スピントロニクス現象(慶大理工1,東北大金研2,理研3:針井一哉1,太田岳1,高橋三郎2,家田淳一2,小椎八重航3,前川禎通2,齊藤英治1
山梨裕希(横浜国大) 超伝導 4p-F-14 超伝導回路を用いた物理乱数発生回路の研究(横浜国大:杉浦達郎,吉川信行)
渡辺向陽(室蘭工大) 有機分子・バイオエレクトロニクス 2p-H-10 ポリマー化脂質二分子膜内に成膜した生体模倣膜の局所励起表面プラズモン顕微鏡観察(室蘭工大1,産総研2:寺門吾郎1,岡崎敬2,森垣憲一2,加野裕1
多田靖彦(日立材料研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 3p-ZT-11 高分子ブロック共重合体の自己組織化による電子線直接描画パターンの高密度化(日立材料研1,京大院工2:吉田博史1,赤坂哲2,油屋就介2,竹中幹人2,長谷川博一2
石井佑弥(北陸先端大) 有機分子・バイオエレクトロニクス 3p-ZT-13 本数制御した一軸配向サブミクロンファイバーの作製および評価(北陸先端大:Mariano Campoy-Quiles,酒井平祐,村田英幸)
衛慶碩(東大院工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 4a-W-7 自己組織化による有機薄膜太陽電池のバッファ層形成(東大院工1,JST-ERATO2:但馬敬介1,橋本和仁1,2
平石謙太朗(東北大多元研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 4p-W-4 ナノサイズに制御されたCuTCNQ結晶の作製とその評価(東北大多元研1,JSTさきがけ2:増原陽人1,笠井均1,2,中西八郎1,及川英俊1
橋元達也(阪大院工) 半導体A(シリコン) 3p-CH-3 液相選択横方向エピタキシャル成長によるLocal GOI構造の作製(大阪大学工学研究科:吉本千秋,細井卓治,志村考功,渡部平司)
服部淳一(名大院工,JST-SORST) 半導体A(シリコン) 3p-P11-4 自立シリコン量子細線における電子−変調音響フォノン相互作用に関する理論研究(名大院工1,阪大院工2,SORST JST3:宇野重康1,3,森伸也2,沼田達宏1,3,中里和郎1,3
山端元音(東工大量子ナノ研) 半導体A(シリコン) 5a-E-2 シリコン3重結合量子ドットにおける電子輸送特性評価(東工大量子ナノエレ研セ1,サザンプトン大2,東工大院理工3,SORST-JST4:土屋良重2,水田博2,3,4,内田建34,小田俊理1,4
中村哲士(龍谷大理工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 2a-S-4 第一原理計算による太陽電池半導体Cu2ZnSnSe4の電子構造の評価(龍谷大理工:前田毅,和田隆博)
村田順二(阪大院工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 2a-ZQ-5 光照射援用化学研磨法による自立GaN基板(0001)の平坦化とその評価(阪大院工:定国峻,八木圭太,佐野泰久,原英之,有馬健太,岡本武志,三村秀和,山内和人)
横田有為(東北大多元研) 結晶工学 3p-CF-3 Ce添加LiYF4単結晶の結晶作製とシンチレーション特性(東北大多元研1,トクヤマ2,東北大サイクロトロンRIセンター3:柳田健之1,河口範明1,2,金敬鎭1,奈良郁子1,阿部直人1,吉川彰1,三宅正泰3,馬場護3
荻野拓(東大院工) 結晶工学 3p-CF-4 元素置換によるシンチレータ用ガーネット単結晶の高特性化(東大院工1,東北大多元研2,チェコ科学アカデミー3:横田有為2,吉川彰2,マーチン ニクル3,下山淳一1,岸尾光二1
小林篤(東大院工) 結晶工学 3p-CG-10 パルススパッタ堆積法によるZnO基板上への無極性面GaN薄膜の成長(東大院工1,東大生研2,JST-CREST3,三菱化学科学技術研究センター4:太田実雄2,藤岡洋2,尾嶋正治1,3,天内英貴4,長尾哲4,堀江秀善4
岩渕直樹(東北大院工) 非晶質・微結晶 4p-ZD-6 光ファイバ型EOデバイス創製に向けた多重構造ファイバの結晶化挙動(東北大院工1,旭硝子中研2,長岡技大3:正井博和1,高橋儀宏1,藤原巧1,大原盛輝1,2,近藤祐己2,杉本直樹2,本間剛3,小松高行3
石原篤(東大院工) 応用物理一般 5a-B-6 高温超伝導体の磁気異方性決定因子としての希土類元素と結晶構造の関係(東大院工1,NIMS2:堀井滋1,福島隆之1,打越哲郎2,鈴木達2,目義雄2,荻野拓1,下山淳一1,岸尾光二1
千足昇平(東京理科大理) 合同セッションD 3a-ZS-7 欠陥構造を有する単層カーボンナノチューブからのPL発光スペクトル(東理大理:永津光太郎,花島干城,本間芳和)
益子慶一郎(大阪府大院工) 合同セッションK 3p-N-14 Zn0.88Mn0.12O/ZnOへテロ構造の磁気抵抗におけるs-d交換相互作用の効果(阪府大院工:芦田淳,吉村武,藤村紀文)