第21回（2006年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 石川 寧（東北大流体研） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 30a–S-3 | SiO2 膜におけるプラズマ誘起欠陥（E’center）の熱回復効果に関する評価（東北大流体研1，筑波大数理物質2，産総研3：上殿明良2，山崎 聡3，寒川誠二1） |
| 徐 蕾（静大院電子科研） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 1a–Q-2 | マイクロ波プラズマを用いたポリエチレンシート包装内の低温滅菌（静大院工1，静大創造科技院2，浜松医大3：大野嘉仁1，荻野明久2，小出幸夫3，永津雅章2） |
| 稲葉 和宏（阪大院基礎工） | 光 | 29p–T-3 | 超流動ヘリウム中における量子ドットの作製および光マニピュレーション（阪大院基礎工1，CREST/JST2，大阪府大院工3：今和泉 啓1，片山浩一1，一宮正義1,2，芦田昌明1,2，飯田琢也2,3，石原 一2,3，伊藤 正1,2） |
| 藤村 隆史（東大生研） | 光 | 30p-ZM-5 | 広帯域光源による体積型ホログラムの非破壊再生方法（東大生研：志村 努，黒田和男） |
| 田辺 孝純（NTT物性研） | 量子エレクトロニクス | 31a-ZD-10 | 超高Q値フォトニック結晶微小光共振器の実時間光子寿命測定（NTT物性研：倉持栄一，新家昭彦，谷山秀昭，納富雅也） |
| 金井 恒人（理研） | 量子エレクトロニクス | 31p-W-11 | 電子軌道間の量子干渉を用いた軟X線領域における高次高調波強度の制御（理研：高橋栄治，鍋川康夫，緑川克美） |
| 布施 智子（理研，東工大総理工） | 量子エレクトロニクス | 31p-ZA-11 | SWNT量子ドットのTHz光照射によるトンネル電流の変調（理研1，東工大総理工2，CREST/JST3，PRESTO/JST4：河野行雄1,4，青柳克信2，石橋幸治1,3） |
| 足立 光一朗（日立中研） | 光エレクトロニクス | 30a-ZT-15 | 1.3μm低しきい値高速動作GaInNAs三重量子井戸半導体レーザ（日立中研：中原宏治，葛西淳一，北谷 健，土屋朋信，青木雅博） |
| 藤岡 伸秀（東大生研） | 光エレクトロニクス | 30p-ZX-19 | 2次元擬似位相整合素子を用いたフェムト秒第2・第3高調波発生（V）（東大生研：芦原 聡，小野英信，志村 努，黒田和男） |
| 徳田 規夫（産総研，JST/CREST） | 薄膜・表面 | 29a-W-4 | ステップフロー成長を用いたダイヤモンド(111)表面上へのステップフリー表面の形成（産総研1，CREST/JST2，筑波大3，TIMS4：梅沢 仁1，李 成奇1,2，小倉政彦1,2，山部紀久夫3,4，大串秀世1,2，山崎 聡1,2,3） |
| 秋月 秀夫（青学大理工） | 薄膜・表面 | 30p-RA-17 | TiO2-X ターゲットを用いたDCスパッタ法によるNbドープTiO2 透明導電膜の作製（青学大理工：宮村会実佳，佐藤泰史，重里有三） |
| 久米 正義（兵庫県大） | 薄膜・表面 | 31a-V-1 | SrTiO3(001)単結晶基板上へのPt及びIr薄膜のエピタキシャル成長（兵庫県大1，富士通研2：藤沢浩訓1，清水 勝1，小高康稔2，本田耕一郎2） |
| 柳下 崇（神奈川科学技術アカデミー） | ビーム応用 | 30a-RC-6 | ポーラスアルミナを用いた光ナノインプリントによるレンズ表面への反射防止構造の形成（神奈川科学技術アカデミー1，首都大都市環境2：西尾和之1,2，益田秀樹1,2） |
| 玉田 稔（東大先端研） | 応用物性 | 30p-M-5 | 欠陥制御によるチタン酸鉛単結晶の高強誘電機能化（東大先端研1，科技機構さきがけ2：野口祐二1,2，宮山 勝1） |
| 朽名 英明（東大生研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30a-N-1 | 微小液滴マニピュレーションによる流体物性計測（東大生研：酒井啓司） |
| 一井 崇（京大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30a-N-4 | ケルビンプローブ原子間力顕微鏡による金属フタロシアニン薄膜の高分解能局所電子物性評価（京大院工1，京大IIC2，CREST/JST3：小林 圭2，松重和美1，山田啓文1,3） |
| 久我 翔馬（早大理工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30p-P8-17 | 表面修飾を用いたSGFET-DNAセンサの特性（早大理工：梁 正勲，高橋宏徳，宋 光燮，川原田 洋） |
| 横山 大輔（富士フイルム先端コア技研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31p-N-17 | 有機半導体を光電変換膜に用いた有機積層型CMOSイメージセンサ（富士フイルム先端コア技研：荒木 康，三ツ井哲朗，林 誠之，高田俊二） |
| モラル ダニエル イオアン（静大電子研） | 半導体A（シリコン） | 29p-ZR-5 | PドープSiナノワイヤにおける単電子転送（静大電子研1，NTT基礎研2：小野行徳2，猪川 洋1，横井清人1，ラトノヌルヤディ1，池田浩也1，田部道晴1） |
| 斎藤 幸重（NECシステムデバ研） | 半導体A（シリコン） | 31a-P10-17 | アルミノシリケート薄膜をトラップ層に用いた不揮発性メモリの評価（NECシスデバ研：中川隆史，砂村 潤，五十嵐多恵子，森岡あゆ香，忍田真希子，藤枝信次，辰巳 徹） |
| 小川 修一（東北大多元研） | 半導体A（シリコン） | 31p-P12-36 | Si(001)表面酸化におけるSi原子放出過程 (VIII)：第2層酸化膜成長速度の温度依存（東北大多元研：高桑雄二） |
| 木村 直樹（フジクラ） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 30a-H-10 | 青色励起型高演色白色発光ダイオードランプ（フジクラ1，物材機構2：広崎尚登2，佐久間 健1，解 栄軍2，平船俊一郎1） |
| 大沼 宏彰（東北大院工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 31p-H-4 | 大規模電子状態計算による青色蛍光体BaMgAl10O17:Eu2＋ における欠陥の影響の検討（東北大院工1，科技振さきがけ2，東北大未来センター3：坪井秀行1，古山通久1，遠藤 明1，高羽洋充1，久保百司1,2，Carlos A. Del Carpio1，宮本 明1,3） |
| 大巻 雄治（日亜化学） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 31p-ZB-18 | 低オン抵抗ノーマリーオフ型AlGaN/GaN HFET（日亜化学：谷本真士，赤松志郎，向井孝志） |
| 佐藤 具就（NTTフォトニクス研） | 結晶工学 | 29a-B-10 | InP基板上InAs/InGaAs多重量子井戸構造のMOVPE成長（NTTフォトニクス研：満原 学，近藤康洋） |
| 高橋 義典（阪大院工，阪大VBL） | 結晶工学 | 29p-ZF-1 | 溶液攪拌の導入による耐レーザー損傷閾値の高いDAST結晶の開発（阪大院工1，阪大VBL2，東大院理3：隠塚信次1,2，杉山和正3，笹井謙一1,2，Srinivasan Brahadeeswaran1,2，吉村政志1,2，森 勇介1,2，佐々木孝友1,2） |
| 原 英之（阪大院工） | 結晶工学 | 30p-ZG-8 | Mo触媒を利用した触媒基準エッチング法によるSiCの平坦化（阪大院工1，熊大工2：佐野泰久1，有馬健太1，八木圭太1，村田順二1，久保田章亀2，三村秀和1，山内和人1） |
| 井上 知也（神戸大院自然科学） | 結晶工学 | 31p-ZF-10 | 高分解能断面TEMによる埋め込み量子ドット形状のマルチアングル直接観察（神戸大院自然科学1，神戸大工2，日立ハイテクノロジーズ3：喜多 隆1,2，和田 修1,2，今野 充3，矢口紀恵3，上野武夫3） |
| 櫻井 祐介（埼玉大工） | 非晶質・微結晶 | 30a-X-9 | 大気圧熱プラズマジェットによるa-Siの再結晶化（埼玉大工1，理研2：呂 民雅1，春田浩司1，小林知洋2，白井 肇1） |
| 臼井 学（名大院工） | 応用物理一般 | 31p-F-7 | 電磁振動を利用した金属結晶方位制御とその最適操作条件（名大院工：豊田 望，岩井一彦，浅井滋生） |
| 大矢 忍（東大院工） | 合同セッションE | 30a-ZK-9 | GaMnAs量子井戸へテロ構造における量子サイズ効果とトンネル磁気抵抗効果（東大院工1，科技機構 SORST2：ファム ナム ハイ1，水野洋輔1，田中雅明1,2） |
| 柳 和宏（産総研ナノテク） | 合同セッションF | 31p-D-7 | 単層カーボンナノチューブに内包された色素による光増感発光（産総研ナノテク1，首都大2：コンスタンチンヤコボブスキー1，南 信次1，宮田耕充1，真庭 豊2，片浦弘道1） |
| 藤本 英司（物材機構，CREST） | 合同セッションK | 30p-ZE-9 | レーザ基板加熱MOCVD法によるZnO薄膜の作製（物材機構1，CREST2，東大院新領域3：角谷正友1,2，リップマーミック3，大西 剛3，鯉沼秀臣1,2,3） |
