第2回(1997年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号アルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
鈴木 啓之(名大工) 放射線・プラズマエレクトロニクス 30aR6 誘導結合型放電のモードジャンプとパワー効率(名大工:大久保宏明,中村圭二,菅井秀郎)
丸尾 昭二(阪大工) 28pZP9 2光子吸収光重合によるマイクロチューブの作製(阪大工,名大工*:中村収,河田聡,生田幸士*)
飯田 健一(東大生研) 31pZQ6 2重位相共役鏡によるブロードエリア型LDの注入同期(東大生研*,東大国際産学**,千葉大工***:堀内久喜*,的場修*,志村努*,黒田和男*,**,尾松孝茂***)
川瀬 晃道(東北大通研) 量子エレクトロニクス 29pNC4 プリズム結合器を用いたOPO-THz波発生とその分光応用(東北大通研:町田正明,伊藤弘昌)
行谷 時男(東京工芸大) 量子エレクトロニクス 30aND6 0.8μm領域におけるハロゲン化沃素および沃素分子のA-X遷移によるスペクトルアトラス(東京工芸大,浜松ホトニクス*,菊水電子工業**:大嶋修,西宮信夫,鈴木正夫,大村和久*,大塚智昭**)
田野辺 博正(NTT光エレ研) 光エレクトロニクス 28pNE9 温度無依存光フィルタ設計のための化合物半導体InGaAsPの屈折率温度特性(NTT光エレ研:門田好晃,近藤康洋,吉國裕三)
藤村 昌寿(NTT光エレ研) 光エレクトロニクス 30aNE3 安息香酸蒸気を用いたLiNbO3プロトン交換光導波路の作製(阪大工:P.J. Masalkar,栖原敏明,西原浩)
渡辺 俊夫(NTT光エレ研) 光エレクトロニクス 31aNE9 シリコーン系ポリマーを用いたデジタルTOスイッチ(NTT光エレ研:大庭直樹,肥田安弘,林田尚一,栗原隆,今村三郎)
水落 祐二(早大理工) 薄膜・表面 29pZL12 β-SiC基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるMESFETの作製(早大理工,フラウンホーファー応物研*:外園明,梶谷泰之,山本明,C. Wild*,P. Koidl*,川原田洋)
大友 明(東工大応セラ研) 薄膜・表面 30pZM1 Ex-situ紫外線・オゾン処理による酸化物表面の清浄化(東工大応セラ研,科技団戦略研*:高橋和浩,川崎雅司,吉本護,鯉沼秀臣*)
日比野 浩樹(NTT基礎研) 薄膜・表面 30aZN6 Si(111) √3×√3-B表面上のSi成長層の構造と安定性(NTT基礎研:住友弘二,荻野俊郎)
後藤 和也(東北大工) 薄膜・表面 30aPB16 タッピング型静電容量顕微鏡(II)(東北大工:羽根一博)
中西 功太(立命館大理工) ビーム応用 28aZ3 放射光アブレーションによる高分子薄膜の作製(立命館大理工,住友重機*:加藤隆典*,中山康之,三木秀二郎)
宇津呂 英俊(阪大工) ビーム応用 29aSZC5 ホローコーン照明と焦点位置変調法による高分解能無収差結像(阪大工,大阪電通大*:安藤俊行,生田孝*,高井義造,志水隆)
加門 和也(三菱UL研) ビーム応用 30aV1 EB+光近接効果補正システムの開発—光近接効果補正7—(三菱UL研,半基盤技*:塙哲郎,松井安次,森泉幸一*)
鈴木 研(東北大工) 応用物性 30aNM6 YSZ/CeO2歪人工超格子による酸素イオン拡散の高速化(東北大工:遠藤明,三浦隆治,近江靖則,高羽洋充,久保百司,Adil Fahmi,宮本明)
山本 秀樹(NTT基礎研) 超伝導 28aZS10 低温薄膜成長による新酸化物超伝導体Ba-Cu-Oの合成(NTT基礎研:内藤方夫,佐藤寿志)
萬 伸一(NEC基礎研) 超伝導 30aSQ26 セルフテストによるジョセフソン論理回路のGHzクロック動作実験(NEC基礎研:橋本義仁,沼田秀昭,田中未知,田原修一)
石田 謙司(京大工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 29pNH15 エピタキシャル法による強誘電性有機分子VDFテロマーの分子配向制御(京大工:田中啓貴,堀内俊寿,松重和美)
伊東 栄次(東工大工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 30pNK16 π電子共役系LB膜界面の帯電特性(東工大工,マックスプランク*:小久保晴夫,正力重仁,岩本光正,S. Roth*)
荻野 誠司(自由電子レーザ研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 31aNH4 FELを用いた多光子イオン化飛行時間型質量分析法—歯象牙質への適用—(自由電子レーザ研,大工研*:安本正人*,粟津邦男,西村榮一,冨増多喜夫)
若山 裕(科技団) 半導体A(Si) 29pA9 電子線ナノプローブによるSi/金属界面近傍の格子歪と電子構造の測定(科技団:田中俊一郎)
中村 健(電総研) 半導体A(Si) 29aE4 純オゾンによるSi(111)/(100)表面初期酸化過程のSHG観察(電総研:黒河明,一村信吾)
山本 武司(静岡大電子工研) 半導体A(Si) 29pF16 Si(111)面上の熱窒化核の酸化耐性(静岡大電子工研:寺尾要一,田部道晴)
後藤 賢一(富士通研) 半導体A(Si) 29aH1 デカボランイオン注入による0.15µmPMOSの試作(富士通研,京大イオン工学施設*:杉井寿博,松尾二郎*,山田公*)
影山 麻樹子(沖電気超L研) 半導体A(Si) 29aPC11 Al埋め込みヴィアEMにおけるAl合金中のSiの影響(沖電気超L研:橋本圭市,鉄田博)
松倉 文礼(東北大通研) 半導体B(Si以外) 28pZA11 強磁性 (Ga, Mn) Asの磁気輸送特性:臨界温度近傍のふるまい(東北大通研:沈愛東,菅原靖宏,秋葉教充,黒岩達郎,大野裕三,大野英男)
杉山 宗弘(NTT基礎研) 半導体B(Si以外) 30aZA8 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS-As置換反応過程の放射光による観察(NTT基礎研,金材研*:前山智,渡辺義夫,塚本史郎*,小口信行*)
花田 剛(東工大工) 半導体B(Si以外) 30pZB6 CuIn3Se5の結晶構造(II)—局所構造を加味した構造解析—(東工大工:中村吉男,入戸野修)
田川 幸雄(富士通研) 半導体B(Si以外) 30pZC8 化合物半導体に於ける正孔の速度オーバーシュート異方性(富士通研:粟野祐二,横山直樹)
伏見 浩(NTTシステムエレ研) 結晶工学 28pE3 炭素ドープGaAs中の炭素関連欠陥による通電劣化機構
矢口 裕之(東大工) 結晶工学 28aM10 強結合近似法によるGaP1-XNX混晶におけるバンド端形成の検討
石井 真史(理研) 結晶工学 28pM10 ALE成長したAlPの表面観測と表面形状制御(理研:岩井荘八,植木龍夫,青柳克信)
Kurtz Elisabeth(東北大金研) 結晶工学 28pP1 Properties of ZnSe-Buffer Layers for Quantum Dots Grown on (111) A and (111) B GaAs(東北大金研:H. D. Jung, N. Kumagai, T. Hanada, Z. Zhu, T. Yao)
砂村 潤(東大先端研) 結晶工学 28aSS20 熱処理したSi/pure-Ge/Si量子井戸のPLスペクトル(東大先端研,教養学部*:宇佐美徳隆,白木靖寛,深津晋*)
李 謹炯(東工大応セラ研) 結晶工学 30aA8 超平坦サファイア基板上でのLiNbO3ナノ結晶の形成(東工大応セラ研*,科技団戦略研**:吉本護*,鯉沼秀臣*,**)
高橋 雅英(豊田工大) 非晶質 30aNA8 GeO2-SiO2ガラスにおけるGe-関連中心の熱平衡(豊田工大:河内泰司,藤原巧,生嶋明)
三治 輝夫(東海大工) 応用物理一般 28aNP4 PEFCにおける単セル性能の比較(東海大工:菅井修二,新井正和,石崎敦一,大楠賢一,津久井勤)
横山 吉隆(東工大総理工) 合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 30aT11 高密度自己形成InGaAs量子ドットの単一ドット分光(東工大総理工*,神奈川科学技術アカデミ**,NEC光エレ研***:斎木敏治**,西研一***,大津元一*,**