第2回（1997年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号アルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 鈴木 啓之（名大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 30aR6 | 誘導結合型放電のモードジャンプとパワー効率（名大工：大久保宏明，中村圭二，菅井秀郎） |
| 丸尾 昭二（阪大工） | 光 | 28pZP9 | 2光子吸収光重合によるマイクロチューブの作製（阪大工，名大工*：中村収，河田聡，生田幸士*） |
| 飯田 健一（東大生研） | 光 | 31pZQ6 | 2重位相共役鏡によるブロードエリア型LDの注入同期（東大生研*，東大国際産学**，千葉大工***：堀内久喜*，的場修*，志村努*，黒田和男*,**，尾松孝茂***） |
| 川瀬 晃道（東北大通研） | 量子エレクトロニクス | 29pNC4 | プリズム結合器を用いたOPO-THz波発生とその分光応用（東北大通研：町田正明，伊藤弘昌） |
| 行谷 時男（東京工芸大） | 量子エレクトロニクス | 30aND6 | 0.8μm領域におけるハロゲン化沃素および沃素分子のA-X遷移によるスペクトルアトラス（東京工芸大，浜松ホトニクス*，菊水電子工業**：大嶋修，西宮信夫，鈴木正夫，大村和久*，大塚智昭**） |
| 田野辺 博正（NTT光エレ研） | 光エレクトロニクス | 28pNE9 | 温度無依存光フィルタ設計のための化合物半導体InGaAsPの屈折率温度特性（NTT光エレ研：門田好晃，近藤康洋，吉國裕三） |
| 藤村 昌寿（NTT光エレ研） | 光エレクトロニクス | 30aNE3 | 安息香酸蒸気を用いたLiNbO3プロトン交換光導波路の作製（阪大工：P.J. Masalkar，栖原敏明，西原浩） |
| 渡辺 俊夫（NTT光エレ研） | 光エレクトロニクス | 31aNE9 | シリコーン系ポリマーを用いたデジタルTOスイッチ（NTT光エレ研：大庭直樹，肥田安弘，林田尚一，栗原隆，今村三郎） |
| 水落 祐二（早大理工） | 薄膜・表面 | 29pZL12 | β-SiC基板上ヘテロエピタキシャルダイヤモンド薄膜におけるMESFETの作製（早大理工，フラウンホーファー応物研*：外園明，梶谷泰之，山本明，C. Wild*，P. Koidl*，川原田洋） |
| 大友 明（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 30pZM1 | Ex-situ紫外線・オゾン処理による酸化物表面の清浄化（東工大応セラ研，科技団戦略研*：高橋和浩，川崎雅司，吉本護，鯉沼秀臣*） |
| 日比野 浩樹（NTT基礎研） | 薄膜・表面 | 30aZN6 | Si(111) √3×√3-B表面上のSi成長層の構造と安定性（NTT基礎研：住友弘二，荻野俊郎） |
| 後藤 和也（東北大工） | 薄膜・表面 | 30aPB16 | タッピング型静電容量顕微鏡（II）（東北大工：羽根一博） |
| 中西 功太（立命館大理工） | ビーム応用 | 28aZ3 | 放射光アブレーションによる高分子薄膜の作製（立命館大理工，住友重機*：加藤隆典*，中山康之，三木秀二郎） |
| 宇津呂 英俊（阪大工） | ビーム応用 | 29aSZC5 | ホローコーン照明と焦点位置変調法による高分解能無収差結像（阪大工，大阪電通大*：安藤俊行，生田孝*，高井義造，志水隆） |
| 加門 和也（三菱UL研） | ビーム応用 | 30aV1 | EB＋光近接効果補正システムの開発—光近接効果補正7—（三菱UL研，半基盤技*：塙哲郎，松井安次，森泉幸一*） |
| 鈴木 研（東北大工） | 応用物性 | 30aNM6 | YSZ/CeO2歪人工超格子による酸素イオン拡散の高速化（東北大工：遠藤明，三浦隆治，近江靖則，高羽洋充，久保百司，Adil Fahmi，宮本明） |
| 山本 秀樹（NTT基礎研） | 超伝導 | 28aZS10 | 低温薄膜成長による新酸化物超伝導体Ba-Cu-Oの合成（NTT基礎研：内藤方夫，佐藤寿志） |
| 萬 伸一（NEC基礎研） | 超伝導 | 30aSQ26 | セルフテストによるジョセフソン論理回路のGHzクロック動作実験（NEC基礎研：橋本義仁，沼田秀昭，田中未知，田原修一） |
| 石田 謙司（京大工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29pNH15 | エピタキシャル法による強誘電性有機分子VDFテロマーの分子配向制御（京大工：田中啓貴，堀内俊寿，松重和美） |
| 伊東 栄次（東工大工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30pNK16 | π電子共役系LB膜界面の帯電特性（東工大工，マックスプランク*：小久保晴夫，正力重仁，岩本光正，S. Roth*） |
| 荻野 誠司（自由電子レーザ研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31aNH4 | FELを用いた多光子イオン化飛行時間型質量分析法—歯象牙質への適用—（自由電子レーザ研，大工研*：安本正人*，粟津邦男，西村榮一，冨増多喜夫） |
| 若山 裕（科技団） | 半導体A（Si） | 29pA9 | 電子線ナノプローブによるSi/金属界面近傍の格子歪と電子構造の測定（科技団：田中俊一郎） |
| 中村 健（電総研） | 半導体A（Si） | 29aE4 | 純オゾンによるSi(111)/(100)表面初期酸化過程のSHG観察（電総研：黒河明，一村信吾） |
| 山本 武司（静岡大電子工研） | 半導体A（Si） | 29pF16 | Si(111)面上の熱窒化核の酸化耐性（静岡大電子工研：寺尾要一，田部道晴） |
| 後藤 賢一（富士通研） | 半導体A（Si） | 29aH1 | デカボランイオン注入による0.15µmPMOSの試作（富士通研，京大イオン工学施設*：杉井寿博，松尾二郎*，山田公*） |
| 影山 麻樹子（沖電気超Ｌ研） | 半導体A（Si） | 29aPC11 | Al埋め込みヴィアEMにおけるAl合金中のSiの影響（沖電気超Ｌ研：橋本圭市，鉄田博） |
| 松倉 文礼（東北大通研） | 半導体B（Si以外） | 28pZA11 | 強磁性 (Ga, Mn) Asの磁気輸送特性：臨界温度近傍のふるまい（東北大通研：沈愛東，菅原靖宏，秋葉教充，黒岩達郎，大野裕三，大野英男） |
| 杉山 宗弘（NTT基礎研） | 半導体B（Si以外） | 30aZA8 | 硫黄吸着GaAs(001)表面におけるS-As置換反応過程の放射光による観察（NTT基礎研，金材研*：前山智，渡辺義夫，塚本史郎*，小口信行*） |
| 花田 剛（東工大工） | 半導体B（Si以外） | 30pZB6 | CuIn3Se5の結晶構造（II）—局所構造を加味した構造解析—（東工大工：中村吉男，入戸野修） |
| 田川 幸雄（富士通研） | 半導体B（Si以外） | 30pZC8 | 化合物半導体に於ける正孔の速度オーバーシュート異方性（富士通研：粟野祐二，横山直樹） |
| 伏見 浩（NTTシステムエレ研） | 結晶工学 | 28pE3 | 炭素ドープGaAs中の炭素関連欠陥による通電劣化機構 |
| 矢口 裕之（東大工） | 結晶工学 | 28aM10 | 強結合近似法によるGaP1-XNX混晶におけるバンド端形成の検討 |
| 石井 真史（理研） | 結晶工学 | 28pM10 | ALE成長したAlPの表面観測と表面形状制御（理研：岩井荘八，植木龍夫，青柳克信） |
| Kurtz Elisabeth（東北大金研） | 結晶工学 | 28pP1 | Properties of ZnSe-Buffer Layers for Quantum Dots Grown on (111) A and (111) B GaAs（東北大金研：H. D. Jung, N. Kumagai, T. Hanada, Z. Zhu, T. Yao） |
| 砂村 潤（東大先端研） | 結晶工学 | 28aSS20 | 熱処理したSi/pure-Ge/Si量子井戸のPLスペクトル（東大先端研，教養学部*：宇佐美徳隆，白木靖寛，深津晋*） |
| 李 謹炯（東工大応セラ研） | 結晶工学 | 30aA8 | 超平坦サファイア基板上でのLiNbO3ナノ結晶の形成（東工大応セラ研*，科技団戦略研**：吉本護*，鯉沼秀臣*,**） |
| 高橋 雅英（豊田工大） | 非晶質 | 30aNA8 | GeO2-SiO2ガラスにおけるGe-関連中心の熱平衡（豊田工大：河内泰司，藤原巧，生嶋明） |
| 三治 輝夫（東海大工） | 応用物理一般 | 28aNP4 | PEFCにおける単セル性能の比較（東海大工：菅井修二，新井正和，石崎敦一，大楠賢一，津久井勤） |
| 横山 吉隆（東工大総理工） | 合同セッションB「ナノ構造の作製・評価・物性」 | 30aT11 | 高密度自己形成InGaAs量子ドットの単一ドット分光（東工大総理工*，神奈川科学技術アカデミ**，NEC光エレ研***：斎木敏治**，西研一***，大津元一*,**） |
