第18回（2005年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 坂下 洋平（名大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 29a-H-28 | DC-VHF重畳マグネトロンプラズマ源の特性とスパッタレート（名大工：高木佑輔，豊田浩孝，高 軍思，佐々木浩一，加藤剛志，岩田 聡，綱島 滋，菅井秀郎） |
| 金 載浩（東大新領域） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 31a-F-6 | ストリップライン型マイクロ波励起マイクロ大気圧プラズマの発生および応用（東大新領域：寺嶋和夫） |
| 赤尾 佳則（科警研） | 光 | 30a-YS-10 | 複眼光学系を用いた光学的変化素子の偏角画像同時計測（阪大院情1，千葉大工2，東工大3：生源寺 類1，津村徳道2，山口雅浩3，三宅洋一2，谷田 純1） |
| 巻田 修一（筑波大物理工，筑波大計算光学グループ） | 光 | 30p-YS-16 | 高速ドップラーフーリエドメインOCTによるin vivo 網膜断層計測（筑波大物理工1，筑波大計算光学グループ2：安野嘉晃1,2，山成正宏1,2，遠藤隆史1,2，伊藤雅英1，谷田貝豊彦1） |
| 小栗 克弥（NTT物性基礎研） | 量子エレクトロニクス | 30a-ZF-7 | ピコ秒軟X線パルスを用いたレーザ溶融Siの時間分解EXAFS計測（NTT物性基礎研：岡野泰彬，西川 正，中野秀俊） |
| 實吉 永典（阪大院基礎工） | 量子エレクトロニクス | 30p-W-15 | 光サンプリング式テラヘルツ時間領域分光法（II）〜テラヘルツ電磁波パルスの検出〜（阪大院基礎工：安井武史，荒木 勉） |
| 大本 剛（阪大院工応物，阪大VBL，阪大FRC） | 量子エレクトロニクス | 30p-YR-19 | レーザーマイクロプロセス技術を駆使した細胞融合手法の開発（阪大院工応物1，阪大VBL2，阪大FRC3，JST-CRES4，サイボックス5：細川陽一郎1,2,4，山戸俊幸5，松本由多加5，佐藤節哉5，王 勇1,3，増原 宏1,2,3,4） |
| 丸山 真幸（早大理工） | 光エレクトロニクス | 30a-ZQ-7 | 70mm長Mg添加定比組成LiNbO3 を用いたマイクロチップ固体レーザ励起光パラメトリック発生（早大理工1，物材機構2：中島啓幾1，兪 蘭伊2，栗村 直2，北村健二2） |
| 早川 明憲（富士通研） | 光エレクトロニクス | 31p-ZH-13 | TTG-DFB-LDの波長可変幅の増大（富士通研：田中信介，苫米地秀一，江川 満，森戸 健） |
| 杉本 宜昭（阪大工） | 薄膜・表面 | 30a-YQ-3 | 非接触原子間力顕微鏡を用いた「交換型原子操作」（阪大工1，阪大FRC2：阿部真之1，クスタンセオスカル2，森田清三1,2） |
| 原 和香奈（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 30p-K-8 | 酸化物ナノ構造をモールドとするナノインプリントとナノ構造評価（東工大応セラ研1，帝京科学大2：北村理史1，秋葉周作1，松田晃史1，高木喜樹2，吉本 護1） |
| 加藤 宙光（産総研ダイヤモンド研究センター，CREST-JST） | 薄膜・表面 | 31a-Q-2 | (001)面ダイヤモンドにおけるn形伝導制御技術の開発（産総研ダイヤモンド研究センター1，CREST-JST2：山崎 聡1,2，大串秀世1,2） |
| 深見 一弘（阪大院基礎工） | 薄膜・表面 | 31p-C-9 | 振動電析反応による3次元微細周期構造の動的・自己組織的形成（阪大院基礎工1，CREST-JST2：多田稔生1，山崎はるか1，中西周次1,2，中戸義禮1,2） |
| 荒船 竜一（理研PDC） | 薄膜・表面 | 1a-B-7 | 分子振動励起による光電子のエネルギー損失（理研PDC1，東北大通研2，北陸先端大3：林 慶1，上田茂典1，上原洋一1,2，潮田資勝1,3） |
| 板垣 考洋（早大材研） | ビーム応用 | 31p-V-9 | 単原子電子源の電界電子放出特性：2.エネルギースペクトル特性（早大材研1，台湾中央研2：六田英治1，石川 剛1，趙 福夾1，鄭 天佐2，大島忠平1） |
| 近藤 剛弘（理研） | ビーム応用 | 1a-YT-10 | LiF(001)表面からのCOとN2のレインボー散乱‐入射分子配向が及ぼす著しい影響‐（理研1，産総研2，東大新領域3：加藤浩之1，山田太郎1，山本恵彦2，川合真紀1,3） |
| 渡瀬 博之（金沢大） | 応用物性 | 1p-A-6 | 劣化エピタキシャル成長したSi-Ge系薄膜の熱電特性（金沢大自然研1，IHIエアロスペース2，防衛大3：的場彰成1，佐々木公洋1，森田信一2，岡本庸一3，守本 純3） |
| 山本 明保（東大院工） | 超伝導 | 29a-ZG-6 | MgB2バルクにおける結晶性，不可逆磁界とC置換効果（東大院工：上田真也，桂 ゆかり，岩山 功，堀井 滋，下山淳一，岸尾光二） |
| 竹之内 智大（早大理工） | 超伝導 | 31a-X-7 | 高濃度ボロンドープCVDホモエピタキシャルダイヤモンドの超伝導特性（早大理工1，物材機構2：小林健作1，高野義彦2，長尾雅則2，坂口 勲2，立木 実2，羽多野 毅2，鍾 国妨1，梅沢 仁1，川原田 洋1） |
| 安田 剛（九大総理工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29p-YG-14 | 高い電子輸送及びambipolar輸送を有する銅フタロシアニンFETの作製（九大総理工：筒井哲夫） |
| 岡田 雅史（東北大金研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29p-YL-8 | 結晶表面近傍におけるタンパク質分子拡散挙動の1分子その場観察（東北大金研1，東北大学際セ2，東北大先進医3：佐崎 元1,2，松井拓郎1,2，渡辺朋信2,3，樋口秀男2,3，中嶋一雄3） |
| 鎌田 香織（東工大資源研，JST-CREST） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30p-YM-6 | 両親媒性ブロックポリマー薄膜中のナノシリンダー配列構造への電気化学的導電化（東工大資源研1，JST-CREST2：彌田智一1,2） |
| 吉田 浩之（阪大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31a-YM-3 | 周期的にピッチ変調したコレステリック液晶の光学的特性（阪大院工：尾崎良太郎，松井龍之介，尾崎雅則，吉野勝美） |
| 坂田 利弥（物材機構） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31p-YN-12 | ナノ粒子-DNA複合体に対する遺伝子トランジスタの電位応答（物材機構生体材料研究センター：宮原裕二） |
| 品川 盛治（武蔵工大） | 半導体A（シリコン） | 29p-ZB-3 | 極薄シリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布（武蔵工大1，富士通2：生田哲也2，堀 充明2，加勢正隆2，岡本英介1，吉田徹史1，野平博司1，服部健雄1） |
| 菅野 裕士（九大院システム情報） | 半導体A（シリコン） | 30a-R-4 | 高電界印加による金属誘起SiGe固相成長の方向制御（九大院システム情報：権丈 淳，佐道泰造，宮尾正信） |
| 中林 幸雄（東芝研究開発センター） | 半導体A（シリコン） | 31a-P5-24 | Si MOS反転層におけるクーロン散乱移動度への高チャネル濃度化の影響（東芝研開セ1，東芝セミコン社2，東大新領域3：古賀淳二1，石原貴光1，高柳万里子2，高木信一3） |
| 門島 勝（半導体MIRAI-ASET） | 半導体A（シリコン） | 31a-ZB-4 | Ptパーシャルシリサイド（PASI）ゲート電極のHf系ゲート絶縁膜上におけるフェルミレベルピニングの緩和（半導体MIRAI-ASET1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，東大工3：生田目俊秀1，岩本邦彦1，三瀬信行1 ，右田真司2，太田裕之2，小川有人1，高橋正志1，佐竹秀喜1，鳥海 明2,3） |
| 横井 伴紀（北大院工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 29p-V-5 | 自己集合量子ドットでの大きなオーバーハウザーシフトの観測（北大院工1，JST-CREST2，富士通3，富士通研4：足立 智1,2，笹倉弘理2，椋元 崇1，武藤俊一1,2，宋 海智2,3，廣瀬真一4，臼杵達哉2,3） |
| 岡田 政也（徳島大工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 31a-S-9 | AlGaN/GaN HFETしきい値電圧の温度及び光照射依存性（徳島大工：高木亮平，菊田大悟，敖 金平，大野泰夫） |
| 吉田 尚史（NECライティング，関西学院大理工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 31a-ZR-6 | YAl3-xScx(BO3)4:Gd紫外蛍光体の励起発光特性（NECライティング1，関西学院大理工2：吉松 良1，小笠原一禎2） |
| 井村 将隆（名城大理工・21世紀COEナノファクトリー） | 結晶工学 | 30p-L-10 | MOVPE法による厚膜AlNの微細構造観察（名城大理工・21世紀COEナノファクトリー1，イビデン2，昭和電工3：仲野靖孝1，北野 司1，布施賢幸1，藤元直樹1，クリシュナン・バラクリッシュナン1，岩谷素顕1，上山 智1，天野 浩1，赤? 勇1，下野健二2，高木 俊2，野呂匡志2，坂東 章3） |
| 中村 大輔（豊田中研） | 結晶工学 | 30p-YK-6 | 放射光X線トポグラフィによるSiC単結晶の転位構造解析（豊田中研：山口 聡，郡司島造，広瀬美治） |
| モハン プレミーラ（北大量集セ） | 結晶工学 | 31a-ZM-11 | InP系へテロ構造ナノワイヤアレイ作製の制御（北大量集セ：本久順一，福井孝志） |
| 原田 信介（産総研） | 結晶工学 | 1p-YK-5 | イオン注入及びエピ成長技術を用いた低オン抵抗SiC縦型MOSFETの作製（産総研：加藤 真，岡本光央，八尾 勉，福田憲司，荒井和雄） |
| 斎藤 全（東工大応セラ研） | 非晶質・微結晶 | 29p-ZG-4 | 共添加したSiO2 中のCe3+の溶媒和構造 (2) P5+ およびP5++B5+共添加効果（東工大応セラ研1，昭和電線2，科技構3：村田周平1，松石 聡1,3，大登正敬2，三浦泰祐3，平野正浩3，細野秀雄1,3） |
| 熊谷 俊昭（東大院工） | 応用物理一般 | 29a-YA-9 | （Bi0.5Pb0.5）2AE2Co2Oyの磁気異方性制御と磁場配向体の作製（東大院工1，物材機構2：堀井 滋1，打越哲郎2，鈴木 達2，目 義雄2，岡本太一1，杉浦裕樹1，下山淳一1，岸尾光二1） |
| 尾崎 信彦（筑波大院数理物質科学） | 合同セッションE | 29p-YD-15 | 強磁性半導体（Zn,Cr）Teのn型ドーピングによる強磁性の増大（筑波大院数理物質科学：Ste’phane Marcet，西沢 望，粂川竜巳，黒田眞司，瀧田宏樹） |
| 能生 陽介（名大工） | 合同セッションF | 29p-YF-3 | カーボンナノチューブFETの電極材料の違いによる伝導特性変化（名大工1，PRESTO/JST2：大野雄高1,2，岸本 茂1，水谷 孝1） |
| 山谷 泰賀（放医研） | 合同セッションJ | 30a-M-3 | jPET-D4画像再構成と1/5検出器リング試作機の画質実験評価（放医研1，千葉大2，島津製作所3，東工大4，北里大5：吉田英治1，津田倫明1,2，北村圭司3，小尾高史4，長谷川智之5，羽石秀昭2，稲玉直子1，棚田修二1，村山秀雄1） |
| 西井 潤弥（東北大金研，東北大通研） | 合同セッションK | 30p-E-4 | Mg1-xCaxO/ZnOヘテロエピタキシャル成長（東北大金研1，東北大通研2，物材機構3：大友 明1，池田将洋1，大谷啓太2，大野英男2，川崎雅司1,3） |
