第16回（2004年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 内田 諭（都立大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 28a-YM-9 | マイクロセル中高周波放電におけるガス圧およびギャップ長の影響（都立大工：杤久保文嘉，渡辺恒雄） |
| 井村 考平（分子研） | 光 | 29p-D-17 | 近接場顕微鏡を用いた金微粒子の二光子発光とダイナミクス観察（分子研：永原哲彦，岡本裕巳） |
| 安野 嘉晃（筑波大物理工，筑波大ナノプロジェクト） | 光 | 29a-K-8 | 高速スペクトル干渉OCTによる実時間in vivo断層計測（筑波大物理工1，筑波大ナノプロジェクト2：巻田修一1，遠藤隆史1，青木剛毅1，角村 浩1，伊藤雅英1，谷田貝豊彦1，2） |
| 白根 昌之（NEC基礎・環境研） | 量子エレクトロニクス | 29p-M-5 | 自己クローニング型フォトニック結晶による光Add/Drop Multiplexer（企）（NEC基礎・環境研1，東北大未来研2：五明明子1，三浦健太2，大寺康夫2，山田博仁1，川上彰二郎2） |
| 紀和 利彦（阪大超伝導フォト研） | 量子エレクトロニクス | 29p-N-4 | ジョセフソン接合を用いたフォトミキシング電磁波周波数検出・安定化システム（阪大超伝導フォト研：斗内政吉） |
| 佐野 智一（阪大院工） | 量子エレクトロニクス | 30p-L-1 | フェムト秒レーザー駆動衝撃による鉄の高圧相凍結（阪大院工1，SPring-82：森 裕章1，坂田修身2，大村悦二1，宮本 勇1） |
| Nan Ei Yu（物材機構） | 光エレクトロニクス | 29p-ZC-12 | 周期分極反転KNbO3 における高効率広帯域第二高調波発生（物材機構1，東大生研2，プサン国立大，三井化学4：栗村 直1，北村健二1，芦原 聡2，志村 努2，黒田和男2，Myoungsik Cha3，廣橋淳二4） |
| 山内 豊彦（東大院工） | 光エレクトロニクス | 29a-ZS-8 | ポンプ・プローブ時分割発生法による高分解能なBOCDA方式光ファイバ動的歪み分布測定システム（東大院工：保立和夫） |
| 芝 和宏（NECシステムデバイス研） | 光エレクトロニクス | 29a-ZZ-4 | 非対称ガイド構造を有する高感度10 Gbit/s導波路型APD（NECシステムデバイス研：中田武志，牧田紀久夫，竹内 剛，佐々木達也，鳥飼俊敬） |
| 佐伯 昌彦（村田製作所） | 薄膜・表面 | 28a-P1-4 | エピタキシャルAl電極を用いた38.5° Y-XLiTaO3 基板上での超高耐電力SAWデバイス（村田製作所：中川原修，寺本哲浩，長谷川正幸，家木英治） |
| 森田 剛（東北大通研） | 薄膜・表面 | 29a-ZL-2 | 水熱合成法によるチタン酸鉛エピタキシャル薄膜の成膜（東北大通研：長 康雄） |
| 福間 剛士（京大院工） | 薄膜・表面 | 30p-ZB-1 | レーザ強度変調法を用いた広帯域カンチレバー変位検出系の開発とそのDFMへの応用（京大院工1，京大IIC2：木村健次郎1，小林 圭2，山田啓文1，松重和美1，2） |
| 片桐 雅之（筑波大学，物材機構） | 薄膜・表面 | 30p-ZM-2 | 低濃度リンドープn型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の作製（特）（筑波大学1，物材機構2：小泉 聡2，磯谷順一1，神田久生2） |
| 宮川 仁（科技構） | ビーム応用 | 29p-ZW-1 | 12CaO・7Al2O3 薄膜へのイオン注入によるエレクトライドの生成（科技構1，東工大応セラ研2：戸田善丈1，2，林 克郎1，神谷利夫1，2，平野正浩1，細野秀雄1，2） |
| 文後 卓也（阪大院工） | ビーム応用 | 29p-YD-7 | AESスパッタ深さ分析における深さ分解能の入射イオンエネルギー依存性（阪大院工：水原 譲，永富隆清，高井義造） |
| 保科 拓也（東工大院理工） | 応用物性 | 28p-ZS-12 | チタン酸バリウム微粒子における結晶構造及び誘電特性のサイズ依存性（東工大院理工1，東工大総合理工2，Spring-83：掛本博文1，和田智志1，鶴見敬章1，八島正知2，加藤健一3） |
| 一野 祐亮（名大工，CREST-JST） | 超伝導 | 28p-YE-10 | PLD法で作製したREBa2Cu3Oy薄膜の酸素アニール中抵抗率のin-situ測定（名大工1，東大工2，電中研3，山形大工4，京大工5，CREST-JST6：伊藤正和1，6，本田竜士1，6，吉田 隆1，6，高井吉明1，堀井 滋2，6，一ノ瀬中3，6，向田昌志4，6，松本 要5，6） |
| 太田 肇（住友電工ハイテックス，金属鉱業事業団） | 超伝導 | 29a-YD-3 | 高温超伝導SQUIDを用いた金属鉱床探査のための電磁探査法システム開発（住友電工ハイテックス1，金属鉱業事業団2：永石竜起1，荒井英一2） |
| 薮 浩（北大院理，理研フロンティア） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 28p-ZF-3 | 自己組織化によるマイクロリング構造の作製（理研フロンティア1，北大電子研2，北大電子研ナノテク3：田中 賢2，下村政嗣1，3） |
| 大田 悟（パイオニア総研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 28p-ZN-13 | 有機薄膜トランジスタによるアクティブ駆動有機ELパネル（パイオニア総研：中馬 隆，宮口 敏，佐藤英夫，田辺貢久，奥田義行，土田正美） |
| 谷井 孝至（早大理工・材研・ナノテクリサーチセンター） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29p-ZQ-13 | 有機シラン単分子膜の電子線パターニングによる生体分子の高密度配列固定（早大理工・材研・ナノテクリサーチセンター：張 国軍，保坂 匠，三宅丈雄，座古 保，船津高志，大泊 巌） |
| 加藤 徳剛（早大理工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29a-ZR-4 | 斜入射X線回折法によるJ会合体の水面上におけるサーモクロミズムのその場観察（早大理工1，高輝度光科学研究センター2，宇大工3：荒木岳志1，上江洲由晃1，広沢一郎2，佐藤真直2，池田 直2，飯村兼一3） |
| 河村 祐一郎（科技構） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30p-ZN-11 | CBP共蒸着膜中におけるIr錯体の発光効率と分子間相互作用（科技構1，Universal Display Co2，千歳科技大3：Jason Brooks2，Julie J. Brown2，雀部博之1，3，安達千波矢1，3） |
| 高橋 康史（東北大工） | 半導体A（Si） | 29p-ZG-3 | 量子分子動力学法を用いたCMPプロセスにおけるメカノケミカル反応ダイナミクスの解明（東北大工1，科技機構さきがけ2，広島国際学院大工3，東北大未来センター4：篠田克己1，古山通久1，久保百司1，2，今村 詮3，宮本 明1，4） |
| 木下 敦寛（東芝研開セ） | 半導体A（Si） | 29a-ZH-2 | ゲート電界起因の鏡像効果によるショットキー障壁低下の実験検証（東芝研開セ：内田 建，古賀淳二） |
| 川崎 博久（東芝セミコン社） | 半導体A（Si） | 29a-ZH-11 | 歪Siを用いたnMOSFET特性の歪Si膜厚依存性（東芝セミコン社：辻井秀二，岡山康則，石田達也，笠井邦弘，石丸一成） |
| 飯川 裕文（阪府大先端研） | 半導体A（Si） | 30a-ZG-10 | SIMOX基板形成におけるDose-WindowのSi結晶方位依存性（阪府大先端研：中尾 基，泉 勝俊） |
| 木村 建次郎（京大院工） | 半導体A（Si） | 31a-ZG-4 | 走査型容量原子間力顕微鏡（SCFM）による半導体不純物濃度評価（京大院工1，京大IIC2：小林 圭2，山田啓文1，松重和美1，2） |
| 佐藤 祐輔（東北大金研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 28p-P4-15 | LPE法により作製したSi結晶の太陽電池特性と低温成長の有効性（東北大金研：宇治原 徹，藩 伍根，藤原航三，佐崎 元，宇佐美徳隆，中嶋一雄） |
| 村中 司（北大量エレ研・電子情報） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 29p-E-21 | ECR-RIBEを用いた窒化ガリウム系ナノ構造の作製とそのデバイス応用（北大量エレ研・電子情報：橋詰 保，長谷川英機） |
| 太田 剛（科技構・ERATO） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 29a-ZE-10 | 一組の自己形成InAs結合量子ドットにおける殻構造の観測（科技構・ERATO1，東大理2，NTT物性基礎研3，富士通研4，東大先端研5：大野圭司2，M.Stopa1，羽田野剛司1，山田和正1，樽茶清悟1，2，3，中田義昭4，宋 海智4，宮澤俊之4，大島利雄4，横山直樹4，中岡俊裕5，荒川泰彦5） |
| 東脇 正高（通信総研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 30p-S-6 | RF-MBE成長したGaN/InAINヘテロ構造FET（通信総研：松井敏明） |
| 先崎 純寿（産総研） | 結晶工学 | 29p-ZM-4 | n型4H-SiC熱酸化膜の長期信頼性評価 (3)（産総研：児島一聡，福田憲司） |
| 森 大樹（住友電工） | 結晶工学 | 29p-P12-16 | 2層クラッド構造によるZnSe系白色LEDの長寿命化（住友電工：藤原伸介，片山浩二，中村孝夫） |
| 渡邊 克之（東大ナノエレ連携研，東大生研） | 結晶工学 | 30a-YG-6 | MBE法により作製したGaInNAs自己形成量子ドット（東大ナノエレ連携研1，東大生研2，東大先端研3：西岡政雄1，2，荒川泰彦1，2，3） |
| 森田 大介（日亜化学） | 結晶工学 | 31p-YN-3 | 365 nm UV-LEDの高出力化（日亜化学：佐野雅彦，山本正司，的場功祐，安友克博，明石和之，笠井義雄，長濱慎一，向井孝志） |
| 飯田 一喜（名城大理工・HRC） | 結晶工学 | 31p-YN-5 | AlGaN系紫外レーザダイオード（名城大理工・HRC，21世紀COEナノファクトリー：春日井秀紀，三島俊介，三宅泰人，本塩 彰，川島毅士，宮崎敦嗣，岩谷素顕，上山 智，天野 浩，赤﨑 勇） |
| 高田 省三（産総研） | 非晶質 | 28p-ZT-5 | メソポーラスシリカLow-k膜におけるシリカ骨格のヤング率（産総研ASRC1，半導体MIRAI-産総研ASRC2，半導体MIRAI-ASET3，広大RCNS4：秦 信宏2，清野 豊2，三好秀典3，藤井宣年3，吉川公麿2，4） |
| 中村 浩之（東大） | 応用物理一般 | 28p-YC-2 | 反磁性流体の自然対流の磁場制御（東大1，物材機構2，科技団3：高山知弘1，植竹宏往1，廣田憲之2，北澤宏一3） |
| 薬師寺 啓（東北大金研，CREST-JST） | 合同セッションE | 30p-ZK-17 | グラニュラーナノ細線におけるスピン依存単電子トンネル現象（東北大金研1，CREST-JST2，電磁研3：松浦光孝1，三谷誠司1，2，高梨弘毅1，2，藤森啓安2，3） |
| 高木 大輔（明大理工） | 合同セッションF | 30a-ZX-3 | 熱CVDを用いた孤立単層カーボンナノチューブの垂直成長（NTT物性基礎研1，明大理工2，CREST/JST3：本間芳和1，3，小林慶裕1，伊藤良一2） |
| 齊藤 志郎（NTT物性基礎研，JST-CREST） | 合同セッションG | 30p-YB-5 | 超伝導磁束量子ビットにおける多光子吸収過程（NTT物性基礎研1，デュッセルドルフ大2，東工大3，JST-CREST4：M.Thorwart2，田中弘隆1，4，中ノ勇人1，4，仙場浩一1，4，上田正仁3，4，高柳英明1，4） |
| 西木戸 健樹（ソニー） | 合同セッションH | 29a-H-4 | Cl2 系RIEによるMTJ構造加工後の後処理検討（ソニー：山崎さをり，山岸 肇，庄子光治，木村忠之，安藤厚博，辰巳哲也，野澤 悟，篠原啓二） |
