第15回（2003年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 松井 洋樹 （名大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 1a-N-5 | マグネトロンスパッタ製膜における基板入射粒子のエネルギー測定（名大工：豊田浩孝，柴垣寛治，佐々木浩一，加藤剛志，岩田 聡，綱島 滋，菅井秀郎） |
| 山本 裕紹 （徳島大工） | 光 | 31p-T-5 | 複数の復号用マスクに情報を分散する視覚復号型暗号によるセキュアな情報ディスプレイ（徳島大学工学部光応用工学科：早崎芳夫，西田信夫） |
| 伊藤 民武 （関学理工） | 光 | 1p-Q-17 | 吸着色素の離脱による単一銀ナノ粒子の表面プラズモン共鳴と表面増強ラマン散乱の変化（関学理工：橋本和宏，池羽田晶文，尾崎幸洋） |
| 桐山 博光（原研関西研） | 量子エレクトロニクス | 31p-X-8 | 高平均出力LD励起Nd：YAGジグザグスラブレーザー増幅器の開発（原研関西研1，浜松ホトニクス(株)中研2，阪大レーザー研3：永井 亨1，山川考一1，影山進人2，宮島博文2，菅 博文2，吉田英次3，中塚正大3） |
| 田丸 博晴（東大先端研） | 量子エレクトロニクス | 31a-ZM-2 | 金属開口における透過電磁波の偏光特性のFDTD計算 (III)（東大先端研：宮野健次郎） |
| 山下 将嗣（理化学研究所） | 量子エレクトロニクス | 2p-ZD-6 | IC断線評価システムの空間分解能評価（理化学研究所1，阪大超伝導セ2：紀和利彦2，川瀬晃道1，斗内政吉2） |
| 岡本 健志 （東工大量エレ研） | 光エレクトロニクス | 30p-YB-11 | 位相シフト半導体薄膜BH-DFBレーザの室温連続動作（東工大量子エレ研1，CREST，JST2：山崎達也1，田村茂雄1，荒井滋久1,2） |
| チャイヤスィット カムトーンキッティクル（東大先端研，科技団CREST） |
光エレクトロニクス | 30p-YH-7 | MOVPE成長AlN/GaN多重量子井戸における1.55µmサブバンド間吸収の観測（東大先端研1，科技団CREST2，東大工3：脇一太郎2，霜垣幸浩2,3，中野義昭1,2） |
| 平永 良臣（東北大通研） | 薄膜・表面 | 31a-T-10 | ウェットエッチング法による大面積強誘電体単結晶記録媒体の作製（東北大通研：長 康雄，我妻康夫） |
| 荻原 大輔 （早大理工） | 薄膜・表面 | 31p-Y-4 | 高密度励起下におけるIIa型ダイヤモンドの電子正孔液滴と束縛励起子（早大理工1，CREST科技団2：河井啓朗1，梅沢 仁1,2，川原田洋1,2） |
| 秋葉 周作（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 31p-ZA-17 | ガラス極薄膜の表面コーティングを利用した超平坦結晶性酸化物薄膜の作製と評価（東工大応セラ研1，SPring-82：佐藤周平1，松田晃史1，坂田修身2，吉本 護1） |
| 白土 優（阪大院工） | 薄膜・表面 | 31p-ZC-5 | Fe超薄膜の超常磁性挙動における微粒子間相互作用（阪大院工：山本雅彦，遠藤 恭） |
| 平松 秀典 （科技団透明電子活性PJ） | 薄膜・表面 | 1p-P8-6 | 自然超格子構造を有するオキシカルコゲナイドLnCuOCh（Ln＝La〜Nd；Ch＝S，Se）エピタキシャル薄膜のワイドギャップP型縮退伝導と室温励起子発光（科技団透明電子活性PJ1，東工大応セラ研2：植田和茂2，太田裕道1，神谷利夫1,2，平野正浩1，細野秀雄1,2） |
| 盛谷 浩右 （原研放射光科学研究センター） | ビーム応用 | 30p-YD-7 | 超熱酸素分子ビームによるCu{111}表面の酸化過程（原研放射光科学研究センター1，阪大院理化2：岡田美智雄2，佐藤誠一2，後藤征士朗2，笠井俊夫2，吉越章隆1，寺岡有殿1） |
| 根岸 伸幸 （日立中研） | ビーム応用 | 31p-ZK-4 | ArFレジスト対応絶縁膜エッチング高精度化の検討（日立中研1，日立笠戸開発センタ2，日立ハイテクノロジーズ3：武居秀則3，角屋誠浩2，吉田 剛3，伊澤 勝1） |
| 松石 聡（東工大応セラ研，科技団透明電子活性PJ） | 応用物性 | 1p-YF-4 | 電子が陰イオンとなる安定な無機結晶：[Ca24Al28O64]4+(4e–)（東工大応セラ研1，科技団透明電子活性PJ2：林 克郎2，神谷利夫1,2，平野正浩2，細野秀雄1,2） |
| 武田 正典（通信総研関西先端研究センター） | 超伝導 | 31a-A-6 | 窒化ニオブを用いたテラヘルツ帯導波管型SISミクサ（通信総研関西先端研究センター：鵜澤佳徳，王 鎮，川上 彰） |
| 関 悠介（日立中研） | 超伝導 | 1p-X-12 | 分割型高温超伝導ループを用いた磁気シールド（日立中研：鈴木大介，緒方邦臣，塚田啓二） |
| 飛沢 健（豊橋技術科学大学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 30p-S-12 | pH二次元分布リアルタイム測定に向けたバイオセンサの試作（豊橋技術科学大学：大科孝博，高尾英邦，澤田和明，石田 誠） |
| 物部 浩達（産総研人間系） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31a-D-23 | 波長可変赤外レーザー光照射によるディスコティック液晶の再配向挙動（産総研人間系1，阪大院工2：清原健司1，寺澤直弘1，部谷 学2，粟津邦男2，清水 洋1） |
| 松井 龍之介（阪大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 31a-L-4 | 干渉励起下における液晶導波路レーザーの電界制御 (2)（阪大院工：尾崎雅則，吉野勝美） |
| 喜多 浩之（東大院工） | 半導体A（Si） | 30p-YL-4 | MIS飽和容量から評価したHfO2/GeとHfO2/Siにおける界面反応の違い（東大院工：笹川 将，遠山仁博，弓野健太郎，鳥海 明） |
| 平野 泉（東芝研開セ） | 半導体A（Si） | 30p-P2-24 | 定電圧ストレス下におけるHfシリケート膜の欠陥生成レートと劣化機構の考察（東芝研開セ1，セミコンダクター社2：三谷祐一郎1，関根克行2，高柳万里子2，江口和弘2，綱島祥隆2，佐竹秀喜1） |
| ラトノ・ヌルヤディ（静大電研） | 半導体A（Si） | 1a-YD-10 | 2次元Si連結ドットデバイスにおける単電子・単正孔特性（静大電研：池田浩也，石川靖彦，田部道晴） |
| 入江 宏（東大院工） | 半導体A（Si） | 1p-YD-13 | 異なる散乱機構下におけるMOS反転層移動度のユニバーサリティー（東大院工：喜多浩之，弓野健太郎，鳥海 明） |
| 寺井 慶和（大阪府立大） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 1p-ZB-17 | 不純物ドープしたβ-FeSi2におけるフォトルミネッセンス増強効果（大阪府立大：前田佳均） |
| 南條 拓真（三菱電機先端総研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 1a-P7-12 | 熱処理されたNi/Pt/Auショットキー電極を用いたAlGaN/GaN HEMT（三菱電機先端総研1，名工大極微デバイス機能システム研究センター2：三浦成久1，大石敏之1，吹田宗義1，阿部雄次1，尾関龍夫1，石川博康2，江川孝志2） |
| 菊田 大悟（徳島大工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 1a-P7-17 | AlGaN/GaN SiOX MOS-HFETの相互コンダクタンス周波数分散（徳島大工1，徳島大SVBL2：敖 金平2，大野泰夫1） |
| 小野島 紀夫（京大院工） | 結晶工学 | 30p-G-10 | ポリタイプ整合による4H-SiC（11-20）基板上の高品質4H-AlN（京大院工1科技団さきがけ2：須田 淳1,2，木本恒暢1，松波弘之1） |
| 海津 利行（電通大） | 結晶工学 | 31p-K-4 | 高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長（電通大：山口浩一） |
| 河口 研一（富士通，光協会） | 結晶工学 | 31p-K-12 | InP(100)上InAsドットのMOVPE成長（富士通1，光協会2，東大生研3：江川 満1,2，倉又朗人1,2，秋山知之1,2，江部広治3，菅原 充3，荒川泰彦3） |
| 鎌田 洋平（宇宙研，東大院） | 結晶工学 | 2a-YA-7 | フォトルミネッセンス法によるCZ-Si結晶中の窒素評価（宇宙研：田島道夫，藁品正敏） |
| 宮島 晋介（東工大院理工） | 非晶質 | 1p-YH-7 | 太陽電池応用に向けた微結晶3C-SiC：H薄膜の低温堆積（東工大院理工1，東工大量エレ研2：米山雄一1，綿引達郎1，山田 明2，Rene Asomoza2，小長井誠1） |
| 谷口 和成（京教大教育） | 応用物理一般 | 31a-P4-1 | 「アドバンシング物理」力学分野におけるIT機器を活用した探求活動の試み（京教大教育1，平安女学院高2，京都女子高3，同志社高4，嵯峨野高5，和歌山大教育6：岩間 徹2，笠 潤平3，山崎敏昭4，小川雅史5，宮永健史6，村田隆紀1） |
| 神吉 輝夫（阪大産研） | 合同セッションE | 31a-ZL-2 | 電界効果トランジスタPb(Zr,Ti)O3/(La,Ba)MnO3を用いた室温強磁性状態の制御 (II)（阪大産研1，科技団さきがけ212：朴 影根1，田中秀和1,2，川合知二1） |
| 大野 雄高（名大工） | 合同セッションF | 1p-E-5 | 単一単層カーボンナノチューブの光誘起電流の観測（名大工：岸本 茂，水谷 孝） |
