第13回（2002年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 桂島 研（東北大院工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 26p-D-10 | Laプラズマ中のイオン種分析とLa内包フラーレン形成機構の相関（東北大院工：平田孝道，畠山力三） |
| 大久保 進也（農工大工） | 光 | 25p-D-4 | 複屈折近接場光学顕微鏡によるナノインデント試験片の応力分布の直接観測（農工大工：高柳淳夫，梅田倫弘） |
| 三宮 俊（科技団ERATO） | 光 | 25p-D-7 | 光近接場による量子ドット間エネルギー移動の過渡応答特性（科技団ERATO*，東工大**：小林 潔*，川添 忠*，小路口暁*，大津元一*,**） |
| 齋 均（東北大工） | 量子エレクトロニクス | 24p-YA-5 | 単結晶W表面に作製した2次元微細周期構造の熱放射特性と熱安定性（東北大工：金森義明，湯上浩雄） |
| 堀 喬（名大工） | 量子エレクトロニクス | 27a-YA-8 | 電子制御型波長可変ソリトンパルスを用いたソノグラム測定システムにおける光パルスの再構築（名大工，アイシン精機*：西澤典彦，吉田 睦*，後藤俊夫） |
| 小野 夢樹（電通大量・物工，CREST，JST） | 量子エレクトロニクス | 27a-YA-12 | 最大コヒーレンスの生成と超短パルス光への応用 (II)（電通大量・物工，CREST，JST：桂川眞幸，白田耕藏） |
| 竹中 充（東大先端研，JST-CREST） | 光エレクトロニクス | 24p-B-14 | 方向性結合器双安定レーザ構造を有する半導体全光フリップ・フロップの実現（東大先端研，JST-CREST：中野義昭） |
| 荒井 昌和（東工大精研） | 光エレクトロニクス | 26a-A-4 | GaInAs/GaAs多波長面発光レーザアレーの発振波長の広帯域化（東工大精研：近藤 崇，尾野村章弘，松谷晃宏，宮本智之，小山二三夫） |
| 大澤 健男（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 25p-ZL-19 | 光触媒探索に向けた酸化物表面における有機薄膜のSTM観察（東工大応セラ研1，物材機構2，東工大フロンティア3：松本祐司3，中島和子1，鯉沼秀臣1,2） |
| 寺地 徳之（阪大院工） | 薄膜・表面 | 25a-ZR-9 | 高い原料ガス濃度条件におけるダイヤモンド薄膜の合成（阪大院工：三谷諭司，伊藤利道） |
| 吉田 昭二（筑波大物理工，CREST） | 薄膜・表面 | 26p-ZG-4 | 温度可変STM-LEED装置を用いたSi(100)表面構造相転移の観察（筑波大物理工，CREST1，東大生研2，UNISOKU3：畠 賢治1，武内 修1，松本益明2，岡野達雄2，長村俊彦3，重川秀実1） |
| 野村 研二（科技団透明電子活性PJ，東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 26a-ZN-6 | InGaO3(ZnO)5 単結晶薄膜を用いた透明MISFETの作製（科技団透明電子活性 PJ1，東工大応セラ研2：太田裕道1，植田和茂1,2，神谷利夫1,2，平野正浩1，細野秀雄1,2） |
| 宮田 恵美（阪大理） | ビーム応用 | 24a-T-5 | 裏面照射型CCD内での電子雲の形状測定と位置決定精度向上（阪大理1，浜松フォトニクス2：三木優己1，平賀純子1，河野洋彦1，常深 博1，宮口和久2） |
| 洗 暢俊（京大院工，シャープ） | ビーム応用 | 25a-B-31 | 銀負イオン注入した熱酸化シリコン薄膜のI-V特性とクーロン遮蔽（京大院工：辻 博司，本野正徳，松本卓也，後藤康仁，石川順三） |
| 三浦 健治（三重大工） | ビーム応用 | 26p-Q-13 | 多層カーボンナノチューブで観測される電子線干渉縞（三重大工：畑 浩一，大下倉彰宏，大下昭憲，齋藤弥八） |
| 山本 淳（産総研） | 応用物性 | 24p-ZA-6 | サーマルプローブ法を用いた熱電材料の高速組成スクリーニング (2)（産総研：李 哲虎，高澤弘幸，野口照夫，小原春彦） |
| 町田 友樹（科技団） | 応用物性 | 26p-S-8 | 量子ホール端状態を利用した固体中核スピン量子ビット（東大院総合：山崎智幸，生嶋健司，小宮山進） |
| 井上 昌睦（九大院シス情） | 超伝導 | 24a-E-15 | スケーリング則に基づくYBCO-IBAD線材の低温・高磁界特性の推定（九大院シス情1，九工大情報工2，フジクラ3，東北大金研4，超電導工研5：木須隆暢1，久我隆礼1，石丸 誠1，竹尾正勝1，松下照男2，飯島康裕3，柿本一臣3，斎藤 隆3，淡路 智4，渡辺和雄4，塩原 融5） |
| 古田 太（日立基礎研） | 超伝導 | 26p-K-17 | 超電導A/D変換器フロントエンド回路の40GHz動作実証（日立基礎研：齊藤和夫，高木一正） |
| 辰村 光介（早大理工） | 半導体A（Si） | 24p-C-4 | 大規模な熱SiO2膜構造モデルからのX線回折強度（早大理工1，早大材研2，阪大院工3，福井工大4：渡邉孝信1，志村考功3，梅野正隆4，大泊 巌1,2） |
| 寺井 真之（NEC Siシス研） | 半導体A（Si） | 24p-YF-9 | 100nm CMOS用SiONゲート絶縁膜における界面窒素制御によるNBTI抑制の検討（NEC Siシス研：東郷光洋，山本豊二，渡部宏治，増崎幸治，辰巳 徹，最上 徹） |
| 池田 圭司（富士通研） | 半導体A（Si） | 25p-F-9 | 歪みSiGeチャネルを用いたショットキーソース/ドレイン p-MOSFET（富士通研：山下良美，遠藤 聡，深野 哲，彦坂康己，三村高志） |
| 成島 哲也（産総研，物材機構，筑波大物理） | 半導体A（Si） | 26a-E-2 | 低エネルギー電子線による非熱的再結晶化現象（産総研1，物材機構2：北島正弘2，三木一司1,2） |
| 齋藤 秀和（産総研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 25p-ZA-10 | 希薄磁性半導体Zn1-xCrxTeにおける室温強磁性（産総研1，東邦大理2：Vadim Zayets1，山形伸二1,2，安藤功兒1） |
| アーサン ナズムル（科技団，東大工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 26p-ZA-14 | MnデルタドープGaAsをベースとしたヘテロ構造における高い強磁性転移温度（〜172K）（科技団1，東大工1：田中雅明1,2） |
| 嶋田 行志（名大理） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 26a-ZC-9 | 金属内包フラーレン・ピーポッドFETの電気的特性（名大理1，名大工2，産総研3：大野雄高2，岡崎俊也1，末永和知3，岩附伸也2，岸本 茂2，水谷 孝2，谷口里紗1，加藤治人1，菅井俊樹1，篠原久典1） |
| 木村 武（東工大総理工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 26p-ZC-17 | β-FeSi2初期層を用いたSi(100)及びSi(111)基板上へのβ-FeSi2 薄膜のMOCVD合成（東工大総理工1，神奈川産総研2，神奈川県高度技術支援財団3，筑波大物理工4：秋山賢輔1,2，高橋健治1，金子 智2，大屋誠志郎2，小沼誠司3，末益 崇4，長谷川文夫4，舟窪 浩1） |
| 片山 竜二（東大新領域） | 結晶工学 | 24a-YG-2 | 立方晶GaN/GaAs(001)ヘテロ構造の電場変調分光測定 (2)：光バイアスエレクトロリフレクタンス測定（東大新領域，東大工*：黒田正行，尾鍋研太郎，白木靖寛*） |
| 大島 祐一（日立電線） | 結晶工学 | 24a-YH-6 | ボイド形成剥離法を用いたGaN自立基板の作製（日立電線1，NEC光・無線研2：江利 健1，柴田真佐知1，砂川晴夫2，碓井 彰2） |
| 立野 高弘（物材機構，東海大院） | 結晶工学 | 25a-YD-9 | 液滴エピタキシィ法による一次元配列GaAs量子ドットの創製（物材機構*，東海大院**：若木守明**，小口信行*） |
| 南風盛 将光（東工大応セラ研） | 結晶工学 | 25p-YE-7 | ZnO系蛍光体ZnO : Y : Euの赤色発光特性（東工大応セラ研1，千葉大VBL2，東北大金研3，国際基盤材料研4，物材機構5：林 秀樹2，山田康博3，福村知昭3，石坂彰利2，V. Z. Mordkovich4，今泉文武4，鯉沼秀臣1,5，川崎雅司3,5） |
| 崔 成伯（上智大理工） | 結晶工学 | 26p-YE-6 | InP基板上黄緑色ZnCdSe/BeZnTe半導体レーザの作製と評価（上智大理工：野村一郎，菊池昭彦，岸野克巳） |
| 高橋 儀宏（長岡技科大） | 非晶質 | 25p-YB-20 | ガラスに析出したBa2TiGe2O8結晶の二次非線光学特性（長岡技科大：紅野安彦，藤原 巧，小松高行） |
| 水野 議一朗（広島工大） | 応用物理一般 | 25a-P8-3 | 基本的なアナログ・ディジタル集積回路設計システム教育（広島工大：福原領平，植田誠司，田中 武，大村道郎） |
