第11回（2001年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 澁谷 憲悟（東大院工，科技団戦略基礎） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 12p-ZH-14 | 二次元量子閉じ込め構造を利用した新規超高速シンチレーターの開発（東大院工1)，上智大理工2)，科技団戦略基礎3)：越水正典1),3)，田渕裕子2),3)，浅井圭介1),3)） |
| 太田 裕朗（京大院エネルギー科学） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 14a-ZG-6 | 塩素/酸素を用いたシリコンの反応性イオンエッチングの分子動力学による研究（京大院エネルギー科学：浜口智志） |
| 香川 景一郎（奈良先端大物質創成） | 光 | 12a-ZQ-4 | フォーカス機能をもつ光無線LAN用ビジョンチップの開発（奈良先端大物質創成，マイクロシグナル*：太田 淳，布下正宏，山嵜康司*，山田雅史*，杉下正蔵*，渡辺國寛*） |
| 庄司 一郎（分子研） | 量子エレクトロニクス | 12a-ZK-3 | （100）カットのYAG結晶による熱複屈折誘起デポラリゼーションの低減（分子研：栗村 直，平等拓範） |
| 渡辺 歴（阪大院工） | 量子エレクトロニクス | 13p-ZM-12 | フェムト秒レーザー光パルスの集光照射による透明媒質内部でのボイドの移動（阪大院工，産総研関西*：黒田大介，品川太志，山田和宏，西井準治*，伊東一良） |
| 布谷 伸浩（東工大量エレ研） | 光エレクトロニクス | 13p-B-13 | CH4/H2-RIEによる活性層分離型DFBレーザの初期信頼性（東工大量エレ研：大平和哉，緑川英樹，村主賢悟，荒井滋久） |
| 屋敷 健一郎（NEC光・無線研） | 光エレクトロニクス | 13p-B-17 | マイクロアレイ波長選択光源の20mWファイバ出力動作（NEC光・無線研：工藤耕治，森本卓夫，鈴木尚文，須藤信也*，室谷義治，玉貫岳正，佐藤健二，大澤洋一，森 一男，佐々木達也）（* 現 NECエレクトロンデバイス） |
| 伊藤 大輔（大阪府大院工） | 薄膜・表面 | 11p-T-10 | エピタキシャルYMnO3薄膜の強誘電特性（大阪府大院工：藤村紀文，覚野浩介，伊藤太一郎） |
| 額賀 紀全（東工大総理工） | 薄膜・表面 | 12a-ZR-4 | 単原料ボトルからの溶液気化MOCVD法によるSrBi2Ta・2・O・9・ 薄膜の高再現合成（東工大総理工1)，トリケミカル研究所2)，リンテック3)：町田英明2)，鈴木淑恵2)，小野弘文3)，志田卓也3)，舟窪 浩1)） |
| 安藤 豊（FCT/JFCC） | 薄膜・表面 | 12a-ZT-11 | 反応性イオンエッチングにより作製した尖鋭化ダイヤモンドエミッタ（FCT/JFCC1)，NEDO/JFCC2)，阪大工3)：西林良樹1)，古田 寛2)，小橋宏司1)，平尾 孝3)，尾浦憲治郎3)） |
| 渡辺 友勝（阪大院工） | 薄膜・表面 | 12p-ZT-19 | 高電界下におけるダイヤモンド中でのキャリヤ輸送」（阪大院工：寺地徳之，伊藤利道，鎌倉良成，谷口研二） |
| 見矢木 崇平（早大理工，物材機構物質研） | 薄膜・表面 | 14p-ZV-7 | MOCVD法を用いて合成したアナターゼ薄膜の容量過渡応答法による深い準位の評価（早大理工1)，物材機構物質研2)，慶大理工3)：小川智之2),3)，亀井雅之2)，和田芳樹2)，三橋武文2)，山崎淳司1),2)，太田英二3)，佐藤徹哉3)） |
| 萩原 琢也（日立中研） | ビーム応用 | 12a-E-22 | 位相エッジ露光法における位相配置と収差の関係（日立中研，日立デバ開セ*：早野勝也*，福田 宏） |
| 本野 正徳（京大院工） | ビーム応用 | 12p-G-8 | 金属負イオン注入によるルチルの光触媒特性の向上（京大院工：辻 博司，菅原弘允，鷺森友彦，後藤康仁，石川順三） |
| 根岸 哲（京都工繊大工芸） | ビーム応用 | 13p-M-6 | HF/DCプラズマCVD法による配向カーボンナノチューブの低温作製（京都工繊大工芸：古賀瑞帆，林 康明，西野茂弘） |
| 今井 英人（NEC基礎研） | 応用物性 | 14a-ZD-7 | 層状化合物TiS2単結晶の熱電特性（NEC基礎研：島川祐一，久保佳実） |
| 五月女 悦久（日立基礎研） | 超伝導 | 14a-G-7 | グランドプレーン付き表面改質型ランプエッジ接合の作製（日立基礎研：深沢徳海，斎藤和夫，高木一正） |
| 中村 明史（日本ビクター） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 11p-V-2 | スタンプを用いた色素拡散による高分子EL素子の発光色塗り分け方法（日本ビクター：多田 琢，広瀬紳一，水上 誠，柳生慎悟） |
| 美谷 周二朗（東大生研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 11a-ZC-1 | 液面光マニピュレーションによる液体界面現象の観察（東大生研：酒井啓司，高木堅志郎） |
| 山下 達弥（豊田中研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12a-ZB-3 | 自己形成光導波路における屈折率分布形成（豊田中研，豊田合成*：河崎朱里，各務 学，伊藤 博，伊縫幸利*） |
| 北川 功（日立基礎研） | 半導体A | 11p-X-1 | 酸化膜中欠陥生成エネルギーの第一原理バンド計算評価 (2)（日立基礎研：丸泉琢也） |
| 間島 秀明（東大生研） | 半導体A | 12p-ZD-6 | 極狭チャネルn型およびp型MOSFETにおける閾値電圧上昇（東大生研1)，中大理工2)，東大VDEC3)：齊藤裕太1),2)，平本俊郎1),3)） |
| 太田 和伸（三菱電機） | 半導体A | 14a-P13-4 | 二重オフセットサイドウォール構造によるCMOSFETの低ゲートリーク・高性能化（三菱電機，松下電器*：佐山弘和，尾田秀一，井上靖朗，犬石昌秀，中岡弘明*，中西賢太郎*，布施玄秀*，柁谷敦宏*，小倉基次*） |
| 奥井 登志子（阪大産研） | 半導体A | 14a-P13-10 | MOSFET断面構造の導電性カンチレバーを用いた原子間力顕微鏡による評価（阪大産研：長谷川繁彦，中島尚男） |
| 秋山 賢輔（神奈川県産総研，東工大院） | 半導体B | 12p-YA-5 | B及びPのドーピングによるβ-FeSi2 薄膜の電気伝導特性制御（神奈川県産総研1)，東工大院2)，神奈川高度技術支援財団3)：木村 武2)，大屋誠志郎1)，栗原幸男1)，熊谷正夫1)，高野弘道3)，小沼誠司3)，薮田湖納美3)，舟窪 浩2)） |
| 塚崎 敦（東工大総理工） | 結晶工学 | 11a-P1-22 | 不純物ドープn型ZnO薄膜の電気伝導特性（東工大総理工1)，シャープ2)，静岡大3)，理研PDC4)，東工大フロンティア5)，科技団戦略研6)，物材機構7)，東北大金研8)：斉籐 肇2)，田村謙太郎1),4)，角谷正友3)，福家俊郎3)，牧野哲征4)，瀬川勇三郎4)，鯉沼秀臣5),6),7)，川崎雅司1),7),8)） |
| 宇治原 徹（東北大金研） | 結晶工学 | 11a-S-1 | Fickの第一法則に基づく金属・半導体溶液の相互拡散係数測定（東北大金研：藤原航三，佐崎 元，宇佐美徳隆，中嶋一雄） |
| 東條 剛（ソニー白石セミコン） | 結晶工学 | 14p-N-9 | 400nm帯超高出力アレイ型半導体レーザ（ソニー白石セミコン，ソニーCNC*：後藤 修，矢吹義文，日野智公，安斎信一，山中弘文*，伊藤美知*，森谷喜典*，浜口雄一*，内田史朗，池田昌夫） |
| 高橋 正光（原研 SPring-8） | 結晶工学 | 14a-T-1 | 半導体表面研究のための超高真空X線回折計（原研 SPring-8：米田安宏，井上博胤，山本直昌，水木純一郎） |
| 梶原 浩一（科技団） | 非晶質 | 12p-ZS-6 | F2レーザーを照射したSiO2 : OHガラスにおけるNBOHCの緩和と水素の拡散（科技団1)，東工大2)：L. Skuja1)，平野正浩1)，細野秀雄1),2)） |
| 佐々木 耕二郎（横国大院工） | 応用物理一般 | 11p-ZF-5 | ゲル電気泳動に対する磁場効果II（横国大院工：碓井 隆，伏見友博，山本 勲，山口益弘） |
