第10回（2001年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 野口 康幸（九大総理工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 28p-ZT-14 | AC-PDP放電を模擬したマイクロ放電プラズマ中の電子密度・温度測定（九大総理工：松岡 晃，本藤 武，マーク・ボーデン，内野喜一郎，村岡克紀） |
| 古閑 一憲（九大システム情報） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 31p-ZQ-7 | クラスタ抑制プラズマCVD装置による高品質a-Si : H作製（九大システム情報，福工大*：園田剛士，鹿谷 昇*，白谷正治，渡辺征夫） |
| 佐藤 伸治（東洋大工） | 計測・制御 | 28p-W-4 | 放射率の方向・偏光特性測定装置の開発と応用 (1)（東洋大工：和田重信，古川 徹，井内 徹） |
| 水野 大介（東大院工） | 光 | 28a-ZB-1 | 複素電気泳動易動度測定法を用いた複雑流体の局所粘弾性測定（東大院工：木村康之，早川禮之助） |
| 川添 忠（科技団ERATO） | 光 | 29a-ZX-10 | 非共鳴光を用いた近接場光CVDによるナノメートルサイズZnドットの堆積（科技団ERATO1)，東工大2)：山本 洋2)，大津元一1),2)） |
| 鄭 和翊（東海大理） | 量子エレクトロニクス | 29p-P9-8 | 回折限界品質を有する高エネルギーグリーンパルスの発生（原研関西研：松岡史哲，出来恭一，有澤 孝） |
| 河野 俊介（通信総研関西） | 量子エレクトロニクス | 29p-V-9 | 超広帯域検出における光伝導アンテナの周波数応答（通信総研関西：谷 正彦，阪井清美） |
| 河村 賢一（科技団透明電子活性P） | 量子エレクトロニクス | 30a-ZF-7 | フェムト秒レーザーシングルパルス干渉露光法によるLiNbO3 導波路上へのマイクログレーティングの書き込み（科技団透明電子活性P1)，分子研2)，東工大応セラ研3)：伊藤尚子3)，猿倉信彦1),2)，平野正浩1)，細野秀雄1),3)） |
| 児玉 聡（NTTフォトニクス研） | 光エレクトロニクス | 28a-YF-4 | PDとEAMをモノリシック集積した超高速光ゲート素子の実現（NTTフォトニクス研：伊藤 猛，渡邉則之，近藤 進，竹内博昭，伊藤 弘，石橋忠夫） |
| 秋山 知之（FESTA） | 光エレクトロニクス | 30a-H-1 | ビート検出を用いた新しい時分割多重分離方式（FESTA：和田 修） |
| 柳 博（東工大応セラ研） | 薄膜・表面 | 29a-P4-2 | デラフォサイト型構造酸化物CuInO2を用いた透明p-nホモ接合の試製（東工大応セラ研，ERATO JST*：植田和茂，細野秀雄，太田裕道*，折田政寛*，平野正浩*） |
| 佐々木成朗（東大工，CREST） | 薄膜・表面 | 29a-ZE-1 | Si(111)√3×√3-Ag表面の非接触AFM像に現れる熱揺らぎの第一原理的研究（東大工1)，CREST2)，金材研3)，東大理4)：相澤秀昭3)，渡邉 聡1),2)，塚田 捷4)） |
| 石坂 博明（早大理工） | 薄膜・表面 | 29p-YH-3 | 表面チャネル型ダイヤモンドFETにおける高周波特性の向上（早大理工1)，CREST科技団2)：藤原直樹1)，谷内寛直1),2)，有馬拓也1),2)，梅沢 仁1),2)，立木 実1),2)，川原田洋1),2)） |
| 小林千香子（東京工芸大工） | 薄膜・表面 | 31a-P15-24 | スプレー法による低抵抗ITO透明導電膜の作製（東京工芸大工：関 成之，澤田 豊） |
| 及川 貴弘（東工大物質科学創造） | 薄膜・表面 | 31a-YA-6 | Pb(Zr,Ti)O3薄膜の強誘電特性の組成および結晶方位依存性（東工大物質科学創造，日本フィリップス*：荒谷政則，斎藤啓介*，舟窪 浩） |
| 川崎 忠寛（阪大院工） | ビーム応用 | 28a-ZF-9 | 3次元像強度分布を用いた収差補正（阪大院工1)，大阪電通大2)，大工大3)：高井義造1)，生田 孝2)，志水隆一3)） |
| 小林 正治（ASETプラズマ研） | ビーム応用 | 31a-F-7 | C-Fポリマー膜厚の影響を考慮した酸化膜エッチレートの計算 (2)（ASETプラズマ研：辰巳哲也，山岡義和，松井 都，川嶋健治，関根 誠） |
| 水柿 義直（東北大通研，チャルマース工科大） | 応用物性 | 30p-S-1 | フラッシュ型4ビット単電子アナログ・ディジタル変換器の試作（チャルマース工科大，東北大未来セ*：Per Delsing，山下 努*） |
| 田中 秀和（阪大産研） | 応用物性 | 30a-V-4 | 強相関電子系(La,Ba)MnO3/Sr(Ti,Nb)O3 p-n接合における磁気輸送特性の室温電場制御（阪大産研：張軍，川合知二） |
| 楠正暢（山形大工） | 超伝導 | 29a-ZK-6 | 誘電体共振法による表面抵抗精密測定条件の検討（山形大工：向田昌志，大嶋重利） |
| 植松 裕（東北大通研，科技団戦略研） | 超伝導 | 30a-ZC-1 | LSCO固有接合の電流電圧特性上に観測されるジョセフソンプラズマ共振（東北大通研1)，科技団戦略研2)，東北大未来セ3)，山梨大工4)：佐々木登1)，水柿義直1),2)，中島健介1),2)，山下 努2),3)，綿打敏司2),4)，田中 功2),4)） |
| 河野 剛士（豊橋技科大） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29p-R-11 | 神経電位センサ用微小SiVLS 多重電極の回路上への製作（豊橋技科大：加藤陶子，二川雅登，谷 良司，高尾英邦，澤田和明，石田 誠） |
| 中山 健一（阪大工，CREST） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29a-ZG-2 | 電荷注入制御型有機トランジスター（阪大工，CREST：藤本慎也，平本昌宏，横山正明） |
| 市川 結（信州大繊維） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 29a-ZN-8 | 有機半導体発光デバイスにおける励起子−電荷相互作用の実時間観測（信州大繊維：内藤龍介，小山俊樹，谷口彬雄） |
| 澤田 裕樹（阪大有機光工学研セ） | 半導体A | 28p-D-12 | Si(111)面のエッチングおよび初期酸化過程におけるステップの役割（阪大有機光工学研セ：松村道雄） |
| 柴田 武（東芝プロセス技術推進セ） | 半導体A | 28a-P2-15 | ステンシルマスクイオン注入技術（東芝プロセス技術推進セ1)，日本真空技術2)，日本精工3)： 須黒恭一1)，杉原和佳1)，幡野正之1)，水野央之1)，八木下淳史1)，齋藤友博1)，奥村勝弥1)，西橋 勉2)，後藤 禎3)，角田道雄3)，佐治伸仁3)） |
| 平野 有一（三菱電機UL技開セ） | 半導体A | 30p-ZL-14 | ハイブリッドトレンチ分離構造を用いた0.10μm SOI CMOS技術（三菱電機UL技開セ1)，三菱電機シスLSI事業統括2)，三菱電機シスLSI事業化推進セ3)：松本拓治1)，前田茂伸1)，岩松俊明1)，国清辰也1)，新居浩二2)，山本和也3)，山口泰男1)，一法師隆志1)，前川繁登1)，犬石昌秀1)） |
| 南 秀樹（東工大フロンティア，応セラ研） | 半導体A | 31a-YF-4 | 走査型マイクロ波顕微鏡によるシリコン基板上BaxSr1-xTiO3 薄膜の誘電特性の高速評価（東工大フロンティア応セラ研1)，東工大総理工2)，科技団戦略研3)，無機材研4)，金材技研5)：パールハット・アヘメト4)，知京豊裕1),4),5)，ミック・リプマー2),4)，伊高健治1)，川崎雅司2),4)，鯉沼秀臣1),3),4),5)） |
| 阿部 真理（東大生研） | 半導体B | 28p-YC-13 | 時間分解THz分光法を用いたGaAs中の速度オーバーシュートの評価（東大生研1)，CREST2)：S. マダビ2)，島田洋蔵1)，平川一彦1),2)） |
| 橋本 克之（NTT物性基礎研，CREST-JST） | 半導体B | 29a-YE-9 | バックゲートシングルヘテロ構造中の二次元電子ガスによる核スピン操作（NTT物性基礎研1)，CREST-JST2)：村木康二1)，佐久 規1)，平山祥郎1),2)） |
| 水口 将輝（JRCAT：融合研，東大院工） | 半導体B | 30a-ZB-3 | 室温強磁性閃亜鉛鉱型CrAsの作製と成長温度依存性（JRCAT：融合研1)，JRCAT：ATP2)，東大院工3)，阪大基礎工4)：秋永広幸1)，眞砂卓史2)，小野寛太3)，尾嶋正治3)，白井正文4)） |
| 千葉 大地（東北大通研） | 半導体B | 31a-YE-7 | (In,Mn)Asにおける強磁性の電界制御（東北大通研：松倉文礼，大宮忠志，阿部映子，T. Dietl，大野裕三，大谷啓太，大野英男） |
| 谷保 芳孝（千葉大工） | 結晶工学 | 29p-M-11 | 分光エリプソメトリーを用いたGaNのMOVPE成長表面ストイキオメトリーのその場観察（千葉大工1)，千葉大VBL2)，帝京科学大3)：賈 岸偉1),2)，加藤嘉則1)，吉川明彦1),2)，高橋 清3)） |
| 平尾 太一（京大工） | 結晶工学 | 30a-E-11 | 4H-SiC（033244C8）面を用いたMOSFETの作製（京大工，シクスオン*：矢野裕司，木本恒暢，松波弘之，塩見 弘*） |
| 櫻井啓一郎（京大院工） | 結晶工学 | 30a-K-4 | 青色発光ZnCdO薄膜の光物性と発光機構（京大院工，ローム*：高木豪士，梶田大介，久保 健，田辺哲弘*，高須秀視*，藤田静雄，藤田茂夫） |
| 新田 州吾（名城大理工） | 結晶工学 | 30p-L-7 | III族窒化物のマストランスポート特性 (4)（名城大理工，ハイテクリサーチセンター*：湯川洋平，小嵜正芳，渡辺康弘，岩谷素顕，山口栄雄*，天野 浩，赤崎 勇） |
| 竹谷 元伸（ソニー白石セミコン） | 結晶工学 | 31p-K-1 | GaN : MgのP型活性化における新手法（ソニー白石セミコン：池田昌夫） |
| 浅野 明（阪大産研） | 非晶質 | 31a-ZT-5 | クラウンエーテルシアン処理によるSi欠陥準位の除去とK＋イオン汚染の防止（阪大産研1)，科技団CREST2)，松下電子3)：高橋昌男1),2)，米田健司3)，戸所義博3)，小林 光1),2)） |
| 池添 泰弘（東大工） | 応用物理一般 | 28p-Q-2 | 磁場中における弱磁性粒子の誘起磁気双極子相互作用 （東大工1)，科技団2)：開発 徹1)，氏峰 潔1)，植竹宏往1)，廣田憲之1),2)，北沢宏一1),2)） |
