第1回（1996年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
大分類分科毎の講演発表日・講演番号アルファベット順／敬称略
| 講演奨励賞受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 林 大雄（名大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 8aC5 | 酸素プラズマ中における準安定状態分子への解離性電子付着反応（名大工：佐々木浩一，門田清） |
| 辻 幸一（東北大金研） | 計測・制御 | 9aKE6 | 蛍光X線の出射角依存測定による薄膜密度の決定 |
| 石井 勝弘（北大電子科研） | 光 | 8aB9 | 拡散光子理論に基づく後方多重散乱エンハンスメントの時間特性の解析（北大電子科研：岩井俊昭，朝倉利光） |
| 堀部 晃啓（慶大理工） | 光 | 9aSZT4 | 光散乱ポリマー導光体とその液晶用バックライトシステム（慶大理工：馬場雅裕，二瓶栄輔，小池康博） |
| 平山 秀樹（理研） | 量子エレクトロニクス | 8aPA13 | 3Dフォトニック結晶共振器レーザの放射特性の解析（理研：浜野哲子，青柳克信） |
| 高橋 亮（NTT光エレ研） | 量子エレクトロニクス | 10aM7 | 低温成長光スイッチを用いた超高速光DEMUX（NTT光エレ研：松岡裕，岩村英俊） |
| 森 淳（NTT光エレ研） | 光エレクトロニクス | 9aKF4 | Er3+添加テルライトファイバの増幅特性（NTT光エレ研：大石泰丈，須藤昭一） |
| 須藤 剣（東大工） | 光エレクトロニクス | 9aKH7 | 光誘起屈折率変化によるDFBレーザの発振 波長トリミング（東大工：中野義昭，多田邦雄） |
| 横田 嘉宏（神戸製鋼電子技研） | 薄膜・表面 | 7aY10 | 新谷法ダイヤモンドヘテロエピタキシ ーにおけるジボラン添加の影響（神戸製鋼電子技研，徳島大工*，阪大工**：橘武 史，宮田浩一，大西隆，小橋宏司，新谷義廣*，八田章光**，伊藤利道**） |
| 渡部 平司（アトムテクノロジー研究体） | 薄膜・表面 | 8pW5 | 走査反射電子顕微鏡によるSi(111)表面上の空孔拡散過程の評価（アトムテクノロジー研究体：市川昌和） |
| 大竹 尚登（東工大工） | 薄膜・表面 | 9aX4 | レーザ援用反応性蒸着法による窒化アルミニウム膜の選択成長（東工大工：加藤和典） |
| 田畑 仁（阪大産研） | 薄膜・表面 | 10aF13 | PZT/(La,Sr)MnO3における格子歪（圧電，電歪効果）と電気特性（阪大産研：田中秀和，川合知二） |
| 前田 勝美（NEC機能エレ研） | ビーム応用 | 7aS5 | ArF露光用化学増幅型レジストの開発（5）（NEC機能エレ研：中野嘉一郎，岩佐繁之，長谷川悦雄） |
| 芳賀 恒之（NTTLSI研） | ビーム応用 | 7pW1 | 軟X線多層膜ハーフミラーの製作・評価（NTTLSI研，NTT-AT*: M. C. K. Tinone，嶋田勝，大久保高志*，小澤章*） |
| 平野 貴之（神戸製鋼） | ビーム応用 | 8aSKL22 | MOSFET構造シリコンフィールドエミッタ（電総 研，武蔵工大*：金丸正剛，小澤健*，田上尚男，伊藤順司） |
| 藤原 聡（NTTLSI研） | 応用物性 | 9pB10 | 光励起によるSi単電子島の電子数零状態の決定（NTTLSI 研：高橋庸夫，村瀬克実） |
| 葛西 裕人（日立基礎研） | 超伝導 | 7aKB7 | 高エネルギーイオン照射によるコラム状欠陥と磁束量子と の相互作用の観察（日立基礎研，原研（東海）*：原田研，松田強，上村理，外村彰，岡安悟 *，数又幸生*） |
| 佐藤 寿志（NTT基礎研） | 超伝導 | 8aKB11 | 6枚以下のCuO2面からなるLa2-XSrXCuO4超薄膜の超伝導（NTT基礎研：山本秀樹，内藤方夫） |
| 安部 隆（名大工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 7aZP8 | 表面力直接測定による高分子電解質ブラシ層の研究（名大工，同志社大工*：栗原和枝，東信行*，丹羽政三*） |
| 山本 薫（東大理） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 8aSE17 | 同時蒸着法による一次元金属錯 体のカラム構造の混晶化（東大理*，物質研：鎌田俊英，吉田郵司，八瀬清志，深谷俊夫，水上富士夫，太田俊明*） |
| 舟橋 正浩（東工大像情報） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 9pZN10 | 液晶性光伝導体2-(4′-alkoxyphenyl)-6-alkylthiobenzothiazole誘導体の基礎物性5：キャリア移動度の温度依存性（東工大像情報*，総理工：黒瀧健介，藤田博明，張宏，半那純一*） |
| 山田 廉一（日立中研） | 半導体A | 7aH9 | SiO2薄膜の低電界における電気伝導（日立中研，半導体（事）*：由上二郎，平岩篤*，大倉理） |
| 古賀 淳二（東芝ULSI研） | 半導体A | 7aR5 | Si表面トンネル素子における負性微分抵抗とピーク電流の大幅向上（東芝ULSI研：鳥海明） |
| 林 輝幸（東京エレクトロン技術開発） | 半導体A | 8aL6 | ウェハ表面への有機物汚染の吸着（東京 エレクトロン技術開発，大成建設技研*：斉藤美佐子，若林剛，若山恵英*，小林貞雄*） |
| 小泉 弘（NTTLSI研） | 半導体A | 9aP5 | バックサイドBTによるSOI-MOSFET寄生バイポーラ動作の 抑制（NTTLSI研：嶋屋正一，土屋敏章） |
| 宮崎 周司（都立大工） | 半導体A | 9aPB14 | 2波長同時照射型顕微光応答装置によるショットキー 障壁高さの高分解能測定（都立大工：奥村次徳） |
| 末光 哲也（NTTLSI研） | 半導体B | 7aSZB9 | InAlAs/InGaAs HEMTにおけるボディコンタクト電流 の評価（NTTLSI研：榎木孝知，石井康信） |
| 秋永 広幸（JRCAT−融合研） | 半導体B | 7aZC8 | MnGa/(GaAs: Mn)/MnGa三層構造における層間交換結合（JRCAT−融合研，JRCAT-ATP*：宮西晋太郎，W. Van Roy，L.-H. Kuo*） |
| 名古屋 義則（昭和シェル石油中研） | 半導体B | 8pZL18 | 開口部面積50cm2のClGS薄膜太陽 電池ミニモジュールの作製（昭和シェル石油中研：櫛屋勝巳，加瀬高久，田知行宗 頼，佐藤正雄，杉山一郎，奥村大輔，山瀬修） |
| 藤澤 利正（NTT基礎研） | 半導体B | 10pZC7 | 結合量子ドット系の共鳴フォトンアシストト ンネルと誘導放出（NTT基礎研：樽茶清悟） |
| 吉川 俊英（富士通研） | 結晶工学 | 7aZE7 | MOVPEにおけるp-GaAs再成長界面清浄化新手法（富士通研：松倉祐輔，田中均） |
| 寒川 義裕（九大総理工） | 結晶工学 | 8aZE3 | (Ⅲ)-(Ⅴ)族半導体混晶におけるTP-A型規則化のモンテカルロ法による解析（九大総理工：桑野範之，沖憲典） |
| 本田 徹（東工大精研） | 結晶工学 | 8pZF4 | サファイア基盤上へのGaNのMOVPE成長におけるオゾン前処理（東工大精研：坂口孝浩，井上彰，森美由紀，白澤智恵，五月女耕二，持田宣晃，小山二三夫，伊賀健一） |
| 奥井 正彦（住友金属未来研） | 結晶工学 | 8pZG11 | CZ-Siウエハ表面近傍の酸素析出物の異常生成（2）（住友シチックスシリコン研開セ：梅野繁） |
| 秩父 重英（東理大理工） | 結晶工学 | 9pZF1 | InGaNの光学的特性（1）（早大理工，日亜化学工業*：小豆畑敬，宗田孝之，中村修二*） |
| 西宮 立享（三菱重工） | 非晶質 | 9aSZW3 | µc-Siにおける結晶性と水素の相関（Ⅰ）（電総研：近藤道雄，松田彰久） |
