第44回（2022年度）応用物理学会論文賞 受賞者

論文賞受賞を記念し，受賞論文を期間限定で公開しています．
対象：APEX/JJAP掲載のもの

（注）所属は論文投稿時のものです．

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
大兼幹彦（東北大学）
藤原耕輔（スピンセンシングファクトリー）
菅野彰剛（東北大学）
中野貴文（東北大学）
我妻宏（スピンセンシングファクトリー）
有本直（コニカミノルタ）
水上成美（東北大学）
熊谷静似（スピンセンシングファクトリー）
松﨑斉（スピンセンシングファクトリー）
中里信和（東北大学）
安藤康夫（東北大学） 		Sub-pT magnetic field detection by tunnel magneto-resistive sensors Appl. Phys. Express 14 (2021) 123002
市川修平（大阪大学）
塩見圭史（大阪大学）
佐々木豊（大阪大学）
舘林潤（大阪大学）
藤原康文（大阪大学） 		Eu-doped GaN and InGaN monolithically stacked full-color LEDs with a wide color gamut Appl. Phys. Express 14 (2021) 031008
星乃紀博（電力中央研究所）
鎌田功穂（電力中央研究所）
神田貴裕（ミライズテクノロジーズ）
徳田雄一郎（ミライズテクノロジーズ）
久野裕也（ミライズテクノロジーズ）
土田秀一（電力中央研究所） 		Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method Appl. Phys. Express 13 (2020) 095502
Shubhra S. Pasayat（University of California Santa Barbara）
Matthew S. Wong（University of California Santa Barbara）
Ryan Ley（University of California Santa Barbara）
Steven P. DenBaars（University of California Santa Barbara）
中村修二（University of California Santa Barbara）
Umesh K. Mishra（University of California Santa Barbara） 		Demonstration of ultra-small (<10 µm) 632 nm red InGaN micro-LEDs with useful on-wafer external quantum efficiency (>0.2%) for mini-displays Appl. Phys. Express 14 (2021) 011004
右田真司（産業技術総合研究所）
太田裕之（産業技術総合研究所）
浅沼周太郎（産業技術総合研究所）
森田行則（産業技術総合研究所）
鳥海明（東京大学） 		Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2 nanolaminates Appl. Phys. Express 14 (2021) 051006
大西広（東京工業大学）
山崎文徳（東京工業大学）
箱﨑喜郎（東京工業大学）
竹村将沙樹（東京工業大学）
根津篤（東京工業大学）
赤塚洋（東京工業大学） 		Measurement of electron temperature and density of atmospheric-pressure non-equilibrium argon plasma examined with optical emission spectroscopy Jpn. J. Appl. Phys. 60 (2021) 026002
飯田大輔（King Abdullah University of Science and Technology）
Pavel Kirilenko（King Abdullah University of Science and Technology）
Martin Velazquez-Rizo（King Abdullah University of Science and Technology）
大川和宏（King Abdullah University of Science and Technology） 		Demonstration of low forward voltage InGaN-based red LEDs Appl. Phys. Express 13 (2020) 031001

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
上松悠人（大阪大学） Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films Appl. Phys. Express 13 (2020) 055503
田中隼也（名城大学） Low-threshold-current (~85 mA) of AlGaN-based UV-B laser diode with refractiveindex waveguide structure Appl. Phys. Express 14 (2021) 094009
神野莉衣奈（京都大学） Thermal stability of α-(AlxGa1–x)2O3 films grown on c-plane sapphire substrates with an Al composition up to 90% Jpn. J. Appl. Phys. 60 (2021) SBBD13
Juyoung Yoon（東北大学）
竹内祐太朗（東北大学） 		Crystal orientation and anomalous Hall effect of sputter-deposited non-collinear antiferromagnetic Mn3Sn thin films Appl. Phys. Express 13 (2020) 013001
岩崎拓哉（物質・材料研究機構） Fabrication of folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices Appl. Phys. Express 13 (2020) 035003
田中一（大阪大学） Modeling of carrier scattering in MOS inversion layers with large density of interface states and simulation of electron Hall mobility in 4H-SiC MOSFETs Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 031006
熊崎祐介（富士通） Over 80% power-added-efficiency GaN high-electron-mobility transistors on free-standing GaN substrates Appl. Phys. Express 14 (2021) 016502

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
菅野了次（東京工業大学） イオン導電体創出から固体電池構築へ 応用物理 第90巻 第1号 (2021) pp.6-23
W. X. Zhou（National University of Singapore）
A. Ariando（National University of Singapore） 		Review on ferroelectric/polar metals Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SI0802
宮坂力（桐蔭横浜大学） ペロブスカイト半導体の光電変換における高電圧・高効率化の材料開発 応用物理 第90巻 第11号 (2021) pp.662-669