第43回（2021年度）応用物理学会論文賞 受賞者

論文賞受賞を記念し，受賞論文を期間限定で公開しています．
対象：APEX/JJAP掲載のもの

（注）所属は論文投稿時のものです．

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
佐藤恒輔（旭化成，名城大学）
安江信次（名城大学）
山田和輝（名城大学）
田中隼也（名城大学）
大森智也（名城大学）
石塚彩花（名城大学）
手良村昌平（名城大学）
荻野雄矢（名城大学）
岩山章（名城大学，三重大学）
三宅秀人（三重大学）
岩谷素顕（名城大学）
竹内哲也（名城大学）
上山智（名城大学）
赤﨑勇（名城大学） 		Room-temperature operation of AlGaN ultraviolet-B laser diode at 298 nm on lattice-relaxed Al0.6Ga0.4N/AlN/sapphire Kosuke Sato, Shinji Yasue, Kazuki Yamada, Shunya Tanaka, Tomoya Omori, Sayaka Ishizuka, Shohei Teramura, Yuya Ogino, Sho Iwayama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, and Isamu Akasaki Appl. Phys. Express 13 (2020) 031004
濱口達史（ソニー）
保科幸男（ソニー）
林賢太郎（ソニー）
伊藤仁道（ソニー）
大原真穂（ソニー）
條川達郎（ソニー）
横関弥樹博（ソニー）
幸田倫太郎（ソニー）
簗嶋克典（ソニー） 		Room-temperature continuous-wave operation of green vertical-cavity surface-emitting lasers with a curved mirror fabricated on {20−21} semi-polar GaN Tatsushi Hamaguchi, Yukio Hoshina, Kentaro Hayashi, Masayuki Tanaka, Masamichi Ito, Maho Ohara, Tatsurou Jyoukawa, Noriko Kobayashi, Hideki Watanabe, Mikihiro Yokozeki, Rintaro Koda, and Katsunori Yanashima Appl. Phys. Express 13 (2020) 041002
秩父重英（東北大学）
嶋紘平（東北大学）
小島一信（東北大学）
高島信也（富士電機）
上野勝典（富士電機）
江戸雅晴（富士電機）
井口紘子（豊田中央研究所）
成田哲生（豊田中央研究所）
片岡恵太（豊田中央研究所）
石橋章司（産業技術総合研究所）
上殿明良（筑波大学） 		Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Kazunobu Kojima, Shin-ya Takashima, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Shoji Ishibashi, and Akira Uedono Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) SC0802
加藤幸⼀郎（みずほ情報総研，東京理科大学）
前川侑毅（東京理科大学）
渡辺尚貴（みずほ情報総研，東京理科大学）
笹岡健二（東京理科大学）
山本貴博（東京理科大学） 		Discovery of new microscopic structures in surface water on graphene using data science Koichiro Kato, Yuki Maekawa, Naoki Watanabe, Kenji Sasaoka, and Takahiro Yamamoto Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 025001
関裕平（神奈川大学）
星野靖（神奈川大学）
中田穰治（神奈川大学） 		Electrical properties and conduction mechanisms of heavily B+-ion-implanted type IIa diamond: effects of temperatures during the ion implantation and postannealing upon electrical conduction Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, and Jyoji Nakata Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 021003
大村光広（東芝メモリ）
橋本惇一（東芝メモリ）
足立昂拓（東芝メモリ）
近藤祐介（東芝メモリ）
石川勝朗（東芝メモリ）
阿部淳子（東芝メモリ）
酒井伊都子（東芝メモリ）
林久貴（東芝メモリ）
関根誠（名古屋大学）
堀勝（名古屋大学） 		Formation mechanism of sidewall striation in high-aspect-ratio hole etching Mitsuhiro Omura, Junichi Hashimoto, Takahiro Adachi, Yusuke Kondo, Masao Ishikawa, Junko Abe, Itsuko Sakai, Hisataka Hayashi, Makoto Sekine, and Masaru Hori Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) SEEB02
木村重哉（東芝）
吉田学史（東芝）
内田翔太（静岡大学）
荻野明久（静岡大学） 		Thermionic emission and conversion properties of n-type AlGaN thin film cathodes grown on 6H–SiC substrates Shigeya Kimura, Hisashi Yoshida, Shota Uchida, and Akihisa Ogino Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) SGGF01

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
尾﨑拓也（京都大学） Red-emitting InxGa1−xN/InyGa1−yN quantum wells grown on lattice-matched InyGa1−yN/ScAlMgO4(0001) templates Takuya Ozaki, Mitsuru Funato, and Yoichi Kawakami Appl. Phys. Express 12 (2019) 011007
小林拓真（京都大学，東京工業大学） Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation Takuma Kobayashi, Takafumi Okuda, Keita Tachiki, Koji Ito, Yu-ichiro Matsushita, and Tsunenobu Kimoto Appl. Phys. Expres 13 (2020) 091003
松島宏行（日立製作所，筑波大学） Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes Hiroyuki Matsushima, Yuki Mori, Akio Shima, and Noriyuki Iwamuro Jpn. J. Appl. Phys. 59 (2020) 104003
野口宗隆（三菱電機） Carrier transport properties in inversion layer of Si-face 4H–SiC MOSFET with nitrided oxide Munetaka Noguchi, Toshiaki Iwamatsu, Hiroyuki Amishiro, Hiroshi Watanabe, Naruhisa Miura, Koji Kita, and Satoshi Yamakawa Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) 031004
糟谷直孝（東京大学） High carrier density, electrostatic doping in organic single crystal semiconductors using electret polymers Naotaka Kasuya, Satoru Imaizumi, Sylvain Lectard, Hiroyuki Matsui, Shun Watanabe, and Jun Takeya Appl. Phys. Express 12 (2019) 071001

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
木本恒暢（京都大学）
渡部平司（大阪大学） 		Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices Tsunenobu Kimoto and Heiji Watanabe Appl. Phys. Express 13 (2020) 120101
岡徹（豊田合成） Recent development of vertical GaN power devices Tohru Oka Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) SB0805