第42回（2020年度）応用物理学会論文賞 受賞者

論文賞受賞を記念し，受賞論文を期間限定で公開しています．
対象：APEX/JJAP掲載のもの

（注）所属は論文投稿時のものです．

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
太田進也（東京大学）
松本啓岐（東京大学）
安藤陽（村田製作所）
関谷毅（大阪大学）
河野竜平（東京大学）
小山知弘（東京大学）
千葉大地（東京大学） 		CoFeB/MgO-based magnetic tunnel junction directly formed on a flexible substrate Shinya Ota, Masaki Ono, Hiroki Matsumoto, Akira Ando, Tsuyoshi Sekitani, Ryuhei Kohno, Shogo Iguchi, Tomohiro Koyama, and Daichi Chiba Appl. Phys. Express 12 (2019) 053001
張梓懿（旭化成）
久志本真希（名古屋大学）
酒井忠慶（名古屋大学）
杉山直治（名古屋大学）
Leo J. Schowalter（Crystal IS）
笹岡千秋（名古屋大学）
天野浩（名古屋大学） 		A 271.8 nm deep-ultraviolet laser diode for room temperature operation Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, and Hiroshi Amano Appl. Phys. Express 12 (2019) 124003
Atula S. D. Sandanayaka（九州大学）
松島敏則（九州大学）
Fatima Bencheikh（九州大学）
寺川しのぶ（九州大学）
William J. Potscavage Jr.（九州大学）
Chuanjiang Qin（九州大学）
藤原隆（九州先端研）
合志憲一（九州大学）
Jean-Charles Ribierre（九州大学）
安達千波矢（九州大学） 		Indication of current-injection lasing from an organic semiconductor Atula S. D. Sandanayaka, Toshinori Matsushima, Fatima Bencheikh, Shinobu Terakawa, William J. Potscavage, Jr., Chuanjiang Qin, Takashi Fujihara, Kenichi Goushi, Jean-Charles Ribierre, and Chihaya Adachi Appl. Phys. Express 12 (2019) 061010
葛西誠也（北海道大学）
一木輝久（名古屋大学）
田所幸浩（豊田中央研究所） 		Divergence of relative difference in Gaussian distribution function and stochastic resonance in a bistable system with frictionless state transition Seiya Kasai, Akihisa Ichiki, and Yukihiro Tadokoro Appl. Phys. Express 11 (2018) 037301
鹿嶋行雄（理化学研究所，丸文）
前田哲利（理化学研究所）
松浦恵里子（理化学研究所，丸文）
定昌史（理化学研究所）
岩井武（東京応化工業）
森田敏郎（東京応化工業）
小久保光典（東芝機械）
田代貴晴（東芝機械）
上村隆一郎（アルバック）
長田大和（アルバック）
髙木秀樹（産業技術総合研究所）
平山秀樹（理化学研究所） 		High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer Yukio Kashima, Noritoshi Maeda, Eriko Matsuura, Masafumi Jo, Takeshi Iwai, Toshiro Morita, Mitsunori Kokubo, Takaharu Tashiro, Ryuichiro Kamimura, Yamato Osada, Hideki Takagi, and Hideki Hirayama Appl. Phys. Express 11 (2018) 012101
今西正幸（大阪大学）
村上航介（大阪大学）
山田拓海（大阪大学）
垣之内啓介（大阪大学）
中村幸介（大阪大学）
北村智子（大阪大学）
奥村加奈子（大阪大学）
吉村政志（大阪大学）
森勇介（大阪大学） 		Promotion of lateral growth of GaN crystals on point seeds by extraction of substrates from melt in the Na-flux method Masayuki Imanishi, Kosuke Murakami, Takumi Yamada, Keisuke Kakinouchi, Kosuke Nakamura, Tomoko Kitamura, Kanako Okumura, Masashi Yoshimura, and Yusuke Mori Appl. Phys. Express 12 (2019) 045508
藤井慎太郎（東京工業大学）
石割文崇（東京工業大学）
小本祐貴（東京工業大学）
蘇李欣竹（東京工業大学）
山形悠斗（東京工業大学）
相場諒（東京工業大学）
西野智昭（東京工業大学）
福島孝典（東京工業大学） 		Control of molecular orientation in a single-molecule junction with a tripodal triptycene anchoring unit: toward a simple and facile single-molecule diode Shintaro Fujii, Fumitaka Ishiwari, Yuki Komoto, Lixinzhu Su, Yuto Yamagata, Atsuko Kosaka, Akira Aiba, Tomoaki Nishino, Takanori Fukushima, and Manabu Kiguchi Jpn. J. Appl. Phys. 58 (2019) 035003

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
林将平
（東レリサーチセンター
／産業技術総合研究所） 		Influence of basal-plane dislocation structures on expansion of single Shockley-type stacking faults in forward-current degradation of 4H-SiC p–i–n diodes Shohei Hayashi, Tamotsu Yamashita, Junji Senzaki, Masaki Miyazato, Mina Ryo, Masaaki Miyajima, Tomohisa Kato, Yoshiyuki Yonezawa, Kazutoshi Kojima, and Hajime Okumura Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 04FR07
髙橋崇典（奈良先端大） Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor Takanori Takahashi, Ryoko Miyanaga, Mami N. Fujii, Jun Tanaka, Kazushige Takechi, Hiroshi Tanabe, Juan Paolo Bermundo, Yasuaki Ishikawa, and Yukiharu Uraoka Appl. Phys. Express 12 (2019) 094007
大町遼（名古屋大学） Aqueous two-phase extraction of semiconducting single-wall carbon nanotubes with isomaltodextrin and thin-film transistor applications Haruka Omachi, Tomohiko Komuro, Kaisei Matsumoto, Minako Nakajima, Hikaru Watanabe, Jun Hirotani, Yutaka Ohno, and Hisanori Shinohara Appl. Phys. Express 12 (2019) 097003
西久保匠（東京工業大学） Optimized negative thermal expansion induced by gradual intermetallic charge transfer in Bi1−x Sbx NiO3 Takumi Nishikubo, Yuki Sakai, Kengo Oka, Masaichiro Mizumaki, Tetsu Watanuki, Akihiko Machida, Naoyuki Maejima, Shigenori Ueda, Takashi Mizokawa, and Masaki Azuma Appl. Phys. Express 11 (2018) 061102
嶋谷政彰（三菱電機） Enhanced photogating via pyroelectric effect induced by insulator layer for high-responsivity long-wavelength infrared graphene-based photodetectors operating at room temperature Masaaki Shimatani, Shinpei Ogawa, Shoichiro Fukushima, Satoshi Okuda, Yasushi Kanai, Takao Ono, and Kazuhiko Matsumoto Appl. Phys. Express 12 (2019) 025001

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
野村政宏（東京大学）
塩見淳一郎（東京大学）
志賀拓麿（東京大学）
Roman Anufriev（東京大学） 		Thermal phonon engineering by tailored nanostructures Masahiro Nomura, Junichiro Shiomi, Takuma Shiga, and Roman Anufriev Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 080101
Dany Lachance-Quirion（東京大学）
田渕豊（東京大学）
Arnaud Gloppe（東京大学）
宇佐見康二（東京大学）
中村泰信（東京大学） 		Hybrid quantum systems based on magnonics Dany Lachance-Quirion, Yutaka Tabuchi, Arnaud Gloppe, Koji Usami, and Yasunobu Nakamura Appl. Phys. Express 12 (2019) 070101
鳥海明（東京大学）
西村知紀（東京大学） 		Germanium CMOS potential from material and process perspectives: Be more positive about germanium Akira Toriumi and Tomonori Nishimura Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 010101