公益社団法人 応用物理学会

第41回(2019年度)応用物理学会論文賞 受賞者

論文賞受賞を記念し,受賞論文を期間限定で公開しています.
対象:APEX/JJAP掲載のもの

(注)所属は論文投稿時のものです.

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
平田瑛子(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
深沢正永(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
長畑和典(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
李虎(大阪大学)
唐橋一浩(大阪大学)
浜口智志(大阪大学)
辰巳哲也(ソニーセミコンダクタソリューションズ)
Cyclic etching of tin-doped indium oxide using hydrogen-induced modified layer Akiko Hirata, Masanaga Fukasawa, Kazunori Nagahata, Hu Li, Kazuhiro Karahashi, Satoshi Hamaguchi, and Tetsuya Tatsumi Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 06JB02
増田啓介(物質・材料研究機構)
三浦良雄(物質・材料研究機構)
First-principles study on magnetic tunneling junctions with semiconducting CuInSe2 and CuGaSe2 barriers Keisuke Masuda and Yoshio Miura Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 020306
岡崎雄馬(産業技術総合研究所)
中村秀司(産業技術総合研究所)
小野満恒二(NTT物性科学基礎研究所)
金子晋久(産業技術総合研究所)
Digital processing with single electrons for arbitrary waveform generation of current Yuma Okazaki, Shuji Nakamura, Koji Onomitsu, and Nobu-Hisa Kaneko Appl. Phys. Express 11 (2018) 036701
谷川智之(東北大学)
大西一生(東北大学)
加納聖也(日亜化学工業)
向井孝志(日亜化学工業)
松岡隆志(東北大学)
Three-dimensional imaging of threading dislocations in GaN crystals using two-photon excitation photoluminescence Tomoyuki Tanikawa, Kazuki Ohnishi, Masaya Kanoh, Takashi Mukai, and Takashi Matsuoka Appl. Phys. Express 11 (2018) 031004
長野重夫(情報通信研究機構)
熊谷基弘(情報通信研究機構)
伊東宏之(情報通信研究機構)
梶田雅稔(情報通信研究機構)
花土ゆう子(情報通信研究機構)
Phase-coherent transfer and retrieval of terahertz frequency standard over 20 km optical fiber with 4 × 10-18 accuracy Shigeo Nagano, Motohiro Kumagai, Hiroyuki Ito, Masatoshi Kajita, and Yuko Hanado Appl. Phys. Express 10 (2017) 012502
William A. Borders(東北大学)
秋間学尚(東北大学)
深見俊輔(東北大学)
守谷哲(東北大学)
栗原祥太(東北大学)
堀尾喜彦(東北大学)
佐藤茂雄(東北大学)
大野英男(東北大学)
Analogue spin–orbit torque device for artificial-neural-network-based associative memory operation William A. Borders, Hisanao Akima, Shunsuke Fukami, Satoshi Moriya, Shouta Kurihara, Yoshihiko Horio, Shigeo Sato, and Hideo Ohno Appl. Phys. Express 10 (2017) 013007

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
前田拓也(京都大学)
Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, and Jun Suda Appl. Phys. Express 10 (2017) 051002
中内大介(奈良先端科学技術大学院大学)
Luminescent and scintillation properties of Ce-doped Tb3Al5O12 crystal grown from Al-rich composition Daisuke Nakauchi, Go Okada, Naoki Kawano, Noriaki Kawaguchi, and Takayuki Yanagida Appl. Phys. Express 10 (2017) 072601
河合英輝(首都大学東京)
Thermoelectric properties of WS2 nanotube networks Hideki Kawai, Mitsunari Sugahara, Ryotaro Okada, Yutaka Maniwa, Yohei Yomogida, and Kazuhiro Yanagi Appl. Phys. Express 10 (2017) 015001
向山広記(物質・材料研究機構)
High output voltage of magnetic tunnel junctions with a Cu(In0.8Ga0.2)Se2 semiconducting barrier with a low resistance–area product Koki Mukaiyama, Shinya Kasai, Yukiko K. Takahashi, Kouta Kondou, Yoshichika Otani, Seiji Mitani, and Kazuhiro Hono Appl. Phys. Express 10 (2017) 013008
小久保信彦(名古屋大学) Determination of edge-component Burgers vector of threading dislocations in GaN crystal by using Raman mapping Nobuhiko Kokubo, Yosuke Tsunooka, Fumihiro Fujie, Junji Ohara, Shoichi Onda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, Shunta Harada, Miho Tagawa, and Toru Ujihara Appl. Phys. Express 11 (2018) 111001

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
金光義彦(京都大学)
半田岳人(京都大学)
Photophysics of metal halide perovskites: From materials to devices Yoshihiko Kanemitsu and Taketo Handa Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 090101
大場史康(東京工業大学)
熊谷悠(東京工業大学)
Design and exploration of semiconductors from first principles: A review of recent advances Fumiyasu Oba and Yu Kumagai Appl. Phys. Express 11 (2018) 060101