第40回（2018年度）応用物理学会論文賞 受賞者

（注）所属は論文投稿時のものです．

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
山田道洋（大阪大学）
塚原誠人（大阪大学）
藤田裕一（大阪大学）
内藤貴大（大阪大学）
山田晋也（大阪大学）
澤野憲太郎（東京都市大学）
浜屋宏平（大阪大学）		 Room-temperature spin transport in n-Ge probed by four-terminal nonlocal measurements Michihiro Yamada, Makoto Tsukahara, Yuichi Fujita, Takahiro Naito, Shinya Yamada, Kentarou Sawano, and Kohei Hamaya Appl. Phys. Express 10 (2017) 093001
Sriram Krishnamoorthy (Ohio State University)
Zhanbo Xia (Ohio State University)
Sanyam Bajaj (Ohio State University)
Siddharth Rajan (Ohio State University)		 Delta-doped β-gallium oxide field-effect transistor Sriram Krishnamoorthy, Zhanbo Xia, Sanyam Bajaj, Mark Brenner, and Siddharth Rajan Appl. Phys. Express 10 (2017) 051102
谷和樹（PETRA, PECST, 日立製作所）
斎藤慎一（PETRA）
小田克矢（PETRA, PECST, 日立製作所）
三浦真（PETRA, PECST, 日立製作所）
若山雄貴（日立製作所）
奥村忠嗣（PETRA, PECST, 日立製作所）
峰利之（日立製作所）
井戸立身（PETRA, PECST, 日立製作所）		 Room-temperature direct band-gap electroluminescence from germanium (111)-fin light-emitting diodes Kazuki Tani, Shin-ichi Saito, Katsuya Oda, Makoto Miura, Yuki Wakayama, Tadashi Okumura, Toshiyuki Mine, and Tatemi Ido Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 032102
藤倉序章（サイオクス）
今野泰一郎（サイオクス）
吉田丈洋（サイオクス）
堀切文正（サイオクス）		 Hydride-vapor-phase epitaxial growth of highly pure GaN layers with smooth as-grown surfaces on freestanding GaN substrates Hajime Fujikura, Taichiro Konno, Takehiro Yoshida, and Fumimasa Horikiri Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 085503
熊谷慎也（豊田工業大学）
Chun-Yao Chang（豊田工業大学）
Jonghyeon Jeong（豊田工業大学）
小林未明（奈良先端科学技術大学院大学）
清水鉄司（terraplasma GmbH）
佐々木実（豊田工業大学）		 Development of plasma-on-chip: Plasma treatment for individual cells cultured in media Shinya Kumagai, Chun-Yao Chang, Jonghyeon Jeong, Mime Kobayashi, Tetsuji Shimizu, and Minoru Sasaki Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 01AF01
西村知紀（東京大学）
矢嶋赳彬（東京大学）
鳥海明（東京大学）		 Reexamination of Fermi level pinning for controlling Schottky barrier height at metal/Ge interface Tomonori Nishimura, Takeaki Yajima, and Akira Toriumi Appl. Phys. Express 9 (2016) 081201
野上真（北陸先端科学技術大学院大学）
笹原亮（北陸先端科学技術大学院大学）
新井豊子（金沢大学）
富取正彦（北陸先端科学技術大学院大学）		 Atomic-scale electric capacitive change detected with a charge amplifier installed in a non-contact atomic force microscope Makoto Nogami, Akira Sasahara, Toyoko Arai, and Masahiko Tomitori Appl. Phys. Express 9 (2016) 046601

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
河野直樹（東北大学） Effect of organic moieties on the scintillation properties of organic–inorganic layered perovskite-type compounds Naoki Kawano, Masanori Koshimizu, Akiyoshi Horiai, Fumihiko Nishikido, Rie Haruki, Shunji Kishimoto, Kengo Shibuya, Yutaka Fujimoto, Takayuki Yanagida, and Keisuke Asai Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 110309
佐々木渉太（東北大学） Roles of charged particles and reactive species on cell membrane permeabilization induced by atmospheric-pressure plasma irradiation Shota Sasaki, Makoto Kanzaki, Yutaro Hokari, Kanako Tominami, Takayuki Mokudai, Hiroyasu Kanetaka, and Toshiro Kaneko Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 07LG04
前川猛（東京工業大学） Oscillation up to 1.92 THz in resonant tunneling diode by reduced conduction loss Takeru Maekawa, Hidetoshi Kanaya, Safumi Suzuki, and Masahiro Asada Appl. Phys. Express 9 (2016) 024101
戴光輝（ソーラーフロンティア） From 20.9 to 22.3% Cu(In,Ga)(S,Se)2 solar cell: Reduced recombination rate at the heterojunction and the depletion region due to K-treatment Kong Fai Tai, Rui Kamada, Takeshi Yagioka, Takuya Kato, and Hiroki Sugimoto Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 08MC03

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
阿部英介（慶應義塾大学）
伊藤公平（慶應義塾大学）		 固体量子情報デバイスの現状と将来展望　万能ディジタル量子コンピュータの実現に向けて 阿部英介，伊藤公平 応用物理　第86巻　第6号 (2017) pp.453-466
長康雄（東北大学） High resolution characterizations of fine structure of semiconductor device and material using scanning nonlinear dielectric microscopy Yasuo Cho Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 100101