第38回（2016年度）応用物理学会論文賞 受賞者

応用物理学会優秀論文賞

受賞者受賞対象論文
土屋敏章（島根大学）
小野行徳（富山大学） 		Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method Toshiaki Tsuchiya1, Yukinori Ono2 Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 04DC01
鎌田善己（東芝）
小池正浩（東芝）
黒澤昌志（名古屋大学）
太田裕之（産業技術総合研究所）
中塚理（名古屋大学）
財満鎭明（名古屋大学）
手塚勉（東芝） 		Operation of inverter and ring oscillator of ultrathin-body poly-Ge CMOS Yoshiki Kamata1, Masahiro Koike1, Etsuo Kurosawa1, Masashi Kurosawa2, Hiroyuki Ota1, Osamu Nakatsuka2, Shigeaki Zaima2, Tsutomu Tezuka1 Appl. Phys. Express 7 (2014) 121302
塩谷広樹（東京大学）
庄子良晃（東京工業大学）
清木規矢（東京工業大学）
中野匡規（東京大学）
福島孝典（東京工業大学）
岩佐義宏（東京大学） 		Raising the metal–insulator transition temperature of VO2 thin films by surface adsorption of organic polar molecules Hiroki Shioya1, Yoshiaki Shoji2, Noriya Seiki2, Masaki Nakano1, Takanori Fukushima2, Yoshihiro Iwasa1,3 Appl. Phys. Express 8 (2015) 121101
福島章雄（産業技術総合研究所）
関貴之（産業技術総合研究所）
薬師寺啓（産業技術総合研究所）
久保田均（産業技術総合研究所）
今村裕志（産業技術総合研究所）
湯浅新治（産業技術総合研究所）
安藤功兒（産業技術総合研究所） 		Spin dice: A scalable truly random number generator based on spintronics Akio Fukushima, Takayuki Seki, Kay Yakushiji, Hitoshi Kubota, Hiroshi Imamura, Shinji Yuasa, Koji Ando Appl. Phys. Express 7 (2014) 083001
福井貴大（大阪大学）
土井悠生（大阪大学）
宮崎剛英（産業技術総合研究所）
宮本良之（産業技術総合研究所）
加藤宙光（産業技術総合研究所）
松本翼（産業技術総合研究所）
牧野俊晴（産業技術総合研究所）
山崎聡（産業技術総合研究所）
徳田規夫（金沢大学）
波多野睦子（東京工業大学）
坂川優希（大阪大学）
森下弘樹（大阪大学）
田嶌俊之（大阪大学）
三輪真嗣（大阪大学）
鈴木義茂（大阪大学）
水落憲和（大阪大学） 		Perfect selective alignment of nitrogen-vacancy centers in diamond Takahiro Fukui1, Yuki Doi1, Takehide Miyazaki2, Yoshiyuki Miyamoto2, Hiromitsu Kato3,4, Tsubasa Matsumoto3,4, Toshiharu Makino3,4, Satoshi Yamasaki3,4, Ryusuke Morimoto5, Norio Tokuda5, Mutsuko Hatano4,6, Yuki Sakagawa1, Hiroki Morishita1,4, Toshiyuki Tashima1,4, Shinji Miwa1,4, Yoshishige Suzuki1,4, Norikazu Mizuochi1,4 Appl. Phys. Express 7 (2014) 055201
谷田部然治（北海道大学）
堀祐臣（北海道大学）
Joel T. Asubar（北海道大学）
赤澤正道（北海道大学）
佐藤威友（北海道大学）
橋詰保（北海道大学） 		Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors Zenji Yatabe1,2, Yujin Hori1, Wan-Cheng Ma1, Joel T. Asubar1,2, Masamichi Akazawa1, Taketomo Sato1, Tamotsu Hashizume1,2 Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 100213
石谷善博（千葉大学） Carrier dynamics and related electronic band properties of InN films Yoshihiro Ishitani Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 100204

応用物理学会論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
高橋勲（名古屋大学） Seed manipulation for artificially controlled defect technique in new growth method for quasi-monocrystalline Si ingot based on casting Isao Takahashi, Supawan Joonwichien, Taisho Iwata, Noritaka Usami Appl. Phys. Express 8 (2015) 105501
大久保章（産業技術総合研究所）
岩國加奈（慶應義塾大学） 		Ultra-broadband dual-comb spectroscopy across 1.0-1.9 µm Sho Okubo1,3, Kana Iwakuni1,2,3, Hajime Inaba1,3, Kazumoto Hosaka1,3, Atsushi Onae1,3, Hiroyuki Sasada2,3, Feng-Lei Hong1,3 Appl. Phys. Express 8 (2015) 082402
日比野有岐（東京大学） Electric field modulation of magnetic anisotropy in perpendicularly magnetized Pt/Co structure with a Pd top layer Yuki Hibino1, Tomohiro Koyama1, Aya Obinata1, Kazumoto Miwa2, Shimpei Ono2, Daichi Chiba1 Appl. Phys. Express 8 (2015) 113002
Pierre-Alix Carles（NTT物性科学基礎研究所） Deviation from the law of energy equipartition in a small dynamic-random-access memory Pierre-Alix Carles, Katsuhiko Nishiguchi and Akira Fujiwara Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 06FG03

応用物理学会解説論文賞

受賞者受賞対象論文
木本恒暢（京都大学） Material science and device physics in SiC technology for high-voltage power devices Tsunenobu Kimoto Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 040103
西永頌（東京大学名誉教授） Progress in art and science of crystal growth and its impacts on modern society Tatau Nishinaga Jpn. J. Appl. Phys. 54 (2015) 050101
岩佐義宏（東京大学）
下谷秀和（東北大学） 		融合学理イオントロニクス 岩佐義宏1, 下谷秀和2 応用物理 第84巻 第4号 (2015）pp.306-318

（注）所属は論文投稿時のものです．