第33回(2011年度)応用物理学会論文賞 受賞者
応用物理学会優秀論文賞
受賞者 | 受賞対象論文 |
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三谷昌弘(ALTEDEC) 遠藤尚彦(ALTEDEC) 坪井眞三(ALTEDEC) 岡田隆史(ALTEDEC) 河内玄士朗(ALTEDEC) 松村正清(ALTEDEC) |
Relationship between Thin-Film Transistor Characteristics and Crystallographic Orientation in Excimer-Laser-Processed Pseudo-Single-Crystal-Silicon Films Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 124001 |
李 大成(京大) 酒井 道(京大) 橘 邦英(京大) |
Microplasma-Induced Deformation of an Anomalous Response Spectrum of Electromagnetic Waves Propagating along Periodically Perforated Metal Plates Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 062004 |
近藤大雄(富士通研,富士通,JST) 佐藤信太郎(富士通研,富士通,JST) 八木克典(富士通研) 原田直樹(富士通研) 佐藤元伸(富士通研,富士通,JST) 二瓶瑞久(富士通研,富士通,JST) 横山直樹(富士通研) |
Low-Temperature Synthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistors without Using Transfer Processes Appl. Phys. Express 3 (2010) 025102 |
Scott D. Findlay(東大) 齋藤智浩(JFCC) 柴田直哉(東大,JST) 佐藤幸生(東大) 松田潤子(産総研) 浅野耕太(産総研) 秋葉悦男(産総研) 平山 司(JFCC) 幾原雄一(東大,JFCC,東北大) |
Direct Imaging of Hydrogen within a Crystalline Environment Appl. Phys. Express 3 (2010) 116603 |
長汐晃輔(東大) 西村知紀(東大) 喜多浩之(東大) 鳥海 明(東大) |
Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Multilayer Graphene Field-Effect Transistor Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 051304 |
江利口浩二(京大) 中久保義則(京大) 松田朝彦(京大) 鷹尾祥典(京大) 斧 高一(京大) |
Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 056203 |
応用物理学会論文奨励賞
受賞者 | 受賞対象論文 |
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安藤崇志(阪大) | Low Threshold Voltage and High Mobility N-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Hf–Si/HfO2Gate Stack Fabricated by Gate-Last Process Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 016502 |
矢田慎介(東大) | Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1-xMnxGrown on Ge(111) Appl. Phys. Express 3 (2010) 123002 |
山端元音(東工大) | Control of Inter-Dot Electrostatic Coupling by a Side Gate in a Silicon Double Quantum Dot Operating at 4.5 K Appl. Phys. Express 2 (2009) 095002 |
日吉 透(京大) | Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment Appl. Phys. Express 2 (2009) 091101 |
正井博和(東北大) | High Photoluminescent Property of Low-Melting Sn-Doped Phosphate Glass Appl. Phys. Express 3 (2010) 082102 |
角柳孝輔(NTT物性基礎研) | Generation of Non-Classical Microwave Photon States in an Inductor–Capacitor Resonator Coupled to a Superconducting Flux Qubit Appl. Phys. Express 3 (2010) 103101 |
片瀬貴義(東工大応セラ研) | High Critical Current Density 4MA/cm2 in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La,Sr)(Al,Ta)O3 Substrates without Buffer Layers Appl. Phys. Express 3 (2010) 063101 |
井上隼一(東工大) | Self Contact Organic Transistors Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 071605 |
応用物理学会解説論文賞
受賞者 | 受賞対象論文 |
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高野義彦(物材機構) | 新しい鉄系超伝導物質の構造と物性 応用物理 第79 巻第1号 (2010) pp. 20-24 |
伊藤弘昌(理研) | テラヘルツ波光源:レーザーとメーザーの境界 応用物理 第79 巻第6号 (2010) pp. 524-529 |
(注)所属は論文投稿時のものです.