公益社団法人 応用物理学会

第27回(2005年度)応用物理学会論文賞 受賞者

JJAP論文賞

受賞者受賞対象論文
村越尊雄(トキメック)
遠藤康男(トキメック)
深津恵輔(トキメック)
中村茂(トキメック)
江刺正喜(東北大)
Electrostatically Levitated Ring-Shaped Rotational-Gyro/Accelerometer Takao MURAKOSHI, Yasuo ENDO, Keisuke FUKATSU, Sigeru NAKAMURA and Masayoshi ESASHI Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42 (2003) pp.2468-2472, Part 1, No.4B, April 2003
中村孝夫(住友電工)
藤原伸介(住友電工)
森大樹(住友電工)
片山浩二(住友電工)
Novel Cladding Structure for ZnSe-based White Light Emitting Diodes with Longer Lifetimes of over 10,000 h Takao NAKAMURA, Shinsuke FUJIWARA, Hiroki MORI and Koji KATAYAMA Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.1287-1292, Part 2, No.4A
湯浅新治(産総研)
福島章雄(産総研)
長浜太郎(産総研)
安藤功兒(産総研)
鈴木義茂(阪大院)
High Tunnel Magnetoresistance at Room Temperature in Fully Epitaxial Fe/MgO/Fe Tunnel Junctions due to Coherent Spin-Polarized Tunneling Shinji YUASA, Akio FUKUSHIMA, Taro NAGAHAMA, Koji ANDO and Yoshishige SUZUKI Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L588-L590, Part 2, No.4B
Wenhong Sun(University of South Carolina)
Vinod Adivarahan(University of South Carolina)
Maxim Shatalov(University of South Carolina)
Shuai Wu(University of South Carolina)
M. Asif Khan(University of South Carolina)
Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm Wenhong SUN, Vinod ADIVARAHAN, Maxim SHATALOV, Youngbae LEE, Shuai WU, Jinwei YANG, Jianping ZHANG and M. Asif KHAN Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1419-L1421, Part 2, No.11A
安藤正海(高エネルギー加速研)
杉山弘(高エネルギー加速研)
国定俊之(岡山大院医歯学)
島雄大介(総合研究大学院大)
武田健 (岡山大院医歯学)
橋詰博行(岡山大院医歯学)
井上一(岡山大院医歯学)
Construction of X-ray Dark-Field Imaging with a View Size of 80 mm Square and First Visualization of Human Articular Cartilage of Femoral Head under a Nearly Clinical Condition Masami ANDO, Hiroshi SUGIYAMA, Toshiyuki KUNISADA, Daisuke SHIMAO, Ken TAKEDA, Hiroyuki HASHIZUME and Hajime INOUE Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1175-L1177, Part 2, No.9A/B

JJAP論文奨励賞

受賞者受賞対象論文
清水大雅(東大先端研) First Demonstration of TE Mode Nonreciprocal Propagation in an InGaAsP/InP Active Waveguide for an Integratable Optical Isolator Hiromasa SHIMIZU and Yoshiaki NAKANO Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L1561-L1563, Part 2, No.12A
大島祐一(日立電線) Preparation of Freestanding GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy with Void-Assisted Separation Yuichi OSHIMA, Takeshi ERI, Masatomo SHIBATA, Haruo SUNAKAWA, Kenji KOBAYASHI, Toshinari ICHIHASHI and Akira USUI Jpn. J. Appl. Phys. Vol.42 (2003) pp.L1-L3, Part 2, No.1A/B, 15 January 2003
齋藤真澄(東大) Room-Temperature Observation of Negative Differential Conductance Due to Large Quantum Level Spacing in Silicon Single-Electron Transistor Masumi SAITOH and Toshiro HIRAMOTO Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L210-L213, Part 2, No.2A
東脇正高(情報通信研究機構) InAlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy Masataka HIGASHIWAKI and Toshiaki MATSUI Jpn. J. Appl. Phys. Vol.43 (2004) pp.L768-L770, Part 2, No.6B

解説論文賞

受賞者受賞対象論文
名西憓之(立命館大理工)
荒木努(立命館大理工)
宮嶋孝夫(ソニーコアテクノロジー)
InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価 応用物理 Vol.72 (2003) No.5 pp.565-571 解説
山本喜久(スタンフォード大) 量子情報システムのための単一光子 応用物理 Vol.72 (2003) No.2 pp.146-156 総合報告
粟野祐二(富士通研) カーボンナノチューブの電子デバイス応用 応用物理 Vol.73 (2004) No.9 pp.1212-1215 研究紹介

(注)御所属は論文投稿時のものです.