公益社団法人 応用物理学会

第21回(1999年度)応用物理学会賞 受賞者

学会賞A(論文賞)

受賞者受賞対象論文
碓井 彰(NEC光エレ研)
砂川 晴夫(NEC光エレ研)
酒井 朗(NEC基礎研)
山口 敦史(NEC基礎研)
Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy Akira Usui, Haruo Sunakawa, Akira Sasaki, Atsushi Yamaguchi Jpn. J. Appl. Phys. Vol.36 (1997) Pt.2 No.7B pp.L899-L902
逸見 学(NTTシステムエレ研)
植木 武美(NTTエレクトロニクス)
渡邊 正樹(NTTエレクトロニクス)
籔本 周邦(NTTアドバンステクノロジ)
Gate Oxide Defects in MOSLSIs and Octahedral Void Defects in Czochralski Silicon Manabu Itsumi, Takemi Ueki, Masaki Watanabe, Norikuni Yabumoto Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1228-1235

学会賞B(奨励賞)

受賞者受賞対象論文
藤井 彰彦(阪大工) Polymer Electroluminescent Diodes with Ring Microcavity Structure Akihiko Fujii, Sergey V. Frolov, Z.Valy Vardeny, Katsumi Yoshino Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) pt.2 No.6B pp.L740-L742
浅野 卓(京大工) Relaxation Time of Short Wavelength Intersubband Transition in InGaAs/AlAs Quantum Wells Takashi Asano, Susumu Noda Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.11 pp.6020-6024
白樫 淳一(電総研) Room Temperature Nb-Based Single-Electron Transistors Jun-ichi Shirakashi, Kazuhiko Matsumoto, Naruhisa Miura, Makoto Konagai Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1594-1598

学会賞C(会誌賞)

受賞者受賞対象論文
和田 修(フェムト秒テクノロジー研究機構) フェムト秒光半導体デバイスの研究動向−超高速全光スイッチングデバイスとその応用− 応用物理 Vol.67 (1998) No.5 pp.530-536 解説
飯島 康裕(フジクラ) 気相法によるイットリウム系超伝導線材の開発 応用物理 Vol.66 (1997) No.4 pp.339-344 解説

御所属は受賞論文執筆当時のものです.