第21回(1999年度)応用物理学会賞 受賞者
学会賞A(論文賞)
受賞者 | 受賞対象論文 |
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碓井 彰(NEC光エレ研) 砂川 晴夫(NEC光エレ研) 酒井 朗(NEC基礎研) 山口 敦史(NEC基礎研) |
Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy Jpn. J. Appl. Phys. Vol.36 (1997) Pt.2 No.7B pp.L899-L902 |
逸見 学(NTTシステムエレ研) 植木 武美(NTTエレクトロニクス) 渡邊 正樹(NTTエレクトロニクス) 籔本 周邦(NTTアドバンステクノロジ) |
Gate Oxide Defects in MOSLSIs and Octahedral Void Defects in Czochralski Silicon Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1228-1235 |
学会賞B(奨励賞)
受賞者 | 受賞対象論文 |
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藤井 彰彦(阪大工) | Polymer Electroluminescent Diodes with Ring Microcavity Structure Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) pt.2 No.6B pp.L740-L742 |
浅野 卓(京大工) | Relaxation Time of Short Wavelength Intersubband Transition in InGaAs/AlAs Quantum Wells Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.11 pp.6020-6024 |
白樫 淳一(電総研) | Room Temperature Nb-Based Single-Electron Transistors Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1594-1598 |
学会賞C(会誌賞)
受賞者 | 受賞対象論文 |
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和田 修(フェムト秒テクノロジー研究機構) | フェムト秒光半導体デバイスの研究動向−超高速全光スイッチングデバイスとその応用− 応用物理 Vol.67 (1998) No.5 pp.530-536 解説 |
飯島 康裕(フジクラ) | 気相法によるイットリウム系超伝導線材の開発 応用物理 Vol.66 (1997) No.4 pp.339-344 解説 |
御所属は受賞論文執筆当時のものです.