第21回（1999年度）応用物理学会賞 受賞者
学会賞A（論文賞）
| 受賞者 | 受賞対象論文 |
|---|---|
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碓井 彰（NEC光エレ研） 砂川 晴夫（NEC光エレ研） 酒井 朗（NEC基礎研） 山口 敦史（NEC基礎研） |
Thick GaN Epitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy Jpn. J. Appl. Phys. Vol.36 (1997) Pt.2 No.7B pp.L899-L902 |
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逸見 学（NTTシステムエレ研） 植木 武美（NTTエレクトロニクス） 渡邊 正樹（NTTエレクトロニクス） 籔本 周邦（NTTアドバンステクノロジ） |
Gate Oxide Defects in MOSLSIs and Octahedral Void Defects in Czochralski Silicon Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1228-1235 |
学会賞B（奨励賞）
| 受賞者 | 受賞対象論文 |
|---|---|
| 藤井 彰彦（阪大工） | Polymer Electroluminescent Diodes with Ring Microcavity Structure Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) pt.2 No.6B pp.L740-L742 |
| 浅野 卓（京大工） | Relaxation Time of Short Wavelength Intersubband Transition in InGaAs/AlAs Quantum Wells Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.11 pp.6020-6024 |
| 白樫 淳一（電総研） | Room Temperature Nb-Based Single-Electron Transistors Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37 (1998) Pt.1 No.3B pp.1594-1598 |
学会賞C（会誌賞）
| 受賞者 | 受賞対象論文 |
|---|---|
| 和田 修（フェムト秒テクノロジー研究機構） | フェムト秒光半導体デバイスの研究動向−超高速全光スイッチングデバイスとその応用− 応用物理 Vol.67 (1998) No.5 pp.530-536 解説 |
| 飯島 康裕（フジクラ） | 気相法によるイットリウム系超伝導線材の開発 応用物理 Vol.66 (1997) No.4 pp.339-344 解説 |
御所属は受賞論文執筆当時のものです．