応物セミナー「パワー半導体」

開催概要

日時：

2024年6月28日(金)　13:30～16:30

場所：

応物会館3階会議室（東京都文京区）＋オンライン（ハイブリッド開催）

講師：

岩室憲幸（筑波大学）

内容：

パワー半導体デバイスの最新動向と今後の展開

脱炭素社会実現のために高性能パワーエレクトロニクス（パワエレ）装置の実現が望まれている．このパワエレ装置の性能を決める基幹部品であるパワー半導体デバイスでは，新材料SiC/GaNデバイスの普及が期待されているが，現状では，IGBTをはじめとしたシリコンパワー半導体デバイスが主役に君臨しており，今後しばらくはシリコンパワー半導体デバイスの時代が続くともいわれている．これはとりもなおさず，SiC/GaNデバイスの性能，信頼性，さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる．最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイス開発技術の現状と今後の動向について，わかりやすく，かつ丁寧に解説する．

【目次】
１．はじめに
　1) パワー半導体デバイスの現状
　2) 次世代パワー半導体デバイス開発の位置づけ
２．MOSFETとIGBT
　1) シリコンMOSFET
　2) シリコンIGBT
　3) MOSFET, IGBTの最新技術
３．新材料パワー半導体デバイス
　1) SiCパワー半導体デバイスの現状と課題
　2) GaNパワー半導体デバイスの現状と課題
４．実装技術の進展

受講料（消費税込み）

社会人（応物個人会員）：

5,000円

社会人（非会員）：

10,000円

学生（応物個人会員）：

1,000円

学生（非会員）：

3,000円

※ オンデマンド配信期限：2024年9月30日(月)

参加申込

申込は締め切りました

講師略歴

岩室憲幸（筑波大学）

1984年　早稲田大学理工学部電気工学科卒，
1998年　博士（工学）　早稲田大学．
1984年　富士電機株式会社入社．シリコンIGBTならびにSiCパワー半導体デバイスの研究開発・製品化に従事．
1992～93年　米国ノースカロライナ州立大学　客員研究員．
2009～2013年　産業技術総合研究所．
2013年4月〜　筑波大学数理物質系教授，現在に至る．

お問い合わせ先

応用物理学会事務局　人材育成・教育企画担当
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