パワー半導体セミナー パワー半導体デバイスの最新動向と今後の展開

開催概要

日時:
2024年6月28日(金) 13:30~16:30
場所:
応物会館3階会議室(東京都文京区)+オンライン(ハイブリッド開催)
講師:
岩室憲幸(筑波大学)
内容:
パワー半導体デバイスの最新動向と今後の展開

脱炭素社会実現のために高性能パワーエレクトロニクス(パワエレ)装置の実現が望まれている.このパワエレ装置の性能を決める基幹部品であるパワー半導体デバイスでは,新材料SiC/GaNデバイスの普及が期待されているが,現状では,IGBTをはじめとしたシリコンパワー半導体デバイスが主役に君臨しており,今後しばらくはシリコンパワー半導体デバイスの時代が続くともいわれている.これはとりもなおさず,SiC/GaNデバイスの性能,信頼性,さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる.最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNパワー半導体デバイス開発技術の現状と今後の動向について,わかりやすく,かつ丁寧に解説する.

【目次】
1.はじめに
 1) パワー半導体デバイスの現状
 2) 次世代パワー半導体デバイス開発の位置づけ
2.MOSFETとIGBT
 1) シリコンMOSFET
 2) シリコンIGBT
 3) MOSFET, IGBTの最新技術
3.新材料パワー半導体デバイス
 1) SiCパワー半導体デバイスの現状と課題
 2) GaNパワー半導体デバイスの現状と課題
4.実装技術の進展

受講料(消費税込み)

社会人(会員):
5,000円
社会人(非会員):
10,000円
学生(会員):
1,000円
学生(非会員):
3,000円

参加申込(リンク先:決済サイト(イベントペイ))

パワー半導体セミナー申込

申込締切:2024年6月21日(金) 正午

講師略歴

岩室憲幸(筑波大学)

1984年 早稲田大学理工学部電気工学科卒,
1998年 博士(工学) 早稲田大学.
1984年 富士電機株式会社入社.シリコンIGBTならびにSiCパワー半導体デバイスの研究開発・製品化に従事.
1992~93年 米国ノースカロライナ州立大学 客員研究員.
2009~2013年 産業技術総合研究所.
2013年4月〜 筑波大学数理物質系教授,現在に至る.

お問い合わせ先

応用物理学会事務局 人材育成・教育企画担当
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