半導体セミナー

開催概要

第1回半導体セミナー(終了/オンデマンド配信中)

日時:
2023年9月21日(木) 9:00~12:00
場所:
熊本市国際交流会館C601(熊本県熊本市)とオンライン(ハイブリッド開催)
講師:
高木信一(東京大学)
内容:
半導体デバイスの基礎① ~デバイスの機能を生み出す半導体の性質

デバイス動作の本質は,入力電圧のわずかな変化を大きな電流変化に変換することである.どうすればこのような機能を実現できるのか?これについて,半導体物性の基礎を学部のレベルに立ち戻って解説し,半導体の基本的性質をわかりやすく説明する.半導体の結晶中では,電子はその波動的性質が強く現れるが,これを古典的な粒子として近似する過程を通して,有効質量,移動度,電位障壁等の概念が導かれる.これらを用いてトランジスタ動作を理解するための準備を行う.またデバイスの基本構造であるPN接合や金属-半導体接合についても述べる.

【目次】
1.デバイスの概念とは
2.結晶中の電子の振る舞い
3.半導体中の電子とホール
4.PN接合
5.金属と半導体の接合

第2回半導体セミナー(終了/オンデマンド配信中)

日時:
2023年11月17日(金) 13:00~16:00
場所:
応物会館3階会議室(東京都文京区)+オンライン(ハイブリッド開催)
講師:
高木信一(東京大学)
内容:
半導体デバイスの基礎② ~デバイスの動作原理と特性

デバイスの機能は,電位障壁の高さを外部から加えた電圧信号で変化させることで生み出される.信号電圧を障壁部の半導体に直接電線を接続して供給し,その高さを変化させるのがバイポーラトランジスタ.これに対し直接ではなく,コンデンサーを介して間接的に供給して変化させるのがMOSトランジスタである.これらのデバイスの動作原理・特性について解説する.

【目次】
6.デバイス機能を生み出す基本構造
7.バイポーラトランジスタ
8.MOSトランジスタ
  — MOSトランジスタの動作原理
  — MOS構造の解析
  — 電流電圧特性

第3回半導体セミナー(終了/オンデマンド配信中)

日時:
2023年12月22日(金) 13:00~16:00
場所:
応物会館3階会議室(東京都文京区)+オンライン(ハイブリッド開催)
講師:
平本俊郎(東京大学)
内容:
半導体デバイスの最新動向

高木信一先生の「半導体デバイスの基礎」につづいて,実際に大規模集積回路で用いられている先端ロジック半導体デバイスの技術動向と将来展望について概説する.

【目次】
1.半導体をめぐる世界の状況
2.デバイス微細化のトレンド
3.半導体ロードマップ
4.3Dへ
5.Beyond CMOSについて
6.まとめ

受講料(消費税込み,会員・非会員・学生等の区分はありません)

第1回~第3回半導体セミナー視聴およびテキスト
12,000円
第1回~第3回半導体セミナー通し券
12,000円
第1回半導体セミナー
3,000円 ※初回特別価格
第2回半導体セミナー
5,000円
第3回半導体セミナー
5,000円

※ オンデマンド配信期限:2024年6月30日(日)
※ 半導体セミナーの視聴およびテキストの販売は全3回のみとし,各回ごとの販売はいたしません.

参加申込(リンク先:決済サイト(イベントペイ))

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申込締切:
2024年6月30日(日)

講師略歴

高木信一(東京大学)

1982年東京大学工学部・電子工学科卒,1987年東京大学大学院・工学系研究科・博士課程修了,工学博士を取得.同年株式会社東芝・総合研究所入所.1993年~1995年の間,スタンフォード大学訪問研究員.2001年~2008年の間,半導体MIRAIプロジェクト新構造トランジスタ及び計測解析技術グループリーダーを兼務.2003年より,東京大学・工学系研究科電子工学専攻・教授,現在に至る.応用物理学会フェロー.

平本俊郎(東京大学)

1989年東京大学大学院工学系研究科博士課程修了.1989年 (株) 日立製作所デバイス開発センタ入社.1994年東京大学生産技術研究所.2002年東京大学生産技術研究所教授,現在に至る.2022年から応用物理学会会長.2022年からLSTCデバイス技術開発部門長.

お問い合わせ先

応用物理学会事務局 人材育成・教育企画担当
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