第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞） 受賞者

化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）表彰委員会
委員長　後藤俊夫

化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）は，赤﨑勇氏が2009年京都賞を受賞された際の賞金の一部を基金として設立されました．本賞は，化合物半導体エレクトロニクス分野において新しい技術の開発，発明，新原理の発見，または卓越した実証システムの構築等において顕著な業績をあげた方一名または一件に対して顕彰いたします．

今年度の機関誌「応用物理」による公募に対して推薦のあった候補者2名に，前年度及び前々年度推薦のあった候補者を含めた合計5名を選考対象者として，2012年11月開催の表彰委員会において慎重な審議をおこなった結果，佐々木昭夫氏を第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）の受賞者に決定いたしました．

受賞者

佐々木 昭夫 氏（京都大学名誉教授・大阪電気通信大学名誉教授）

業績

Ⅲ-Ⅴ族半導体における規則性，不規則性の究明とその応用に関する研究

佐々木昭夫氏は，As系及びP系化合物半導体によるガンダイオード，FETなどの高周波素子や，LEDやLDなどの発光素子の開発が盛んであった1970年〜1980年代，これらの素子を構成する混晶半導体における原子配列及び物性の理解の重要性をいち早く指摘し，当該分野の学術基盤を築いた業績は極めて先駆的，且つ独創的です．また，不規則超格子の提唱やGaAs上InAs量子ドットの提唱は，当該分野の研究者に多大な影響を与えました．

また佐々木氏は，関連研究者を束ねた研究を統括し，電子材料としての基礎研究とデバイス応用研究を推進してきました．佐々木氏をリーダーとする研究グループより「混晶半導体」という名前が提案され，現在の標準用語となっているほか，多くの研究者が育っています．また，文部科学省科研費の総合研究の成果発表会は混晶エレクトロニクスシンポジウムを経て，電子材料シンポジウムに発展しました．このシンポジウムには，当初から大学と企業の若手研究者が参加し，将来有望な若手研究者の登竜門として，日本を代表する専門家会議に発展してきました．

以上の理由により，佐々木昭夫氏は第3回化合物半導体エレクトロニクス業績賞に最もふさわしい人物であると判断し，受賞候補者に選定しました．

本賞の授賞式はこの春の第60回応用物理学会春季学術講演会の会場（2013年3月27日（水）夕刻，神奈川工科大学）でおこなわれます．また，受賞を記念して「Ⅲ-Ⅴ族半導体における規則性，不規則性の究明とその応用に関する研究」に関する記念講演（神奈川工科大学）を予定しています．是非ご参加ください．