OYO BUTURI
Vol.83
No.4
2014
4
2014 4 83 4

応用物理 第83巻 第4号 (2014)

放射線イメージング/新半導体デバイス材料・応用/軟X線

Cover of OYO BUTURI Vol.83 No.4 (2014)
Cover photo of OYO BUTURI Vol.83 No.4 (2014)

Siウィスカニューロプローブアレイデバイス.Si(111) 基板上にモスフェット回路を形成した後で,Vapor-Liquid-Solid (VLS) 法によりSiウイスカアレイを結晶成長させた.低侵襲かつ高空間分解能な直径数µメートルのプローブ電極アレイをマイクロエレクトロニクスの直上に形成することが可能なため,これまでの脳・神経計測の限界を打ち破るデバイス技術として期待できる.(p.302参照)

お問い合わせ 応用物理学会サイト OYO BUTURI English site