OYO BUTURI
Vol.84
No.7
2015
7
2015 7 84 7

応用物理 第84巻 第7号 (2015)

半導体・光デバイスとウェーハ技術の歩み

Cover of OYO BUTURI Vol.84 No.7 (2015)
Cover photo of OYO BUTURI Vol.84 No.7 (2015)

Ir表面に形成したドットアレイ状のダイヤモンド核発生領域から成長させたピラミッド状エピタキシャルダイヤモンド粒子.各粒子が横方向成長し,コアレッセンスすることでダイヤモンドの連続膜を形成することができる.ダイヤモンド/Irの接点を制限することでミスフィット転位低減によるダイヤモンド膜の高品質化や応力緩和が可能.(p.622参照)

今月号の概要

解説

最近の展望

研究紹介

Science As Art

  • 瞳多点照明の干渉花火
    渡辺 向陽

今月のトピックス

  • 細野秀雄氏が日本学士院賞および恩賜賞受賞
    神谷 利夫
  • 香取秀俊氏が日本学士院賞受賞
    井戸 哲也

特別記事 応用物理学会業績賞受賞者随想

  • シリコンデバイス研究の40年
    小柳 光正
  • フォトニック結晶の研究を振り返って
    野田 進
  • インターネット時代の応用物理コミュニケーション
    佐藤 勝昭

ドキュメント 講演会改革

ホッとひといき

  • なぜ物理学者は理解されないのか!?
    池谷 瑠絵

Student Chapter だより

  • 早稲田大学・日本女子大学SCの活動と春の学生研究者交流会について
    岡田 大地

Inside Out

  • 緑の島から緑の島へ
    シーレ ニコーマック

科学を詠む

  • [第7回]宇宙の彼方から
    松村 由利子

基礎講座

お問い合わせ 応用物理学会サイト OYO BUTURI English site