第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞） 受賞者

化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）表彰委員会
委員長　後藤俊夫

化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）は，赤﨑勇氏が2009年京都賞を受賞された際の賞金の一部を基金として設立されました．本賞は，化合物半導体エレクトロニクス分野において新しい技術の開発，発明，新原理の発見，または卓越した実証システムの構築等において顕著な業績をあげた方一名または一件に対して顕彰いたします．

機関誌「応用物理」による公募に対して推薦のあった3名の候補者について2010年12月開催の表彰委員会において慎重な審議をおこなった結果，名西憓之(なにしやすし)氏を第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）の受賞者に決定いたしました．

名西氏は，昭和46年，日本電信電話公社武蔵野電気通信研究所に入社し，GaAsの液相エピタキシャル成長及びGaAs FETへの応用に関する研究に従事，昭和53年〜55年，米国マサチューセッツ工科大学客員研究員として水平ブリッジマン法によるGaAsバルク結晶成長と欠陥制御に関する研究に従事，昭和61年〜平成6年には，日本電信電話株式会社光エレクトロニクス研究所主幹研究員としてGaAs IC用バルク結晶欠陥の評価とFET特性との相関に関する研究及びECRプラズマ励起MBE法に関する研究に従事，平成6年からは現在の立命館大学理工学部に勤務し，特にInNの結晶成長と物性評価及び電子デバイスへの応用に関する研究を遂行中です．

同氏は，窒化物半導体の結晶成長，物性解明，光及び電子デバイス応用の分野で長年に亘って先端分野をリードしている世界屈指の研究者です．特に，RF MBE法による高品質InN薄膜の実現と物性解明は関係分野に大きなインパクトを与えました．また，同氏は窒化物半導体を用いた高周波パワーデバイス，光デバイスの研究でも世界的に知られているだけでなく，GaAsバルク成長や光・電子デバイス応用でも顕著な業績を挙げております．その研究業績は，先駆性，独創性，分野の広さ，波及効果のいずれの観点でも極めて優れております．

本賞の授賞式はこの春の応用物理学関係連合講演会の会場（2011年3月24日（木）夕刻，神奈川工科大学）でおこなわれます．また，受賞を記念して「RF MBE法による高品質InN薄膜の実現と物性解明，バルクGaAsの高品質化，及び化合物半導体光・電子デバイスの高性能化への貢献」に関する記念講演（神奈川工科大学）を予定しています．是非ご参加ください．

受賞者

名西憓之氏（立命館大学教授，ソウル国立大学　WCU招聘教授）

業績

RF MBE法による高品質InN薄膜の実現と物性解明，バルクGaAsの高品質化，及び化合物半導体光・電子デバイスの高性能化への貢献