第51回(2021年秋季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

所属の表記は予稿集掲載内容より引用

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
中山 真成(三菱ケミカル株式会社) 応用物理学一般 11p-S401-2 局所共振器を2次元連結した音響メタマテリアルシートの開発(松岡 毅1,齋藤 雄也1,内田 直幸1,井上 一真1,三谷 浩2,赤坂 修一1,3,古賀 尚悟1 (1.三菱ケミカル,2.三菱ケミカルエンジニアリング,3.東工大))
泉水 史樹(東京大学) 放射線 10p-N206-4 カスケード核種の角度相関変化を利用した量子pHセンシング技術の検討(上ノ町 水紀2,島添 健次1,3,ZHONG ZHIHONG1,鎌田 圭4,富田 英生3,5,高橋 浩之1 (1.東大,2.理研,3.JSTさきがけ,4.東北大,5.名古屋大))
加藤 匠(奈良先端科学技術大学院大学) 放射線 13a-S202-1 異なる材料形態のCaF2におけるラジオフォトルミネセンス特性評価(中内 大介1,河口 範明1,柳田 健之1 (1.奈良先端大))
岩崎 綾華(慶應義塾大学) 光・フォトニクス 10a-N107-8 デュアルコム・サニャック干渉計による定量変位計測(岡野 真人1,渡邉 紳一1 (1.慶応理工))
高橋 直樹(東京工業大学) 光・フォトニクス 10p-N103-8 リッジ埋め込み導波路構造による強横方向光閉じ込めGaInAsP半導体薄膜レーザの発振特性(方 偉成1,大礒 義孝1,雨宮 智宏1,2,西山 伸彦1,2 (1.東工大工,2.科技創研))
福井 太一郎(東京大学) 光・フォトニクス 11p-N207-13 非冗長光フェーズドアレイによる超高分解能光偏向:提案と実証(田之村 亮汰1,小松 憲人1,山下 大之1,高橋 俊1,中野 義昭1,種村 拓夫1 (1.東大院工))
田之村 亮汰(東京大学工学系研究科) 光・フォトニクス 11p-N207-2 非等分配型多モード干渉カプラによる小型InP光ユニタリ変換器の実証(唐 睿1,種村 拓夫1,中野 義昭1 (1.東京大工))
鈴木 杏奈(電気通信大学レーザー新世代研究センター) 光・フォトニクス 11p-S202-2 Tm添加sesquioxide媒質を用いたカーレンズモード同期レーザー(Kränkel Christian2,戸倉川 正樹1 (1.電通大レーザー研,2.IKZ))
福井 岳人(北海道大学大学院情報科学院) 光・フォトニクス 12a-N107-3 キラリティを有するナノギャップ構造の探索(田口 敦清1,笹木 敬司1 (1.北大電子研))
李 睿驍(TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY) JSAP-OSA Joint Symposia 10a-N405-6 Compact VCSEL beam scanner with large field of view and its 2D scanning function(Xiaodong Gu1,2,Fumio Koyama1 (1.Tokyo Tech,2.Ambition Photonics))
矢島 達也(東京工業大学) 薄膜・表面 12p-S203-8 LiV2O4エピタキシャル薄膜へのLiイオン挿入とその場構造解析(相馬 拓人1,大友 明1,2 (1.東工大物質理工,2.元素戦略))
笹間 陽介(物質・材料研究機構) 薄膜・表面 12p-S301-9 h-BNヘテロ構造を用いたノーマリーオフ型高移動度ダイヤモンドトランジスタ(蔭浦 泰資1,井村 将隆1,渡邊 賢司1,谷口 尚1,内橋 隆1,山口 尚秀1,2 (1.物材機構,2.筑波大数理))
中野 裕太(金沢大学) 薄膜・表面 13a-S301-1 二次元核形成を抑制した高濃度窒素ドープダイヤモンド成長技術の開発(稲垣 秀1,小林 和樹1,張 旭芳1,松本 翼1,猪熊 孝夫1,山崎 聡1,Christoph E. Nebel1,2,徳田 規夫1 (1.金沢大,2.Diacara))
小池 健(東京大学大学院新領域創成科学研究科) プラズマエレクトロニクス 10a-S301-4 大気圧水素雰囲気におけるCARSを用いた高感度電界計測(宗岡 均1,寺嶋 和夫1,伊藤 剛仁1 (1.東大新領域))
山口 優(東京大学) 応用物性 10p-N403-8 重水素化SAM修飾ナノワイヤ構造を用いた揮発性脂肪族分子のSAM膜内挙動追跡(細見 拓郎1,3,長島 一樹1,3,高橋 綱己1,3,張 国柱1,金井 真樹2,柳田 剛1,2 (1.東大工,2.九大先導研,3.JSTさきがけ))
岡崎 尚太(東京工業大学) 応用物性 13a-N406-5 空間反転対称性の破れた磁性体 M(Nb/Ta)3S6 の 単結晶育成および磁気輸送特性(田中 宏明2,黒田 健太2,近藤 猛2,笹川 崇男1 (1.東工大フロンティア研,2.東大物性研))
青木 基(京都大学) スピントロニクス・マグネティクス 10p-S302-16 Spin rectification signal induced by the unidirectional spin Hall magnetoresistance(Yuichiro Ando1,Ei Shigematsu1,Ryo Ohshima1,Teruya Shinjo1,Masashi Shiraishi1 (1.Kyoto Univ.))
金田 真悟(東京大学, NTT物性研) スピントロニクス・マグネティクス 13p-S302-10 Quantum limit transport and Two-dimensional Weyl fermions in epitaxial ferromagnetic oxide SrRuO3 thin films(Yuki K. Wakabayashi1,Yoshiharu Krockenberger1,Toshihiro Nomura3,Yoshimitsu Kohama3,Hiroshi Irie1,Kosuke Takiguchi2,Shinobu Ohya2,4,5,Masaaki Tanaka2,5,Yoshitaka Taniyasu1,Hideki Yamamoto1 (1.NTT-BRL,2.Univ. of Tokyo,3.ISSP, Univ. of Tokyo,4.IEI, Univ. of Tokyo,5.CSRN, Univ. of Tokyo))
李 峰(名古屋大学) 超伝導 12p-N403-5 Half-Flux-Quantum Toggle Flip Flops Based on π-π-π SQUIDs(Yuto Takeshita1,Masayuki Higashi1,Masamitsu Tanaka1,Taor Yamashita1,Akira Fujimaki1 (1.Nagoya Univ.))
西久保 綾佑(大阪大学大学院) 有機分子・バイオエレクトロニクス 12a-N207-6 Sbカルコハライド太陽電池素子の新奇波長応答機能の発現(佐伯 昭紀1 (1.阪大院工))
大下 直晃(山形大学) 有機分子・バイオエレクトロニクス 12a-S201-4 高発光効率を有する青色発光ペロブスカイト量子ドットの作製(菊池 圭祐1,浅倉 聡1,2,千葉 貴之3,4,増原 陽人1,4 (1.山形大院理工,2.伊勢化学,3.山形大院有機シス,4.山形大有機材料シスセ))
石井 智大(九州大学) 有機分子・バイオエレクトロニクス 12p-N207-8 BSB-Cz誘導体を含んだ光共振器中におけるポラリトン Bose-Einstein 凝縮状態の観測(宮田 潔志4,儘田 正史1,Bencheikh Fatima1,Mathevet Fabrice1,3,恩田 健4,Kéna-Cohen Stéphane5,安達 千波矢1,2 (1.九大・OPERA,2.九大 ・WPI-I2CNER,3.Sorbonne Univ・IPCM,4.九大・理学部,5.モントリオール理工科大学))
糟谷 直孝(東京大学, OPERAND-OIL) 有機分子・バイオエレクトロニクス 12p-N302-2 有機半導体単結晶における2次元ホールガス形成とキャリア輸送特性(鶴見 淳人2,3,岡本 敏宏1,2,4,渡邉 峻一郎1,2,竹谷 純一1,2,3 (1.東大院新領域,2.OPERAND-OIL,3.物材機構,4.JST さきがけ))
佐々木 翼(NHK放送技術研究所) 有機分子・バイオエレクトロニクス 13p-N205-5 OLEDにおける電子注入・輸送メカニズムの解明(長谷川 宗弘2,稲牆 魁斗3,大野 拓1,森井 克行2,4,清水 貴央1,深川 弘彦1 (1.NHK技研,2.日本触媒,3.東理大院理,4.大阪大学日本触媒協働研究所))
駒井 亮太(阪大院工) 半導体 10p-N303-10 Tb添加AlxGa1-xNの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性(市川 修平1,2,半澤 弘昌3,舘林 潤1,藤原 康文1 (1.阪大院工,2.阪大電顕センター,3.阪大院基礎工))
山田 敦也(大阪大学) 結晶工学 10p-N202-17 縦型半導体スピン素子のための単結晶Co2FeSi上Ge 薄膜の高品質化(山田 道洋2,3,山田 晋也3,1,澤野 憲太郎4,浜屋 宏平3,1 (1.阪大基礎工,2.JSTさきがけ,3.阪大基礎工CSRN,4.都市大総研))
石川 諒弥(京都大学) 結晶工学 10p-S202-6 4H-SiCにおける電子移動度の異方性(原 征大1,田中 一1,2,金子 光顕1,木本 恒暢1 (1.京大院工,2.阪大院工))
冀 咏錚(長岡技術科学大学) 非晶質・微結晶 11p-N104-13 NaPO3ガラスを用いた液相焼結によるNa3Zr2Si2PO12の合成(本間 剛1,小松 高行1 (1.長岡技科大))
岩本 祐汰(東北大学) ナノカーボン 11a-N302-8 その場観測による単層WS2成長インキュベーション時間決定機構の解明(強 効銘1,金子 俊郎1,加藤 俊顕1 (1.東北大工))
佐々木 太郎(東京大学) ナノカーボン 13a-N307-1 高速パルス電圧ストレス下におけるh-BNの強靭な絶縁破壊耐性による2Dメモリデバイスの超高速動作(上野 啓司2,谷口 尚3,渡邉 賢司3,西村 知紀1,長汐 晃輔1 (1.東大工,2.埼玉大理,3.物材機構))
魏 冕(北海道大学) 合同セッションK 12p-N206-14 Single-Crystalline La:SrSnO3 Conductive Sheet with Wide Bandgap of 4.4 eV(Lizhikun Gong1,Rui Yu1,Hai Jun Cho2,Hiromichi Ohta2,Tsukasa Katayama2 (1.IST-Hokkaido Univ.,2.RIES-Hokkaido Univ.))
金 景中(東京大学) 合同セッションM 12a-N106-6 界面付近の電子・フォノン間の非平衡熱輸送を用いた金属・絶縁体超格子の熱伝導率低減(黒崎 洋輔2,深谷 直人2,籔内 真2,伊良 勇亮1,邵 成1,早川 純2,塩見 淳一郎1 (1.東京大工,2.日立製作所R&D Group))