第50回(2021年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

所属の表記は予稿集掲載内容より引用

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
横田 涼輔(東京大学) 応用物理学一般 16p-Z13-11 界面活性剤水溶液上の非相溶性微小液滴を用いた動的界面張力測定(平野 太一1,美谷 周二朗1,酒井 啓司1 (1.東大生研))
野上 光博(東北大学) 放射線 16p-Z28-4 対称型capacitive Frisch grid TlBr検出器の製作と評価(人見 啓太朗1,小野寺 敏幸2,渡辺 賢一3,椿山 邦見3,木村 乃久1,石井 慶造1 (1.東北大,2.東北工大,3.名古屋大))
奥山 雄貴(名古屋大学) 放射線 16p-Z34-5 キャビティリングダウン分光を用いた放射性炭素同位体分析システムの定量性評価(岩元 一輝1,寺林 稜平1,ゾンネンシャイン フォルカ1,齊藤 圭亮1,川嶋 悠太2,池原 辰弥2,真野 和音2,古宮 哲夫2,東條 公資2,二宮 真一2,吉田 賢二3,富田 英生1,4 (1.名大,2.島津製作所,3.積水メディカル,4.JSTさきがけ))
菊地 涼(東北大学大学院工学研究科) 光・フォトニクス 19a-Z10-1 自己相似光導波路アレイにおける光局在の実証(石川 巧1,土師 康平1,山田 博仁1,松田 信幸1 (1.東北大院工))
柏崎 貴大(日本電信電話株式会社) 光・フォトニクス 19a-Z03-9 高速量子計算のための光パラメトリック増幅を用いたTHz 級広帯域スクィーズド光測定(高梨 直人2,井上 飛鳥1,風間 拓志1,圓佛 晃次1,笠原 亮一1,梅木 毅伺1,古澤 明2 (1.NTT先デ研,2.東大院工))
勝見 亮太(東京大学) 光・フォトニクス 19p-Z10-2 ファイバーピグテール付きSi導波路上への量子ドット-ナノ共振器結合系の転写プリント集積(太田 泰友4,田尻 武義2,岩本 敏1,2,4,秋山 英文3,Reithmaier J. P.5,Benyoucef M.5,荒川 泰彦4 (1.東大先端研,2.東大生研,3.東大物性研,4.東大ナノ量子機構,5.カッセル大))
門脇 拓也(日亜化学工業株式会社) 光・フォトニクス 17p-Z14-8 ドレスト光子による誘導放出を利用した波長1.3〜1.9µm帯の非冷却型Si受光素子(川添 忠1,大津 元一2,佐野 雅彦1,向井 孝志1 (1.日亜化学,2.ドレスト光子研究起点))
寺澤 英孝(宇都宮大学) 光・フォトニクス 19a-Z05-5 高感度赤外光重合材料と自己形成光導波路の作製(杉原 興浩1 (1.宇大院工))
伊東 良晴(東京工業大学) 薄膜・表面 19a-Z13-5 100°C以下で作製した (Bi,K)TiO3薄膜の圧電特性評価(舘山 明紀1,窪田 るりか1,白石 貴久1,黒澤 実1,舟窪 浩1 (1.東工大))
小松 遊矢(東工大物質理工) 薄膜・表面 19p-Z14-9 YOxHyエピタキシャル薄膜の光誘起絶縁体-金属転移における水素の寄与(清水 亮太1,2,佐藤 龍平3,ビルデ マーカス4,西尾 和記1,松村 大樹5,齋藤 寛之6,福谷 克之4,5,常行 真司3,一杉 太郎1 (1.東工大物質理工,2.JSTさきがけ,3.東大理,4.東大生産研,5.原子力機構,6.量研))
久保田 雄也(理研) ビーム応用 16p-Z03-2 X線自由電子レーザーを用いた低温Biコヒーレントフォノンの解明(田中 良和1,富樫 格2,1,戎 富雄1,玉作 賢治1,大沢 仁志2,和田 哲弥3,松田 巌3,矢橋 牧名1,2 (1.理研,2.JASRI,3.東大物性研))
久山 智弘(京都大学) プラズマエレクトロニクス 17a-Z03-1 絶縁体半導体界面近傍に形成されるプラズマ誘起欠陥のアドミタンスモデル解析(占部 継一郎1,江利口 浩二1 (1.京大院工,2.学振特別研究員DC))
加藤 太朗(東京大学) 応用物性 17p-Z18-11 Auナノシートを用いた硫化水素センサの創出(田中 貴久1,内田 建1 (1.東大工))
平井 孝昌(物質・材料研究機構) スピントロニクス・マグネティクス 17a-Z19-8 Strain-induced switching of cooling-heating generated by anisotropic magneto-Peltier effect(Hossein Sepehri-Amin1,Kento Hasegawa2,3,Tomohiro Koyama3,4,Ryo Iguchi1,Tadakatsu Ohkubo1,Daichi Chiba3,4,Ken-ichi Uchida1,5,6 (1.NIMS,2.The Univ. of Tokyo,3.ISIR, Osaka Univ.,4.CSRN, Osaka Univ.,5.CSRN, Tohoku Univ.,6.IMR, Tohoku Univ.))
池田 愛(NTT物性科学基礎研究所) 超伝導 17p-Z20-10 MBE法により作製した新規高温超伝導体(CaCuO2)n/(Ca2Fe2O5)m人工超格子(Krockenberger Yoshiharu1,谷保 芳孝1,山本 秀樹1 (1.NTT物性研))
山崎 洋人(東京大学) 有機分子・バイオエレクトロニクス 16a-Z21-6 レーザーエッチング効果を活用したナノポア加工技術の開発とこれを用いた分子検出(胡 蕊2,赵 清2,ワヌヌ メニ3,上村 想太郎1 (1.東京大理,2.北京大物,3.ノースイースタン大物))
酒井 洸児(NTT物性科学基礎研究所) 有機分子・バイオエレクトロニクス 16a-Z22-7 グラフェン自己組立て電極による三次元神経ネットワークの成熟評価(手島 哲彦1,後藤 東一郎1,中島 寛1,山口 真澄1 (1.NTT物性基礎研))
田口 剛輝(大阪大学大学院工学研究科) 有機分子・バイオエレクトロニクス 19a-Z18-8 光パターニングによるフレキシブル有機トランジスタの閾値電圧制御(植村 隆文1,3,難波 直子3,Andreas Petritz4,荒木 徹平1,2,3,杉山 真弘1,2,3,関谷 毅1,2,3 (1.阪大産研,2.阪大院工,3.産総研PhotoBio-OIL,4.Joanneum Res.))
伊藤 佑太(名古屋大学) 半導体 18a-Z15-7 GaNへのMgイオン高温注入時におけるビーム電流量が欠陥導入に与える影響II(渡邉 浩崇2,安藤 悠人1,出来 真斗4,狩野 絵美2,新田 州吾2,本田 善央2,五十嵐 信行2,田中 敦之2,3,天野 浩1,2,3,4,5 (1.名大院工,2.名大IMaSS,3.物材機構,4.名大VBL,5.名大ARC))
山下 雄大(筑波大学) 半導体 16p-Z23-9 n+-AZO/p-BaSi2太陽電池におけるZn1-xGexO界面層の検討(北村 未歩2,堀場 弘司2,都甲 薫1,末益 崇1 (1.筑波大,2.高エネ研))
横田 莉子(東京大学) 半導体 16p-Z02-6 InGaAs単接合太陽電池の高効率化とELによる外部発光効率評価(渡辺 健太郎2,ソダーバンル ハサネット2,浅見 明太1,シュ ハオ2,中野 義昭1,杉山 正和1,2 (1.東大工,2.東大先端研))
大西 一生(名古屋大学) 結晶工学 17a-Z27-3 HVPE法によって作製されたp型GaNの電気および構造特性評価(天野 裕己1,藤元 直樹2,新田 州吾2,渡邉 浩崇2,本田 善央22,天野 浩2,3,4 (1.名大院工,2.名大IMaSS,3.名大ARC,4.名大VBL))
今城 利文(筑波大学) 結晶工学 17a-Z33-7 GeO2下部層による固相成長Ge薄膜の移動度向上機構(末益 崇1,都甲 薫1 (1.筑波大院,2.学振特別研究員))
寺町 七海(神戸大学理学研究科化学専攻) 非晶質・微結晶 16p-Z29-11 超伝導-強磁性複合体中での自発渦糸相の実験的観察(瀬戸 雄介1,櫻井 敬博1,太田 仁1,内野 隆司1 (1.神戸大理))
竹山 慶(東京大学生産技術研究所) ナノカーボン 18p-Z31-8 複数層WSe2のサブバンド準位における共鳴トンネル効果の観測(守谷 頼1,岡崎 尚太2,張 奕勁1,増渕 覚1,渡邊 賢司3,谷口 尚3,1,笹川 崇男2,町田 友樹1,4 (1.東大生研,2.東工大フロンティア研,3.物材機構,4.CREST-JST))
福本 通孝(国立大学法人東京大学) 合同セッションK 19p-Z33-8 W:SnO2薄膜における高移動度の起源(廣瀬 靖1,中尾 祥一郎1,木村 耕治2,林 好一2,杉澤 悠紀3,関場 大一郎3,長谷川 哲也1 (1.東大院理,2.名工大,3.UTTAC))
國井 創大郎(東京理科大学) 合同セッションN 18a-Z32-1 パーシステントホモロジーを用いた軟磁性材料における磁区構造の分類と磁化反転過程の解析(Alexandre Foggiatto1,三俣 千春2,小嗣 真人1 (1.東理大基礎工,2.物質・材料研究機構))
鶴谷 拓磨(日本電信電話株式会社) フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」 19p-Z34-3 低消費電力半導体光増幅器による光リザーバコンピューティング(開 達郎1,中島 光雅1,相原 卓磨1,Diamantopoulos Nikolaos-Panteleimon1,藤井 拓郎1,瀬川 徹1,松尾 慎治1 (1.NTT先端集積デバイス研究所))