第46回（2019年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 山田 大空（大阪府立大学大学院） | 応用物理学一般 | 10a-S321-5 | 広域プラズモン増強電場形成能を有するMIM ドットアレイの設計と作製（川﨑 大輝1，井上 千種1，前野 権一1，久本 秀明1，末吉 健志1，遠藤 達郎1,2 (1.大阪府立大学大学院，2.JSTさきがけ)） |
| 鈴木 章吾（神戸大学） | 応用物理学一般 | 11p-M116-13 | 超高感度磁気計測および画像再構成理論に基づく埋め込み型防犯ゲートシステムの開発（松田 聖樹1，木村 建次郎1,2,4，美馬 勇輝3,4，木村 憲明3,4 (1.神大理学研究科，2.神大数理データサイエンスセンター，3.Integral Geometry Science，4.JST-MIRAI)） |
| 寺林 稜平（名古屋大学） | 放射線 | 9p-M103-13 | 生体・環境トレーサー応用のための中赤外キャビティリングダウン分光に基づく放射性炭素分析システムの開発（ゾンネンシャイン フォルカ1，富田 英生1，仲田（狩野） 麻奈1，加藤 修介1，武田 晨1，齊藤 圭亮1，山中 真仁1，西澤 典彦1，吉田 賢二2，神谷 直浩3，井口 哲夫1 (1.名古屋大学，2.積水メディカル(株)，3.島津製作所(株))） |
| 坂間 俊亮（東京大学 生産技術研究所） | 光・フォトニクス | 9p-M116-8 | ナノ粒子に働く光圧の精密測定に向けた捕捉ポテンシャル制御法の開発（田中 嘉人1,2，杉浦 忠男3，志村 努1 (1.東大生研，2.JST さきがけ，3.崇城大学)） |
| 伊藤 佑介（東京大学） | 光・フォトニクス | 10p-M114-8 | 高電子密度領域への選択的光吸収によるガラスの超高速微細精密レーザ加工（吉﨑 れいな1，宮本 直之1，柴田 章広2，長澤 郁夫2，長藤 圭介1，杉田 直彦1 (1.東大院工，2.AGC株式会社)） |
| 馬越 貴之（大阪大学） | 光・フォトニクス | 10p-W621-6 | 高速走査型近接場光学顕微鏡の開発（福田 真悟2，内橋 貴之3，バルマ プラブハット1，安藤 敏夫2 (1.阪大院工，2.金沢大WPI-NanoLSI，3.名大院理)） |
| 渡邉 俊介（株式会社オキサイド） | 光・フォトニクス | 10p-W834-18 | フェムト秒レーザー直描導波路型PPMgSLT波長変換素子開発（廣橋 淳二，今井 浩一，星 正幸，牧尾 諭 (株式会社オキサイド)） |
| 雛倉 陽介（横浜国立大学） | 光・フォトニクス | 11p-W331-8 | メアンダライン電極フォトニック結晶光変調器の64 Gbps動作（新井 宏之，馬場 俊彦 (横国大院工)） |
| 橋本 和樹（東京大学） | 光・フォトニクス | 11p-W935-5 | ナイキスト限界の高速広帯域フーリエ分光法（井手口 拓郎 (東大理，JST さきがけ)） |
| 大川 洋平（豊田工業大学） | 光・フォトニクス | 12a-M116-1 | BDG-BOCDA歪/温度分離・分布測定系における光源強度変調効果の解析（山下 健二 ホドリーゴ2，岸 眞人3，保立 和夫1 (1.豊田工大，2.古河電工，3.工学院大学)） |
| 福澤 亮太（東京大学生産技術研究所） | 薄膜・表面 | 10a-W933-6 | 二重バイアス変調方式静電引力顕微鏡による空乏層容量の周波数応答測定（高橋 琢二 (東大生研，東大ナノ量子機構)） |
| 浜嵜 容丞（防衛大学校） | 薄膜・表面 | 11a-W351-7 | 極性磁性体h-ScFeO3薄膜の強誘電性と界面構造（安井 伸太郎1，白石 貴久2，赤間 章裕2，木口 賢紀2，谷山 智康1，伊藤 満1 (1.東工大，2.東北大)） |
| 多田 幸平（国立研究開発法人 産業技術総合研究所 電池技術研究部門） | 薄膜・表面 | 12a-W834-4 | 表面化学反応のDFT計算におけるスピン混入誤差と静的電子相関に関する考察（丸山 智大2，古賀 裕明3，奥村 光隆2,3，田中 真悟1 (1.産総研・電池技術，2.阪大院理，3.京大・ESICB)） |
| 山本 航平（東京大学物性研究所） | ビーム応用 | 10a-S423-5 | X線自由電子レーザーによる時間分解共鳴磁気光学カー効果測定でみるCo/Pt薄膜の磁化ダイナミクス（El Moussaoui Souliman1，平田 靖透1,2，山本 達1,2，久保田 雄也3,4，大和田 成起3,4，矢橋 牧名3,4，松田 巌1,2，関 剛斎5，高梨 弘毅5，和達 大樹1,2 (1.東大物性研，2.東大理，3.JASRI，4.理研，5.東北大金研)） |
| 田中 章裕（東京大学） | プラズマエレクトロニクス | 10a-W241-5 | sPFEによるシリコンナノロッド連続生成とLIB負極特性（太田 遼至1，道垣内 将司2，神原 淳1 (1.東大院工，2.島根産技センター)） |
| 永岡 章（宮崎大学） | 応用物性 | 9p-W351-12 | ZT >1を示す環境調和型熱電変換材料Cu2ZnSnS4バルク単結晶の開発（吉野 賢二1，増田 泰造2，Scarpulla Michael3，西岡 賢祐1 (1.宮崎大工，2.トヨタ自動車，3.ユタ大材料工)） |
| 土肥 昂尭（東北大学 電気通信研究所） | スピントロニクス・マグネティクス | 10a-M101-1 | Ferromagnetic layer thickness dependent domain wall chirality and sign of effective Dzyaloshinskii-Moriya field in W/(Co)FeB/MgO systems（DuttaGupta Samik1,2,3,4，深見 俊輔1,2,3,4,5,6，大野 英男1,2,3,4,5,6 (1.東北大, 電気通信研究所，2.東北大, 省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター，3.東北大, スピントロニクス学術連携研究教育センター，4.東北大, 先端スピントロニクス研究開発センター，5.東北大, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター，6.東北大, 原子分子材料科学高等研究機構)） |
| 若林 勇希（NTT物性科学基礎研究所） | スピントロニクス・マグネティクス | 10a-M101-4 | Jeff=3/2 ferromagnetic insulating state above 1000 K in a double perovskite osmate synthesized by molecular beam epitaxy（Yoshiharu Krockenberger1，Naoto Tsujimoto2，Tommy Boykin1，Shinji Tsuneyuki2，Yoshitaka Taniyasu1，Hideki Yamamoto1 (1.NTT BRL，2.The Univ. of Tokyo)） |
| 徳田 進之介（東京農工大学） | 超伝導 | 11p-S423-17 | TG-DSCによるCoドープBaFe2As2の熱分析（山本 明保 (農工大工，JST-CREST)） |
| 宮廻 裕樹（NTT物性科学基礎研究所） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 9p-S421-5 | 共培養系における心筋細胞の地形ガイドによる凝集誘導（手島 哲彦，上野 祐子 (NTT物性基礎研)） |
| Charernchai Sumamal（Japan Advanced Institute of Science and Technology） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 10a-S421-10 | Development of automated competitive ELISA paper-based analytical device using dissolvable sucrose valves for Aflatoxin B1 detection（Miyuki Chikae1，Wanida Wonsawat2，Tue Phan Trong1，Yuzuru Takamura1 (1.Japan Advanced Institue of Science and Technology，2.Suan Sunadha Rajabhat Univ.)） |
| 劉 利明（東京大学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 10p-M111-5 | Optical and Electronic Transport Properties of Solvent Mediated Self-Assembly of Lead Sulfide Nanocrystals（Satria Bisri1，Yasuhiro Ishida1，Yoshihiro Iwasa1,2，Takuzo Aida1,2 (1.RIKEN，2.The Univ. of Tokyo)） |
| 山村 祥史（東京大学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 10p-S222-6 | ダメージフリーリソグラフィを用いた高速有機単結晶トランジスタ（左近 崇晃1，佐々木 真理1，渡邉 峻一郎1,2,3，岡本 敏宏1,2,3，竹谷 純一1,2,4,5 (1.東大新領域，2.OPERANDO-OIL，3.JSTさきがけ，4.物材機構，5.パイクリスタル)） |
| 中野 恭兵（理化学研究所） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 11p-S221-8 | 有機薄膜太陽電池の電子状態間のエネルギー差と電荷生成効率の相関（Chen Yujiao1，Han Weining2，Huang Jianming1，吉田 弘幸2，但馬 敬介1 (1.理研 CEMS，2.千葉大院工)） |
| 桑野 太郎（京都大学大学院工学研究科） | 半導体 | 9p-W933-4 | ZnSnP2吸収層/Cu電極界面へのCu3P層の導入による直列抵抗の低減（勝部 涼司，野瀬 嘉太郎 (京大院工)） |
| 溝口 来成（東京工業大学） | 半導体 | 10a-S221-1 | 物理的に形成されたシリコン3重量子ドットの特性評価（小田 俊理，小寺 哲夫 (東工大)） |
| Jin Chengji（Institute of Industrial Science, The University of Tokyo） | 半導体 | 10p-W631-11 | Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FETs（Takuya Saraya，Toshiro Hiramoto，Masaharu Kobayashi (IIS, Univ. of Tokyo)） |
| 小林 弘人（明治大学） | 半導体 | 11a-W934-10 | Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-（横川 凌1,2，木下 晃輔1，沼沢 陽一郎1，小椋 厚志1，西澤 伸一3，更屋 拓哉4，伊藤 一夫4，高倉 俊彦4，鈴木 慎一4，福井 宗利4，竹内 潔4，平本 俊郎4 (1.明治大理工，2.学振特別研究員，3.九州大工，4.東京大工)） |
| 原 征大（京都大学） | 結晶工学 | 11a-70A-1 | 高濃度ドープ4H-SiCショットキー障壁ダイオードにおける順方向熱電界放出電流の解析と障壁高さの評価（浅田 聡志，前田 拓也，木本 恒暢 (京大院工)） |
| 中島 義基（筑波大学） | 結晶工学 | 12a-M113-7 | 多層グラフェンの合成に向けた炭素／金属固相反応の包括的研究（村田 博雅，末益 崇，都甲 薫 (筑波大院)） |
| 川瀬 雄太（名城大学） | 結晶工学 | 12p-W541-11 | 成長モード制御によるAlGaN下地層の高品質化とUV-Bレーザへの応用（池田 隼也1，櫻木 勇介1，安江 信次1，手良村 昌平1，田中 隼也1，荻野 雄矢1，岩谷 素顕1，竹内 哲也1，上山 智1，岩山 章1,3，赤﨑 勇2,1，三宅 秀人3 (1.名城大理工，2.名古屋大・赤崎記念研究センター，3.三重大・地域イノベ)） |
| 木下 圭（東京大学） | ナノカーボン | 9p-W521-7 | Polypropylene carbonate(PPC)を用いた原子層Dry release転写法による高品質グラフェン/h-BNファンデルワールスヘテロ構造の作製（守谷 頼1，増渕 覚1，渡邊 賢司2，谷口 尚2，町田 友樹1,3 (1.東大生研，2.物材機構，3.CREST-JST)） |
| 小山 諄（九州大学） | ナノカーボン | 10p-PA8-36 | 機能性剝離テープを用いたCVDグラフェンのドライ転写法の開発（河原 憲治2，本田 哲士3，小坂 尚史3，岡田 研一3，増田 将太郎3，保井 淳3，吾郷 浩樹1,2,4 (1.九大院総理工，2.九大GIC，3.日東電工，4.JST-CREST） |
| 小野里 尚記（北海道大学） | 合同セッションK | 11p-S011-16 | WO3固体エレクトロクロミックトランジスタの高速動作（根津 有希央1，Cho Hai Jun1,2，太田 裕道1,2 (1.北大院情報科学，2.北大電子研)） |
| 清原 慎（東京大学） | 合同セッションN | 9a-W321-11 | 機械学習を用いた内殻電子励起スペクトルからの物性予測（椿 真史2，溝口 照康1 (1.東大生研，2.産総研)） |
| 永田 善也（大阪大学） | フォーカストセッション AIエレクトロニクス | 11p-W810-5 | ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション（藤平 哲也，酒井 朗 (阪大院基礎工)） |
