第45回（2018年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 波切 堅太郎（山梨大学） | 応用物理学一般 | 18p-PA1-2 | LN/水晶接合構造上の縦型リーキーSAWを用いた音響光学変調素子（鈴木 雅視，垣尾 省司 (山梨大学)） |
| 菅野 円隆（埼玉大学） | 光・フォトニクス | 18p-438-4 | 強化学習を併用した光リザーバコンピューティングの提案（成瀬 誠1，内田 淳史2 (1.情報通信研究機構，2.埼玉大)） |
| 木村 祥太（東大物性研） | 光・フォトニクス | 19p-431B-18 | 誘導ラマン散乱を用いた広帯域モード同期レーザー（谷 峻太郎，小林 洋平 (東大物性研)） |
| 生澤 佳久（電気通信大学） | 光・フォトニクス | 19p-438-16 | 光コム2色干渉計による空気屈折率自己補正技術を用いた高精度な形状計測手法の検討（中嶋 善晶1,2，吴 冠豪3，美濃島 薫1,2 (1.電通大，2.JST,ERATO美濃島知的光シンセサイザ，3.清華大)） |
| 浅原 彰文（電気通信大学） | 光・フォトニクス | 20a-211A-1 | デュアル光渦コム分光による角度軸情報の精密干渉計測（王 月1,2，美濃島 薫1,2 (1.電通大，2.JST,ERATO美濃島知的光シンセサイザ)） |
| 末光 真大（大阪ガス株式会社） | 光・フォトニクス | 20a-225B-2 | Siロッド型熱輻射光源を用いた熱光発電システムの構築（浅野 卓，井上 卓也，デ ゾイサ メーナカ，野田 進 (京大院工)） |
| 吉岡 克将（横浜国立大学） | 光・フォトニクス | 21p-211A-11 | 位相制御THz-STMを用いたTHz近接場とトンネル電子のサブサイクル制御（片山 郁文1，嵐田 雄介1，伴 篤彦1，河田 陽一2，小西 邦昭3，高橋 宏典2，武田 淳1 (1.横浜国大院工，2.浜松ホトニクス，3.東大院理)） |
| 新城 亜美（学習院大学） | JSAP-OSA Joint Symposia2018 | 20p-211B-5 | Pulse-resolved measurement of continuous-variable EPR entanglement with shaped local oscillators（Takuya Katayama1，Yujiro Eto2，Takuya Hirano1 (1.Gakushuin Univ.，2.AIST)） |
| 片山 司（東京大学） | 薄膜・表面 | 18a-223-3 | ダブルペロブスカイト型GdBaCo2Ox薄膜(x = 5.5−6)の磁気・輸送特性（真柄 健斗，毛 司辰，倉内 裕史，近松 彰，長谷川 哲也 (東大院理)） |
| 荒牧 正明（大阪府立大学） | 薄膜・表面 | 19a-133-11 | BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の高出力化（吉村 武1，村上 修一2，佐藤 和郎2，藤村 紀文1 (1.大阪府大工，2.大阪技術研)） |
| 大曲 新矢（産総研先進パワエレ） | 薄膜・表面 | 21p-232-2 | 金属原子添加を伴う熱フィラメントCVD成長によるダイヤモンド転位密度の低減とSBD特性改善（山田 英明1，坪内 信輝1，田中 真悟2，茶谷原 昭義1，梅沢 仁1，杢野 由明1，竹内 大輔1 (1.産総研先進パワエレ，2.産総研電池技術RI)） |
| 宮原 奈乃華（九州大学） | プラズマエレクトロニクス | 20a-438-4 | スパッタエピタキシーによるサファイア基板直上へのIn-rich (ZnO)x(InN)1-x膜の作製（山下 大輔，鎌滝 晋礼，中村 大輔，古閑 一憲，白谷 正治，板垣 奈穂 (九大シス情)） |
| 福島 諒（愛媛大学） | プラズマエレクトロニクス | 20p-146-8 | プラズマによる養殖魚の成長促進（Nasuha Izyan，池田 善久，神野 雅文 (愛媛大工)） |
| 横山 智康（パナソニック株式会社） | 応用物性 | 19p-437-12 | 第一原理計算と遺伝的アルゴリズムによる有機-無機ハイブリッド材料の状態図予測（大内 暁1，井垣 恵美子1，笹川 崇男2 (1.パナソニック(株)，2.東工大)） |
| 上村 洋平（東京大学） | 応用物性 | 20a-231A-7 | 有機強誘電体薄膜における結晶軸と強誘電ドメイン壁の方位の相関（荒井 俊人1，堤 潤也2，松岡 悟志1，熊井 玲児3，堀内 佐智雄2，長谷川 達生1,2 (1.東大院工，2.産総研FLEC，3.高エネ研)） |
| 日比野 有岐（東京大学） | スピントロニクス・マグネティクス | 20a-131-1 | Py/Pt/Co三層構造における新奇スピン軌道トルクの観測（小山 知弘，千葉 大地 (東大工)） |
| 廣瀬 葉菜（東京大学大学院理学系研究科物理学専攻） | スピントロニクス・マグネティクス | 21p-131-2 | Material dependence of interfacial spin-momentum locked bands in metallic heterostructures（Naoto Ito1，Masashi Kawaguchi1，Masamitsu Hayashi1,2 (1.the Univ. of Tokyo，2.National Inst. for Materials Science)） |
| 山栄 大樹（横浜国立大学） | 超伝導 | 21a-212B-10 | 断熱型量子磁束パラメトロン回路を用いた可逆全加算器の動作実証（竹内 尚輝2,3，山梨 裕希1,2，吉川 信行1,2 (1.横国大院理工，2.横国大IAS，3.JST さきがけ)） |
| 田原 弘量京都大学化学研究所 | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 18p-145-7 | ハロゲン化金属ペロブスカイトを用いた光位相シフター（阿波連 知子，若宮 淳志，金光 義彦 (京大化研)） |
| 池 広大（大阪工業大学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 19p-221C-10 | 絹フィブロインで酵素を固定化した拡張ゲートFETのグルコース検出特性（大西 勇輔，広藤 裕一，小池 一歩，矢野 満明 (大阪工大ナノ材研)） |
| 奥脇 弘次（立教大学） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 19p-222-9 | 脂質ベシクル，タンパク質の非経験的粗視化シミュレーション（新庄 英治2，土居 英男3，望月 祐志1,4，福澤 薫2,4，米持 悦生2 (1.立教大理，2.星薬大薬，3.産総研，4.東大生研)） |
| 冨田 和孝（京都大学化学研究所） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 19p-231C-8 | テトラフェニルポルフィリン塗布膜の構造制御因子の解明（塩谷 暢貴，下赤 卓史，長谷川 健 (京都大学化学研究所)） |
| 山下 侑（東京大学大学院） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 21a-231C-7 | アニオン交換を用いた新規ドーピング手法による高分子半導体の伝導特性と熱耐久性の向上（鶴見 淳人3，大野 雅央1，藤本 亮1，熊谷 翔平1，黒澤 忠法1，岡本 敏宏1,2，渡邉 峻一郎1,2，竹谷 純一1,3 (1.東大院新領域，2.JSTさきがけ，3.物材機構)） |
| 庄司 靖（産業技術総合研究所） | 半導体 | 20p-136-5 | ハイドライド気相成長法によるInGaP太陽電池の高速成長（大島 隆治1，牧田 紀久夫1，生方 映徳2，菅谷 武芳1 (1.産総研，2.大陽日酸)） |
| 山口 まりな（東芝メモリ株式会社） | 半導体 | 20p-141-12 | HfO2強誘電体トンネル接合メモリのサイクル不良メカニズムの解明（藤井 章輔，株柳 翔一，上牟田 雄一，井野 恒洋，中崎 靖，高石 理一郎，市原 玲華，齋藤 真澄 (東芝メモリ)） |
| 太田 竜一（NTT物性科学基礎研究所） | 半導体 | 20p-211A-14 | 振動歪下におけるGaAs束縛励起子の発光寿命測定（岡本 創1，俵 毅彦1,2，後藤 秀樹1，山口 浩司1 (1.NTT物性研，2.NTTナノフォトセンタ)） |
| 安 大煥（東京大学） | 半導体 | 21a-CE-4 | ZrO2 ゲートスタックによる Planar-type InGaAs TFET の Sub-60mV/dec 特性の実現（尹 尚希，加藤 公彦，福井 太一郎，竹中 充，高木 信一 (東大院工)） |
| 平野 智暉（大阪大学） | 半導体 | 21p-135-10 | Ge表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎研究 〜エッチング速度の温度依存性と活性化エネルギーの評価〜（中田 裕己，山下 裕登，李 韶賢，川合 健太郎，山村 和也，有馬 健太 (阪大院工)） |
| 塩見 圭史（大阪大学院） | 結晶工学 | 20a-146-9 | Eu添加GaN発光ダイオード応用に向けた高反射率・導電性AlInN/GaN DBRの作製（稲葉 智宏，市川 修平，舘林 潤，藤原 康文 (阪大院工)） |
| 林 侑介（三重大学） | 結晶工学 | 21p-146-12 | スパッタ条件制御による-c/+c 極性反転AlN 構造の作製（上杉 謙次郎2，正直 花奈子3，三宅 秀人1,3 (1.三重大院地域イノベ，2.三重大地域イノベ推進機構，3.三重大院工)） |
| 上杉 謙次郎（三重大学） | 結晶工学 | 21p-146-14 | 高温アニールしたAlNのクラック抑制と高品質化（林 侑介2，正直 花奈子3，永松 謙太郎1，吉田 治正1，三宅 秀人2,3 (1.三重大地域イノベ推進機構，2.三重大院地域イノベ，3.三重大院工)） |
| 齊藤 雄太（産業技術総合研究所） | 非晶質・微結晶 | 19p-231A-3 | 不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明（須藤 祐司2，フォンス ポール1，コロボフ アレクサンダー1，進藤 怜史3，畑山 祥吾2，雙 逸2，コジーナ ゼニア4，スケルトン ジョナサン5，小林 啓介6 (1.産総研ナノエレ，2.東北大工，3.東北大工(現:長岡技科大)，4.ヘルムホルツ研，5.バース大，6.JASRI)） |
| 井上 太一（大阪府立大学大学院工学研究科） | ナノカーボン | 18p-PB3-93 | MoS2とグラフェンの積層によるナノ電気機械共振器の熱膨張の抑制（望月 裕太，竹井 邦晴，有江 隆之，秋田 成司 (阪府大工)） |
| 深澤 佑介（慶應義塾大学） | ナノカーボン | 20a-311-11 | Siチップ上での高速・高集積グラフェン黒体放射発光素子（三好 勇輔1，天坂 裕也1，レックマン ロビン1,2，横井 智哉1，河原 憲治3，吾郷 浩樹3，牧 英之1,4 (1.慶大理工，2.アーヘン工科大，3.九大，4.JST さきがけ)） |
| 曲 勇作（高知工科大学） | 合同セッションK（ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス） | 20p-234A-14 | Ar+O2+H2スパッタIn–Ga–Zn–OによるSchottkyダイオード特性向上（濵田 賢一朗1，増田 健太郎1，古田 守1,2 (1.高知工大院，2.高知工大総研)） |
