第44回（2018年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 遠藤 護（コロラド大物理） | 応用物理学一般 | 20p-F202-2 | デュアルアウトプット・マッハツェンダ光変調器とフェムト秒パルスを用いた，マイクロ波位相雑音の高精度測定（ショージ タイコ1，シブリ トーマス1,2,3,4(1.コロラド大物理，2.米国標準技術研究所，3.宇宙物理複合研究所，4.コロラド大)） |
| 川本 弘樹（東北大工） | 放射線 | 17p-A304-9 | 銀添加リン酸塩ガラスを構成するアルカリ金属の違いによるラジオフォトルミネッセンスの温度依存性変化（藤本 裕1，越水 正典1，岡田 豪2，柳田 健之2，浅井 圭介1 (1.東北大工，2.奈良先端大)） |
| 今枝 佳祐（早大理工） | 光・フォトニクス | 17a-A402-2 | 金三角形プレートに励起されるプラズモン固有モードの可視化（長谷川 誠樹，井村 考平 (早大理工)） |
| 齋藤 滉一郎（東大生研） | 光・フォトニクス | 17a-A402-6 | 円偏光によるキラルなプラズモニックナノ構造体の作製（立間 徹 (東大生研)） |
| Daisuke Inoue（Institute of Innovative Research, Tokyo Tech.） | 光・フォトニクス | 18p-B201-3 | High-speed direct modulation of 1.3 µm InAs quantum dot laser grown on on-axis (001) Si substrate（Daehwan Jung2，Yating Wan2，Justin Norman2，Nobuhiko Nishiyama1，Shigehisa Arai1，Arthur C. Gossard2，John E. Bowers2 (1.Institute of Innovative Research, Tokyo Tech.，2.Department of Electrical and Computer Engineering, UCSB)） |
| 濱 祐介（国立情報学研究所） | 光・フォトニクス | 19a-A302-3 | 2つのドメインから成るスピン系における負温度スピン状態への緩和現象（モンロー ウィリアム1,2，根本 香絵1 (1.国立情報学研究所，2.NTT物性基礎研)） |
| 嶽 文宏（ニコン研究開発本部） | 光・フォトニクス | 19p-A302-4 | 繰り返し誘導遷移を利用した超解像非線形蛍光顕微鏡（福武 直樹，林 世莉，瀧 優介 (ニコン研究開発本部)） |
| 高橋 孝（早大理工研／産総研オペランドOIL） | 光・フォトニクス | 19p-A404-13 | レーザーアブレーション閾値のフルエンス・パルス幅依存性（谷 峻太郎3，黒田 隆之助2，坂上 和之4，鷲尾 方一1，小林 洋平2,3 (1.早大理工研，2.産総研オペランドOIL，3.東大物性研，4.早大高等研)） |
| 小野 真証（NTTナノフォトニクスセンタ/NTT物性科学基礎研） | 光・フォトニクス | 20p-C301-13 | 30 x 20 nm2コアのプラズモニック導波路によるグラフェン光吸収の増強（畑 雅則2,3，野崎 謙悟1,2，角倉 久史1,2，納富 雅也1,2,3 (1.NTTナノフォトニクスセンタ，2.NTT物性科学基礎研，3.東工大理)） |
| 安原 颯（東京工業大学） | 薄膜・表面 | 19a-C102-3 | 酸化物ドットを担持したLiCoO2エピタキシャル薄膜の作製とその高速充放電特性のドット種依存性（吉川 祐未2，寺西 貴志2，安井 伸太郎1，谷山 智康1，伊藤 満1 (1.東京工業大学，2.岡山大学)） |
| 清水 貴博（早大院・先進理工/材研） | 薄膜・表面 | 19a-C104-2 | 基本モード/高次モード切替可能な常誘電相PMN-PT/強誘電相PZT分極反転エピ膜共振子（柳谷 隆彦1,2,3 (1.早大院・先進理工，2.材研，3.JSTさきがけ)） |
| 寺田 吏（阪大院基礎工） | 薄膜・表面 | 19a-F214-9 | 非整合チムニーラダー構造を有するFeGeγナノ結晶のSi基板上へのエピタキシャル成長（石部 貴史1，渡辺 健太郎1,2，中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工，2.CREST-JST)） |
| 竹中 啓輔 （阪大院工） | ビーム応用 | 20p-B401-1 | フェムト秒レーザー照射によりPLA表面へ形成したナノ周期構造上での細胞伸展制御（塚本 雅裕2，大賀 隆寛1，佐藤 雄二2，清家 翼3，吉田 実3，村井 健介4，浅井 知1 (1.阪大院工，2.阪大接合研，3.近大理工，4.産総研)） |
| 細井 祐吾（名大院工） | プラズマエレクトロニクス | 19p-C201-4 | プラズマ活性乳酸の物理化学解析（石川 健治1，橋爪 博司2，田中 宏昌2，吉川 文隆3，水野 正明3，堀 勝2 (1.名大院工，2.名大未来社会創造機構，3.名大院医)） |
| 吉川 侑汰（京大院工） | プラズマエレクトロニクス | 19p-C204-15 | プラズマ誘起ダメージを受けた局所構造の第一原理計算による解析（江利口 浩二 (京大院工)） |
| 大塚 美緒子（埼玉大学大学院） | 応用物性 | 17p-F102-3 | インピーダンススペクトロスコピー法に基づいた熱電変換モジュールの過渡応答に対するzTと熱電変換効率の評価（有坂 太一1，篠崎 諒1，森田 寛之2，長谷川 靖洋1 (1.埼玉大学大学院，2.埼玉産技総セ)） |
| 三澤 哲郎（東工大／産総研） | 応用物性 | 17p-F202-3 | 高絶縁性トポロジカル絶縁体Sn-BSTSにおける表面伝導のゲート制御（福山 康弘2，中村 秀司2，岡崎 雄馬2，名坂 成昭1，金子 晋久2，笹川 崇男1 (1.東工大，2.産総研)） |
| 藤原 耕輔（東北大工） | スピントロ二クス・マグネティクス | 18a-D104-11 | TMRセンサを用いた脳磁図・心磁図の室温計測（大兼 幹彦1，菅野 彰剛3，今田 昌宏2，城野 純一2，寺内 孝2，奥野 哲生2，有冨 勇治2，橋本 清文2，森川 雅弘2，土田 匡章2，中里 信和3，安藤 康夫1 (1.東北大工，2.コニカミノルタ，3.東北大医)） |
| Yota Takamura（MIT/Tokyo Tech） | スピントロ二クス・マグネティクス | 20p-D104-7 | Analysis of spin switching effect in GdN/NbN/GdN superconducting spin valves（Juan Pedro Cascales1，Rafael Goncalves1,2，Gregory M. Stephen3，Donald Heiman3，Atilgan Altinkok1,4，Clodoaldo Irineu Levartoski de Araujo2，Biswarup Satpati5，Valeria Lauter6，Jagadeesh S. Moodera1 (1.MIT，2.Federal Univ. of Vicosa，3.Northeastern Univ.，4.Giresun Univ.，5.Saha Inst. of Nuclear Phys.，6.Oak Ridge National Lab.)） |
| 土屋 雄司（名大工） | 超伝導 | 19p-B403-4 | バイクリスタル基板上SmBa2Cu3Oy薄膜における低温強磁場中磁束ピンニング特性（秋田 純弥1，一野 祐亮1，岡田 達典2，淡路 智2，吉田 隆1 (1.名大工，2.東北大)） |
| 重松 沙樹（北陸先端大 先端科学技術） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17p-D102-3 | 駆動劣化させた有機EL素子の質量分析イメージング（宮里 朗夫2，宮林 恵子3，酒井 平祐1，村田 英幸1 (1.北陸先端大 先端科学技術，2.北陸先端大 ナノセンター，3.静岡大院 総合科学技術)） |
| 関根 智仁（山形大ROEL） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 18a-A204-6 | 高感度印刷型圧力センサによる脈波伝搬速度の測定（菅野 亮1，田代 智也1，佐藤 純1，竹田 泰典1，熊木 大介1，Fabrice Domingues Dos Santos2，宮保 淳3，時任 静士1 (1.山形大ROEL，2.Piezotech，3.アルケマ株式会社)） |
| 稲垣 明里（神大院理） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 18a-F306-4 | マイクロ波散乱場断層イメージングシステムを用いた高濃度乳房における乳癌スクリーニング（木村 建次郎1,5,6，河野 誠之5,7，谷野 裕一5,7，三木 万由子2,5，高尾 信太郎2,5，渡邊 奈津子4,5，小西 豊4,5，岡本 交二4,5，松本 元3,5，山神 和彦3,5，美馬 勇輝5,6，土井 恭二5,6，木村 憲明5,6 (1.神大院理，2.兵庫がんセンター，3.神鋼病院，4.伍仁会，5.AMED，6.IGS，7.神大病院)） |
| 塩飽 黎（山形大学大学院有機材料システム研究科/山形大学ROEL） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 18p-D102-12 | フレキシブル印刷有機回路の乳酸センサ応用（松井 弘之1,2，長峯 邦明1,2，植松 真由1，眞野 泰誠1，丸山 祐樹1，野村 綾子2，土屋 和彦2，早坂 和将3，竹田 泰典2，福田 貴4，熊木 大介2，時任 静士1,2 (1.山形大学大学院有機材料システム研究科，2.山形大学ROEL，3.山形大学大学院理工学研究科，4.東ソー株式会社)） |
| 朝戸 良輔（奈良先端大） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 19a-A204-4 | フォトクロミックターアリーレンを用いた分子光熱変換材料（Jan Patrick Calupitan2，中嶋 琢也1，Jyh-Chiang Jiang3，河合 壯1 (1.奈良先端大，2.CNRS-CEMES，3.台湾科技大)） |
| 熊谷 翔平（東大院新領域） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 19a-D102-2 | 新奇低分子系ｎ型有機半導体の電子輸送特性（渡邉 峻一郎1,2，石井 宏幸3，福﨑 英治4，谷 征夫4，杉浦 寛記4，渡邉 哲也4，宇佐美 由久4，佐藤 寛泰5，山野 昭人5，黒澤 忠法1，竹谷 純一1，岡本 敏宏1,2 (1.東大院新領域，2.JST さきがけ，3.筑波大数物，4.富士フイルム，5.リガク)） |
| Xu Wang（Tokyo Univ.） | 半導体 | 17p-F206-2 | Kinetic Model for Thermal Oxidation of Germanium（Tomonori Nishimura，Takeaki Yajima，Akira Toriumi (Tokyo Univ.)） |
| 女屋 崇（明治大学／物質・材料研究機構） | 半導体 | 17p-F206-15 | 上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善（生田目 俊秀2,3，澤本 直美1，大井 暁彦2，池田 直樹2，知京 豊裕2，小椋 厚志1 (1.明治大学，2.物質・材料研究機構，3.CREST, JST)） |
| 浅野 元紀（NTT物性研） | 半導体 | 18p-C301-5 | ボトル光共振器と電気機械共振器とのエバネッセント結合（太田 竜一1，山本 俊2，岡本 創1，山口 浩司1 (1.NTT物性研，2.阪大基礎工)） |
| 小玉 小桃（筑波大学） | 半導体 | 19a-F202-2 | MBE法によるBaSi2pnホモ接合太陽電池の作製（都甲 薫，末益 崇 (筑波大学)） |
| Jihee Jeon（名古屋大院工） | 半導体 | 20a-C101-5 | Electrical Conduction Property at Metal/Heavily Sb-doped n-Ge1−xSnx Contact（Akihiro Suzuki1,2，Kouta Takahashi1,2，Osamu Nakatsuka1,3，Shigeaki Zaima3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.，2.Research Fellow of JSPS，3.IMaSS, Nagoya Univ.)） |
| 小久保 信彦（名大／産総研 GaN-OIL） | 結晶工学 | 19a-E202-1 | ラマン分光法によるGaN単結晶における貫通転位の歪み場解析（角岡 洋介1,2，藤榮 文博1，大原 淳士1，恩田 正一1，山田 永2，清水 三聡2，原田 俊太1，田川 美穂1，宇治原 徹1,2 (1.名大，2.産総研 GaN-OIL)） |
| 田村 陽平（東大工） | 結晶工学 | 19p-D103-3 | 4H-SiCにおける基底面部分転位の貫通刃状転位への変換現象に関する反応経路解析（榊間 大輝，波田野 明日可，泉 聡志 (東大工)） |
| 野口 宗隆（三菱電機） | 結晶工学 | 20p-D103-7 | SiC MOS反転層における電子散乱機構の実験的評価（岩松 俊明1，網城 啓之1，渡邊 寛1，喜多 浩之2，山川 聡1 (1.三菱電機，2.東大院工)） |
| 松崎 涼介（神戸大学） | 非晶質・微結晶 | 20a-G203-6 | 酸化亜鉛薄膜の誘導放出過程の膜厚依存性（安達 裕2，内野 隆司1 (1.神戸大学，2.物材機構)） |
| 松永 正広（名大VBL） | ナノカーボン | 17p-C303-14 | カーボンナノチューブ薄膜を用いた透明でフレキシブルな摩擦帯電型発電シート（廣谷 潤1，岸本 茂1，大野 雄高1,2 (1.名大工，2.名大未来研)） |
| 奥田 聡志（阪大産研／三菱電機(株)） | ナノカーボン | 18a-C202-12 | グラフェン表面弾性波センサによる電荷・質量の同時検出（金井 康1，小野 尭生1，嶋谷 政彰2，小川 新平2，生田 昂1,3，井上 恒一1，前橋 兼三1,3，松本 和彦1 (1.阪大産研，2.三菱電機(株)，3.東京農工大)） |
| 若林 諒（東工大物質理工学院） | 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 20p-E201-10 | 新規ワイドギャップ混晶半導体β-(Ga1-yScy)2O3（吉松 公平1，大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院，2.元素戦略)） |
