第27回(2009年秋季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

所属の表記は予稿集掲載内容より引用

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
清水森人(京大院工) 放射線 10p-TF-12 高速荷電粒子線に対する液体水標的の阻止断面積測定(京大院工:早川智之,関原和正,久野浩平,金田 実,今井 誠,土田秀次,柴田裕実,伊藤秋男)
藤井 翔(中央大理工) 9p-A-6 レーザーによる金表面上でのDNA伸張固定操作(中央大理工:金井塚勝彦,鳥谷部祥一,岡本哲明,宗行英朗,芳賀正明)
竪 直也 (東大工) 11a-D-4 ナノフォトニックコードを用いた階層的ホログラム(東大工1,NICT2,大日本印刷3:野村 航1,成瀬 誠1,2,八井 崇1,川添 忠1,法元盛久3,大八木康之3,福山徳博3,北村 満3,大津元一1
太田泰友(東大ナノ量子,東大生研) 量子エレクトロニクス 9p-B-2 量子ドット-ナノ共振器強結合系における発光スペクトルの温度依存性(東大ナノ量子機構1,東大生研2,NEC ナノエレ研3:熊谷直人1,大河内俊介1,3,白根昌之1,3,野村政宏1,石田悟己2,岩本 敏1,2,萬 伸一1,3,荒川泰彦1,2
中村智也(東海大理) 量子エレクトロニクス 11a-V-6 全気相型化学沃素レーザー(AGIL)(東海大理1,慶大理工2:増田泰造2,遠藤雅守1,内山太郎2
武田浩司 (東大先端研,東大院工) 光エレクトロニクス 9a-ZN-7 MZI双安定レーザーを用いた全光フリップ・フロップの動的動作実証(東大先端研1,東大院工2:竹中 充2,種村拓夫1,2,財津 優1,2,中野義昭1,2
大岩政基(防衛大 通信工学) 光エレクトロニクス 11a-P8-48 2重波長分散付与による2次時間軸Talbot効果を用いた全光クロック抽出(防衛大通信:南 俊輔,辻健一郎,小野寺紀明,猿渡正俊)
改正清広(京大院工) 薄膜・表面 9a-L-7 Nanoinkjet Printing法によるイオン液体微小液滴・超薄膜の堆積およびその評価(京大院工1,京大ICC2:小林 圭2,山田啓文1,松重和美1
八尋孝典(阪大院工) 薄膜・表面 9p-F-5 酸化コバルト微粒子を用いたグラファイト生成過程のその場TEM観察II(阪大院工:高井義造)
湊 丈俊 (東北大融合研,理研) 薄膜・表面 9p-G-9 二酸化チタンの原子欠陥が創る電子状態(東北大融合研1,理研川合表面化学2,東北大多元研3,東工大総合理工4,東大新領域5,ピッツバーグ大物理6,ドノスティア国際物理センター7,中国科学技術大8:道祖尾恭之3,金 有洙2,加藤浩之2,秋鹿研一4,川合真紀2, 5,Jin Zhao6,Hrvoje Petek6, 7,Tian Huang8,WeiHe8,Bing Wang8,Zhuo Wang8,Yao Zhao8,Jinlong Yang8,J.G. Hou8
小塚裕介(東大新領域) 薄膜・表面 9p-H-8 チタン酸ストロンチウム極薄膜におけるシュブニコフ・ドハース振動(東大新領域1,JST2:金 民祐1,クリストファー ベル1,2,疋田育之1,ハロルド ファン1,2
跡部英正(産総研,東理大,CREST-JST) ビーム応用 8a-ZC-6 スピンコートされた光ナノインプリント樹脂の粘度特性評価(産総研1,東理大2,CREST-JST3:廣島 洋1,3,王 清1,3
吉田知也(産総研) ビーム応用 10p-ZM-6 二層膜によるイオン照射誘起薄膜変形効果の促進とそのメカニズム(産総研:長尾昌善,金丸正剛)
舩木 毅(シャープ) プラズマエレクトロニクス 10p-N-4 狭ギャップマイクロ波水素プラズマにより高速エッチングされたSi表面の評価(シャープ1,阪大院工2:中濱康治1,棱野 勝 1,安武 潔2,大参宏昌2
辻 晃弘(神戸大院工) プラズマエレクトロニクス 10p-R-8 スロットアンテナからの放射電界とプラズマ分布に関する数値計算(神戸大院工:八坂保能,竹野裕正)
武田浩太郎(東工大院理工) 応用物性 8p-ZH-2 機械的共振周波数におけるLiNbO3単結晶の電気光学効果と圧電特性の相関関係(東工大院理工:保科拓也,武田博明,鶴見敬章)
梅野顕憲(東大生研, CREST-JST, 東大ナノ量子) 応用物性 10p-ZH-14 金微小接合におけるエレクトロマイグレーションの温度依存性による素過程の検討(東大生研1 ,CREST-JST2 ,東大ナノ量子機構3 :吉田健治1,2,3 ,坂田修一1,2,3 ,平川一彦1,2,3
Lixian Jiang(東北大学) スピントロニクス・マグネティクス 8a-ZD-6 Magneto-resistance effect in MgO-based double-barrier Magnetic Tunnel Junctions(東北大学:永沼 博,大兼幹彦,安藤康夫)
片瀬貴義(東工大応セラ研) 超伝導 8a-S-5 原子平坦面を有する鉄系高温超伝導体Co添加BaFe2As2薄膜の作製(東工大応セラ研1 ,科技機構 ERATO-SORST2,東工大フロンティア3 :平松秀典2 ,柳 博1,神谷利夫1,2 ,平野正浩2,3 ,細野秀雄 1,2,3
小嶋崇文 (国立天文台,大阪府大,学振DC) 超伝導 8p-R-4 Al/SiO2/NbTiN同調回路を用いたテラヘルツ帯低雑音Nb/AlOx/Nbミキサ(国立天文台1,大阪府大2,学振DC3,紫金山天文台4,情通機構5:マティアス クロッグ1,武田正典1,鵜澤佳徳1,藤井泰範1,単 文磊4,王 鎮5
深川弘彦(NHK 技研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 8p-K-8 分子間エネルギーバンド伝導を利用した大電流駆動有機トランジスタ (1)(NHK技研1,千葉大2,東工大3:渡邊康之2,工藤一浩2,藤田智博3,西田純一3,山下敬郎3,時任静士1
黒田雄介 (神戸大院工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 9p-ZA-10 1軸配向テンプレート上における強誘電性低分子の結晶成長素過程(神戸大院工1,ダイキン工業2:小谷哲浩2,高 明天2,金村 崇2,小柴康子1,三崎雅裕1,堀江 聡1,石田謙司1,上田裕清1
佐々木康祐(早大理工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 9p-ZL-14 有機シラン単分子膜パターン基板を用いた細胞接着評価 −癌細胞に対するカテキンの効果−(早大理工1,国立国際医療センター2:Anh Vu Hoang2,Thanh Chi Hoang2,山本英明1,大泊 巌1,佐藤裕子2,谷井孝至1,2
田中祐美子(早大院先進理工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 10p-ZC-6 アルカリ金属をドーピングしたBphenのラマン分光分析(早大院先進理工:古川行夫)
小林大輔(宇宙研) 半導体A(シリコン) 8p-TB-1 SOI CMOSデバイスで発生する放射線誘起パルスノイズSETの解析モデル(宇宙研:廣瀬和之)
沼田 達宏 (名大院工,SORST-JST) 半導体A(シリコン) 8p-TB-5 円筒GAA-MOSFETにおける弾道輸送I-V特性コンパクトモデル(名大院工1,阪大院工2,SORST-JST3:宇野重康1,3,中里和郎1,3,鎌倉良成2,森 伸也2
竹下 覚(慶大理工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 9p-TD-4 YVO4:Bi3+,Eu3+ナノ蛍光体が分散した透明な波長変換膜の光学特性評価(慶大理工1,シンロイヒ2:中山健司1,磯部徹彦1,澤山友博2,新倉誠司2
西川 敦 (阪大院工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 10a-TC-9 p-GaN/Eu添加GaN/n-GaN発光ダイオードによる室温電流注入赤色発光(阪大院工:川崎隆志,古川直樹,寺井慶和,藤原康文)
笠原健司 (九大院システム情報) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 10a-TH-2 ショットキー障壁を介したシリコンへのスピン注入とその電気的検出(九大院システム情報1,JST-さきがけ2,九大稲盛センター3,東京都市大総研4:安藤裕一郎1,浜屋宏平1,2,木村 崇3,澤野憲太郎4,宮尾正信1
鎌田 圭 (古河機械金属) 結晶工学 8p-N-8 Pr:Lu3Al5O12(LuAG)単結晶の大型化(古河機械金属1,東北大多元研2:堤 浩輔1,遠藤貴範1,佐藤浩樹1,薄 善行1,柳田健之2,吉川 彰2
都甲 薫(九大院システム情報) 結晶工学 10a-P6-11 SiGeミキシング誘起溶融成長による高移動度Ge薄膜/石英の形成(九大院システム情報:田中貴規,宮尾正信)
佐々木拓生(豊田工大) 結晶工学 11a-C-3 その場X線回折の三次元逆格子空間マップを用いたInGaAs/GaAsの歪緩和非対称性観測(豊田工大1,原子力機構2,兵庫県立大3:鈴木秀俊1,崔 炳久1,高橋正光2,藤川誠司2,新船幸二3,神谷 格1,大下祥雄1,山口真史1
開 達郎(東北大院工) 非結晶・微結晶 10a-ZB-11 メタルナノドットメモリの電荷保持特性に関する研究(東北大院工1,東北大国際高等融合領域研2,東北大院医工3:裴 艶麗2,小島俊哉1,裴 志哲1,木野久志1,福島誉史1,田中 徹1,3,小柳光正1
平野太一(東大生研) 応用物理一般 8p-ZB-4 流体中で動的結晶格子を形成する回転球の多体問題(東大生研:酒井啓司)
沖本治哉 (東北大金研) 合同セッションF「カーボンナノチューブの基礎と応用」 10a-ZR-1 インクジェット塗布法を用いた低電圧駆動SWCNT薄膜トランジスタの作製(東北大金研1,産総研2,CREST-JST3,首都大4,名大5,ブラザー工業6:竹延大志1,柳 和宏2,3,4,宮田耕充2,5,片浦弘道2,3,浅野武志6,岩佐義宏1
澤井 泰(東北大多元研) 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 11a-J-11 ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるZn極性ZnO基板上へのホモエピ成長(東北大多元研:天池宏明,羽豆耕治,秩父重英)