第23回（2007年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 占部継一郎（京大院工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 4p-ZB-3 | 被覆導線電極型大気圧低温プラズマジェットの放電特性と励起粒子分光計測（京大院工：伊藤陽介，久保 寔，橘 邦英） |
| 山本 洋（名大工） | 放射線・プラズマエレクトロニクス | 6a-ZA-16 | H2プラズマによるSiOCH低誘電率膜へのダメージ評価とダメージ発生機構の解明（I）（名大工1，片桐エンジニアリング2，COM電子開発3：高橋俊次1,2，竹田圭吾1，河内良太3，田 昭治2，関根 誠1，堀 勝1） |
| 佐藤峰斗（東工大総理工） | 光 | 7p-Q-3 | 近接場光レンズによる原子収束の数値シミュレーション（東工大総理工：伊藤治彦） |
| 山﨑俊輔（東大工） | 光 | 7p-Q-10 | 407nmの光源を用いたGaN-MSM構造による近接場フォトカレントの観測（東大工1，科技機構 SORST2：野村 航1，川添 忠2，大津元一1,2） |
| 西山宏昭（阪大院工） | 量子エレクトロニクス | 4p-Y-10 | フェムト秒レーザリソグラフィーによるシリカガラスの立体的表面構造形成（阪大院工1，産総研2：溝尻瑞枝1，西井準治2，平田好則1） |
| 鈴木隆行（電通大，JSTさきがけ） | 量子エレクトロニクス | 6a-Y-11 | ラマンサイドバンド光の超広帯域化と自発的搬送波位相の固定（電通大1，JSTさきがけ2：平井雅尊1，桂川眞幸1,2） |
| 加藤景子（物材機構） | 量子エレクトロニクス | 7p-Y-1 | カーボンナノチューブにおける超高速電子・格子ダイナミクス（物材機構1，ピッツバーグ大2：石岡邦江1，北島正弘1，唐 捷1，Hrvoje Petek2） |
| 大久保 徹（物材機構，早大理工） | 光エレクトロニクス | 5a-P5-14 | ハイブリッド型シリコンフォトニクスに向けたニオブ酸リチウム非線形光学デバイス（物材機構1，早大理工2，住友大阪セメント3：高 磊1,2，栗村 直1,2，中島啓幾2，市川潤一郎3，近藤勝利3） |
| 藤田和上（浜松ホトニクス中研） | 光エレクトロニクス | 7p-C-15 | フォノン共鳴−ミニバンド緩和構造を用いた量子カスケードレーザの室温連続発振（浜松ホトニクス中研：杉山厚志，落合隆英，古田慎一，枝村忠孝，秋草直大，山西正道，菅 博文） |
| 大谷佑介（金沢工大院工） | 薄膜・表面 | 5a-ZL-6 | Bi層状酸化物強誘電体／蛍光体構造の特性評価（金沢工大光電相互変換デバ研開セ：會澤康治） |
| 河野明大（早大理工） | 薄膜・表面 | 6a-F-5 | (100),(111)高濃度ボロンドープCVDダイヤモンドにおける異方的な結晶格子伸張（早大理工1，物材機構2：入山慎吾1，石綿 整1，岡田竜介1，高野義彦2，石井 明2，川原田洋1） |
| 片野 諭（理研，東北大通研） | 薄膜・表面 | 7a-P13-4 | Ni(110)表面における水素原子対のトンネル拡散（理研1，東大新領域2：金 有洙1，川合真紀1,2） |
| 樋口卓也（東大新領域） | 薄膜・表面 | 7p-ZT-9 | 極性表面の再構成に伴いホールドープされたLaVO3量子井戸の熱電特性（東大新領域1，JST2：堀田育志1，須崎友文1，Harold Y. Hwang1,2） |
| 長谷川拓也（横国大工） | ビーム応用 | 5p-W-15 | 超臨界乾燥を用いた２光子マイクロ光造形による３次元微細構造複製（横国大工1，JSTさきがけ2：丸尾昭二1,2） |
| 島倉智一（日立中研） | ビーム応用 | 6a-B-7 | ミラー電子顕微鏡法を応用したディスク欠陥検査技術の開発（日立中研：高橋由夫，菅谷昌和，大西忠志，長谷川正樹，太田洋也） |
| 青柳倫太郎（名工大） | 応用物性 | 5p-ZK-15 | NaNbO3-LiNbO3系無鉛圧電セラミックスの相転移と電気的諸特性（名工大：関森皓子，岩田 真，前田雅輝） |
| 堀出朋哉（京大工，JST） | 超伝導 | 7p-ZH-9 | YBa2Cu3O7-x 薄膜中の人工ピンが磁束のグラス−液体転移に及ぼす影響（九工大1，電中研2，静大工3，名大工4，九大工5，東大工6，JST7：松本 要1,7，Paolo Mele1,7，一瀬 中2,7，喜多隆介3,7，吉田 隆4,7，向田昌志5,7，堀井 滋6,7） |
| 須田理行（慶大理工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 5p-ZS-1 | Au-S結合界面に発現する強磁性とその光制御（慶大理工1，Spring-82:亀山直人1，鈴木基寛2，河村直己2，栄長泰明1） |
| 髙根澤和子（東大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 5p-ZS-10 | ナノ構造酸化亜鉛を用いた有機無機ハイブリッド薄膜太陽電池の高効率化（東大院工：但馬敬介，橋本和仁） |
| 石藤美紀（東北大多元研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 6a-M-8 | 金ナノ粒子を含む高分子ナノ集積体からの光第二高調波発生（東北大多元研：三ツ石方也，宮下徳治） |
| 瀧本 麦（北大院理） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 6p-P12-5 | 単一分子追跡によるナノギャップにおける脂質二分子膜内分子拡散性評価（北大院理：並河英紀，村越 敬） |
| 石飛秀和（理研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 8p-A-4 | アゾポリマーフィルムの集光レーザー照射による光誘起ポリマー移動（理研1，阪大院工2，Al Akhawayn Univ.3：田邊 守2，セカット・ズヘアー2,3，河田 聡1,2） |
| 飯島 純（東北大工，JST） | 半導体A（シリコン） | 5a-B-5 | Cu-Mn自己形成バリア層における余剰Mn排出機構（東北大工：藤井恵人，根石浩司，小池淳一） |
| 富田一行（東大院工，マテリアル工） | 半導体A（シリコン） | 5a-ZQ-9 | 基板加熱スパッタによるHfO2膜の結晶化促進と著しい誘電分散の出現（東大院工：喜多浩之，鳥海 明） |
| 小林茂樹 |
半導体A（シリコン） | 7a-ZL-7 | 一軸性応力によるp-FETにおけるCoulomb散乱移動度の向上（東芝研開セ：齋藤真澄，中林幸雄，内田 建） |
| 遠藤誠一 |
半導体A（シリコン） | 8a-ZL-4 | LSAとSpike-RTAの組合せによる極浅接合形成技術（ルネサステクノロジ：丸山祥輝，川崎洋司，山下朋弘，尾田秀一，井上靖朗） |
| 安藤裕一郎（九大院システム情報） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 5p-Q-2 | Fe3Si/Geヘテロエピタキシャル成長層の軸配向性の成長温度依存性の考察（九大院システム情報1，京大院エネルギー科学2，原研機構先端基礎3：上西隆文2，鳴海一雅3，熊野 守1，上田公二1，佐道泰造1，前田佳均2,3，宮尾正信1） |
| 都木宏之（東大ナノ量子機構，東大先端研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 6a-N-6 | 1.3μm 通信波長帯における単一量子ドットの光電流分光測定〜コヒーレント制御を目指して〜（東大ナノ量子機構1，東大先端研2，東大生研3：中岡俊裕1,3，渡邉克之1，熊谷直人1，岩本 敏1,2,3，荒川泰彦1,2,3） |
| 杉浦 俊（名大工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 6p-K-14 | HfO2ゲート絶縁膜を有するノーマリオフ型AlGaN/GaN MOSFET（名大工1，名大VBL2，松下電器3：岸本 茂1,2，水谷 孝1，黒田正行3，上田哲三3，田中 毅3） |
| 布袋孝則（大工大ナノ材料マイクロデバイス研） | 結晶工学 | 5a-E-1 | GaAs(001)基板を用いたPbSnTe/CdTeヘテロ接合の分子線エピタキシャル成長（大工大ナノ材料マイクロデバイス研：板倉智幸，小池一歩，矢野満明） |
| Storasta Liutauras（電中研） | 結晶工学 | 5a-ZN-4 | Enhanced annealing of the lifetime limiting defects in thick 4H-SiC epilayers（電中研：宮澤哲哉，土田秀一） |
| 小島一信（京大院工） | 結晶工学 | 5a-ZR-7 | InGaN 量子井戸レーザの光学利得と内部電界の関係（京大院工1，レーゲンスブルグ大物理2，日亜化学3：船戸 充1，川上養一1，ウルリヒ T シュワルツ1,2，長濱慎一3，向井孝志3） |
| 工藤卓也（神戸大院工） | 結晶工学 | 6p-E-2 | InAs/GaAs量子ドット自己形成過程のRHEEDシェブロン構造のその場分析とIn拡散効果（神戸大院工:井上知也，喜多 隆，和田 修） |
| 浜崎亜富（埼玉大院理工，物材機構） | 応用物理一般 | 5a-M-6 | 光化学反応の磁場効果測定を用いたイオン液体構造の検討（埼玉大院理工1，物材機構2，理研3：高増 正2，坂口喜生3，若狭雅信1） |
| 岸本和也（阪大院工） | 合同セッションD | 8a-ZV-6 | 大気圧プラズマ化学輸送法を用いたSi選択成長（阪大院工：森 哲哉，大参宏昌，垣内弘章，安武 潔） |
| 北 智洋（ERATO-JST，東北大通研） | 合同セッションE | 6a-S-3 | MOS-Gate付きIn0.56Ga0.44As縦型量子ドットにおける電子状態の制御（ERATO-JST1，東北大通研2：千葉大地1,2，大野裕三2，大野英男1,2） |
| 吉田秀人（阪大院理，CREST-JST） | 合同セッションF | 7p-T-11 | 環境TEMによるカーボンナノチューブ成長ダイナミクスの研究（阪大院理，CREST-JST：内山徹也，種本裕介，竹田精治） |
| 郡司遼佑（東北大金研） | 合同セッションK | 6a-ZL-18 | 導電性高分子を金属電極に用いた-c面ZnOショットキー接合の作製と電気特性（東北大金研1，CREST-JST2：中野匡規1，塚﨑 敦1，大友 明1，福村知昭1，川崎雅司1,2） |
