第6回（2005年度）応用物理学会業績賞 受賞者

第6回 応用物理学会業績賞（研究業績）

件名
面発光半導体レーザーの先駆的研究
受賞者
伊賀 健一

伊賀健一氏は，1977年に面発光レーザーを世界に先駆けて提唱し，1979年に初めて電流注入でレーザー発振を実現した．さらに，共振器の長さが10µm以下という極短共振器構造を提唱し，通常の半導体レーザーと比べて極めて小さな電流で動作するマイクロ構造レーザーを実証した．その後，同氏の研究チームは室温で連続的に動作するデバイスを実現して，実用化への道を切り拓き，1995年には素子の微小化を進めて，当時の半導体レーザーとして世界最小しきい値電流70マイクロアンペアを実現した．

これらの先駆的研究により，面発光レーザーという新しいデバイスの学術分野が世界的な規模で形成され，多くの研究機関で研究開発と実用化が進められている．同氏は，このデバイスの発明者として世界的に広く認知されている．特に，米国では，面発光レーザーを用いた超並列光伝送，光インターコネクトに関していくつかの国家プロジェクトが推進され，米国政府のナノテクノロジーイニシアティブのホームページにも日本発の革新的なIT技術として紹介されている．

このように，同氏の光エレクトロニクス分野における業績，特に面発光レーザーの発明から基礎技術開拓，デバイス実現にいたる研究は，世界的に新たな研究分野を創出し，産業的な発展にまで大きく貢献しており，日本発の創造性を世界に示した．さらに，面発光レーザーに関する業績は，微小共振器による自然放出制御，フォトニック結晶などの光・量子エレクトロニクスの新分野研究を誘発し，学術的にも大きな影響を与えている．同氏が，面発光レーザーを中心とし，かつ自らが発明した平板マイクロレンズアレイと統合した超並列光エレクトロニクスについては，当該研究に関する研究チームが文部省の中核的研究拠点（COE）の第一期課題の一つとして選定されるなど，学術的にも高く評価されてきた．

面発光レーザーは，近年ギガビットイーサなど短距離のデータ通信用光源として数百億円規模の市場に成長し，短距離高速通信網には不可欠のデバイスとなっている．さらに，面発光レーザーの低消費電力特性と高密度集積性を活かした超高速光インターコネクト技術は，大規模電子機器，集積システムの配線ボトルネックを打破する革新的技術として考えられている．今後のホーム光ネットワーク，センサーなどの多様な応用も期待され．世界的に面発光レーザーに関する多数のベンチャー企業を生み出すなど，社会的にも大きなインパクトをもたらした．これらの業績は，応用物理学会業績賞（研究業績）にまことにふさわしい．

伊賀健一氏　略歴