第43回（2017年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 徳光 聖茄（千歳科技大） | 応用物理学一般 | 6a-PA1-11 | 砂糖水における比旋光度-旋光度変換による旋光度予測式の導出（長谷川 誠 (千歳科技大)） |
| 河野 直樹（NAIST） | 放射線 | 7p-A401-4 | 量子井戸構造を有する有機無機ペロブスカイト型化合物のシンチレーション特性（越水 正典2，藤本 裕2，岡田 豪1，河口 範明1，柳田 健之1，浅井 圭介2 (1.NAIST，2.東北大院工)） |
| 森本 裕也（ミュンヘン大学/マックス・プランク量子光学研究所） | 光・フォトニクス | 5p-A402-6 | 電子線によるアト秒・オングストローム分解能イメージングに向けて（Baum Peter1,2 (1.ミュンヘン大学，2.マックス・プランク量子光学研究所)） |
| 森近 一貴（東大生研） | 光・フォトニクス | 6a-S45-1 | 赤外共鳴ナノアンテナを用いた表面増強非線形分光（草 史野2，竹上 明伸2，櫻井 敦教1，芦原 聡1 (1.東大生研，2.東京農工大)） |
| 山中 友輔（九大シス情） | 光・フォトニクス | 6p-C14-18 | 相互利得変調を用いた波長変換における消光比向上の検討（久保木 猛，加藤 和利 (九大シス情)） |
| 仲代 匡宏（京大院工） | 光・フォトニクス | 7a-A410-4 | 共振器結合系における結合位相の変調による光の動的制御（田中 良典，浅野 卓，野田 進 (京大院工)） |
| 松坂 修吾（東北大多元研） | 光・フォトニクス | 7p-S45-7 | 強く集光したベクトルビームによるレーザー微細穴あけ加工（小澤 祐市，佐藤 俊一 (東北大多元研)） |
| 鈴木 大地（東工大 未来研/学振DC） | 光・フォトニクス | 8p-A405-10 | 全方位非破壊検査に向けたフレキシブルテラヘルツスキャナーの開発（落合 雄輝，河野 行雄 (東工大 未来研)） |
| Masaru Onga（Univ. of Tokyo） | JSAP-OSA Joint Symposia2017 | 7a-A404-2 | Exciton Hall effect and transport of valley exciton in monolayer MoS2（Yijin Zhang2,3，Toshiya Ideue1，Yoshihiro Iwasa1,4 (1.Univ. of Tokyo，2.Osaka Univ.，3.Max-Planck-Inst.，4.RIKEN CEMS)） |
| 笹原 悠輝（東工大物質理工） | 薄膜・表面 | 6p-C23-6 | TiH2エピタキシャル薄膜の配向制御と電子輸送特性評価（清水 亮太1，中西 利栄1，杉山 一生1，西尾 和記1，大口 裕之2，折茂 慎一2,3，一杉 太郎1 (1.東工大物質理工，2.東北大AIMR，3.東北大金研)） |
| 神永 健一（東大院理/東北大院理） | 薄膜・表面 | 7p-A202-9 | LaOエピタキシャル薄膜の超伝導（岡 大地2，福村 知昭2,3,4，長谷川 哲也1 (1.東大院理，2.東北大院理，3.東北大WPI-AIMR，4.東北大スピントロニクス教育センター)） |
| 多賀 稜（東北大多元研） | 薄膜・表面 | 8p-C14-5 | 酸化Ni(111)表面の還元過程：水素雰囲気と真空雰囲気の比較（小川 修一，高桑 雄二（東北大多元研）） |
| 佐々木 祐生（JFCC/産総研） | ビーム応用 | 5p-S41-6 | グラフェンサンドイッチ構造を利用した液中タンパク質の常温・動的TEM観察（川﨑 忠寬1，越野 雅至2，佐藤 主税2，末永 和知2 (1.JFCC，2.産総研)） |
| 川口 悟（室蘭工大/学振特別研究員） | プラズマエレクトロニクス | 8p-A402-1 | N2ガスの電子衝突断面積（高橋 一弘，佐藤 孝紀 (室蘭工大)） |
| 高橋 一弘（室蘭工大） | プラズマエレクトロニクス | 8p-A402-11 | パルス放電照射による液中生成種のレート方程式解析(2)（川口 悟1,2，佐藤 孝紀1，川口 秀樹1，Timoshkin Igor3，Given Martin3，MacGregor Scott3 (1.室蘭工大，2.学振特別研究員，3.ストラスクライド大)） |
| 吉田 傑（京大院工） | 応用物性 | 6a-A502-13 | ルドルスデン-ポッパー相における強誘電性と構造相転移（藤田 晃司1，赤松 寛文2，Hernandez Olivier3，Gupta Arnab Sen4，Gibbs Alexandra5，久家 俊洋1，辻 涼介1，村井 俊介1，Gopalan Venkatraman4，田中 勝久1 (1.京大院工，2.九大院工，3.レンヌ第一大，4.ペンシルバニア州立大，5.ラザフォード・アップルトン研)） |
| 杉本 泰（神戸大院工） | 応用物性 | 6p-S44-4 | コロイド状シリコンナノ粒子の広範囲サイズ制御とその光学特性（藤井 稔 (神戸大院工)） |
| Xiang Qingyi（NIMS/Univ. Tsukuba） | スピントロニクス・マグネティクス | 5p-C18-10 | Voltage control of perpendicular magnetic anisotropy in Fe/MgAl2O4 heterostructures（Sukegawa Hiroaki1，Mufta Al-Mahdawi1，Mohamed Belmoubarik1，Shinya Kasai1，Yuya Sakuraba1，Seiji Mitani1,2，Kazuhiro Hono1,2 (1.NIMS，2.Univ. Tsukuba)） |
| 石田 茂之（産総研） | 超伝導 | 7a-S42-6 | 鉄系超伝導体Ba(Fe1-xCox)2As2単結晶の臨界電流特性へのポストアニール効果（宋 東俊1，荻野 拓1，伊豫 彰1，永崎 洋1，中島 正道2，下山 淳一3，カーゲルバウアー ダニエル4，アイスターラー マイケル4 (1.産総研，2.阪大理，3.青山学院大，4.ウィーン工科大)） |
| 松本 凌（物質・材料研究機構/筑波大） | 超伝導 | 7p-S42-4 | マルチメガバール領域での物性測定に向けた微小ダイヤモンド電極導入型ダイヤモンドアンビルセルの開発（山下 愛智1,2，原 裕1,2，入舩 徹男3，田中 博美4，竹屋 浩幸1，高野 義彦1,2 (1.物質・材料研究機構，2.筑波大，3.愛媛大，4.米子高専)） |
| 東郷 祥大（埼大院理工/シンシナティ小児病院） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 5a-A502-9 | ヒトiPS細胞由来肝臓オルガノイドを用いた炎症・線維化モデルの構築（大内 梨江2，篠澤 忠紘2，小池 博之2，吉川 洋史1，武部 貴則2 (1.埼大院理工，2.シンシナティ小児病院)） |
| 手島 哲彦（NTT物性研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 5a-A502-10 | 自己組立てされた筒状構造体による細胞の組立てと操作技術（中島 寛，上野 祐子，佐々木 智，ヘンダーソン カルム，塚田 信吾 (NTT物性研)） |
| 半田 岳人（京大化研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 6p-A501-7 | 長期安定な鉛フリーCH3NH3SnI3薄膜太陽電池の基礎光学特性（山田 琢允1，久保田 広文2，伊勢 翔吾2，宮本 佳洋2，金光 義彦1 (1.京大化研，2.CEREBA)） |
| 後藤 佑介（日立研開） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 7a-A503-7 | ソリッドナノポアDNAシーケンサにおける１塩基分離と双方向DNA制御（赤堀 玲奈，松井 一真，柳川 善光，青木 真由，柳 至，奈良 嘉和，吉田 真希子，横井 崇秀，武田 健一 (日立研開)） |
| 竹田 泰典（山形大学 ROEL） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 7p-A203-18 | 凸版反転印刷電極を用いた相補型有機オペアンプと発振器の開発（早坂 和将1，塩飽 黎1，森田 進2，岡本 朋子2，田中 康裕3，松井 弘之1，熊木 大介1，田邉 弘介2，時任 静士1 (1.山形大学 ROEL，2.DIC株式会社，3.宇部興産株式会社)） |
| Mengnan Ke（Tokyo Univ.） | 半導体 | 5a-C11-7 | Study on physical origins of slow traps for electrons and holes in ALD Al2O3/GeOx/Ge interfaces（Mitsuru Takenaka，Shinichi Takagi (Tokyo Univ.)） |
| 前田 拓也（京大院工） | 半導体 | 5p-C17-8 | GaN p-n接合ダイオードにおけるFranz-Keldysh効果に起因した光吸収（成田 哲生2,3，兼近 将一2，上杉 勉2，加地 徹3，木本 恒暢1，堀田 昌宏1，須田 淳1,3,4 (1.京大院工，2.豊田中央研究所，3.名大未来材料・システム研究所，4.名大院工)） |
| 武居 則久（阪大院工） | 半導体 | 6p-C21-3 | 高密度水素プラズマによるオンサイト生成シランを用いたシリコンエピ成長とドーピング（垣内 弘章，安武 潔，大参 宏昌 (阪大院工)） |
| 堀 匡寛（静大電研） | 半導体 | 7a-PB3-9 | チャージポンピングEDMR法を用いたシリコン酸化膜界面欠陥の検出（土屋 敏章，小野 行徳 (静大電研)） |
| 日恵野 敦（東芝） | 半導体 | 7p-C19-8 | 無電解メッキ法で作製した微細配線の電気特性（中西 務，田中 裕介 (東芝)） |
| 林 将平（産総研/東レリサーチセンター） | 結晶工学 | 6p-A201-6 | 4H-SiC PiN ダイオードの順方向通電劣化における電流密度と積層欠陥拡張起点の関係（Ⅱ）（山下 任1,3，先崎 純寿1，宮里 真樹1,4，呂 民雅1,4，宮島 將昭1,4，加藤 智久1，米澤 喜幸1，児島 一聡1，奥村 元1 (1.産総研，2.東レリサーチセンター，3.昭和電工，4.富士電機)） |
| 茂藤 健太（筑波大院/学振特別研究員） | 結晶工学 | 8a-C19-5 | 前駆体の原子密度制御による固相成長GeSn／ガラスの高移動度化（都甲 薫，吉峯 遼太，末益 崇 (筑波大院)） |
| 伊藤 公一（名大院工） | 結晶工学 | 8a-C19-7 | 熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御（大田 晃生1,2，黒澤 昌志1,2，洗平 昌晃1,2,3，池田 弥央1，牧原 克典1，宮崎 誠一1 (1.名大院工，2.名大高等研究院，3.名大未来研)） |
| 羽山 優介（名大院工） | 非晶質・微結晶 | 5a-A204-4 | データ科学的手法を用いた多結晶Si中の転位発生・伝搬の可視化（松本 哲也2，沓掛 健太朗3，高橋 勲1，工藤 博章2，宇佐美 徳隆1 (1.名大院工，2.名大院情報，3.東北大金研)） |
| WANG SHENGNAN（NTT Basic Research Labs） | ナノカーボン | 6a-C16-3 | Growth of uniform hexagonal boron nitride film using chemical vapor deposition（Alice Dearle1，Hiroki Hibino2,1，Kazuhide Kumakura1 (1.NTT Basic Research Labs.，2.Kwansei Gakuin Univ.)） |
| Fang Nan（Tokyo Univ.） | ナノカーボン | 6p-C16-11 | Band tail interface states and quantum capacitance in monolayer MoS2 FET（Kosuke Nagashio1,2 (1.Tokyo Univ.，2.PRESTO-JST)） |
| 井手 啓介（東工大フロ研） | 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | 6a-A203-1 | アモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の分離（岸田 陽介1，片瀬 貴義1，平松 秀典1,2，上田 茂典3，雲見 日出也2，細野 秀雄1,2，神谷 利夫1,2 (1.東工大フロ研，2.東工大元素セ，3.物質・材料研究機構)） |
