第40回（2016年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 坂田 義太朗（産総研） | 応用物理学一般 | 19p-S322-8 | 非接触な潜傷検査技術 -熱応力誘起光散乱法によるガラス基板表層の潜傷検出-（寺崎 正，野中 一洋 (産総研)） |
| 早川 大智（東大生研） | 応用物理学一般 | 20p-S322-9 | 前方光散乱を用いた微小液滴径のオンサイト測定（美谷 周二朗，酒井 啓司 (東大生研)） |
| 加田 渉（群馬大理工） | 放射線 | 19a-W810-6 | 超薄窓型単結晶ダイヤモンド荷電粒子検出器の開発(2)（神谷 富裕2，Grilj Veljko3，Skukan Natko3，Sudić Ivan3，Pomorski Michal4，牧野 高紘2，安藤 裕士1,2，神林 佑哉1,2，小野田 忍2，花泉 修1，Jakšić Milko3，大島 武2 (1.群馬大理工，2.原子力機構，3.RBI，4.CEA- LIST)） |
| Balois Maria（Innovative Photon Manipulation Research Team – RIKEN） | 光・フォトニクス | 19a-H116-2 | An all-optical method for determining temperature at the nanoscale via tip-enhanced THz-Raman spectroscopy（Hayazawa Norihiko1,2，Catalan Francesca Celine2，Kawata Satoshi3，Tanaka Takuo1，Yano Taka-aki4，Hayashi Tomohiro4 (1.Innovative Photon Manipulation Research Team – RIKEN，2.Surface and Interface Science Laboratory – RIKEN，3.Osaka University，4.Tokyo Institute of Technology)） |
| 池川 晶貴（東大院工） | 光・フォトニクス | 19a-S622-9 | ドレスト光子を用いた光増幅型のシリコン青・紫外光検出器の感度評価（川添 忠2，大津 元一1 (1.東大院工，2.NPOナノフォト)） |
| 栗原 貴之（東大物性研） | 光・フォトニクス | 19p-H135-7 | スピンダイナミクスと磁気秩序の高強度テラヘルツ磁場による制御 （末元 徹1，中嶋 誠2 (1.東大物性研，2.阪大レーザー研)） |
| 加藤 峰士（電通大/JST, ERATO知的光シンセサイザ） | 光・フォトニクス | 20p-H116-3 | チャープした超短パルスのスペクトル干渉を用いた距離イメージング法の開発（内田 めぐみ1，中嶋 善晶1,2，美濃島 薫1,2 (1.電通大，2.JST, ERATO知的光シンセサイザ)） |
| 澁谷 九輝（徳島大/JST-ERATO 美濃島知的光シンセサイザプロジェクト） | 光・フォトニクス | 21a-H116-7 | スキャンレスデュアルコム分光イメージング法の提案（松本 拓磨1，水谷 康弘2,3，岩田 哲郎1,3，安井 武史1,3 (1.徳島大，2.大阪大，3.JST-ERATO 美濃島知的光シンセサイザプロジェクト)） |
| 川越 寛之（名大院工） | 光・フォトニクス | 21p-S422-17 | 波長1.7um帯超高分解能フルレンジスペクトルドメインOCT（山中 真仁1，巻田 修一2，安野 嘉晃2，西澤 典彦1 (1.名大院工，2.筑波大COG)） |
| 齋藤 成之（東大物性研） | 光・フォトニクス | 21p-S622-16 | 極紫外アト秒パルスの赤外電場によるストリーク計測（石井 順久1，金井 輝人1，渡部 俊太郎2，板谷 治郎1 (1.東大物性研，2.東理大)） |
| 須藤 建瑠（東工大院/CREST） | 薄膜・表面 | 20a-H103-10 | パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成（矢板 潤也1,2，岩崎 孝之1,2,3，波多野 睦子1,2,3 (1.東工大院，2.CREST，3.ALCA)） |
| 鈴木 温（東大院理/KAST） | 薄膜・表面 | 21a-H103-10 | ソフト化学的Li挿入によるアナターゼ型TaONへのキャリアドープ（廣瀬 靖1,2，中尾 祥一郎2，中川 貴文1，岡田 洋史1，松尾 豊1，長谷川 哲也1,2 (1.東大院理，2.KAST)） |
| 笠松 秀輔（東大物性研） | 薄膜・表面 | 21a-W641-8 | 強誘電体薄膜のドメインダイナミクスと負のキャパシタンスの第一原理計算（渡邉 聡1，Han Seungwu2，Hwang Cheol Seong2 (1.東大院工，2.ソウル大)） |
| 塩足 亮隼（京大院理/東大新領域） | 薄膜・表面 | 21p-H113-2 | Cu表面上におけるNOの価電子状態と非弾性トンネル分光測定（奥山 弘，八田 振一郎，有賀 哲也 (京大院理)） |
| 小林 俊介（JFCC） | ビーム応用 | 21p-H137-3 | 走査型透過電子顕微鏡を用いたBaTiO3薄膜のナノドメイン構造解析（加藤 丈晴1，幾原 雄一1,2，山本 剛久1,3 (1.JFCC，2.東大総研，3.名大工)） |
| 深田 航平（東大院工） | プラズマエレクトロニクス | 22a-W621-10 | プラズマスプレーPVDによるLiイオン二次電池用Si-Ni複合ナノ負極の特性向上（太田 遼至，神原 淳 (東大院工)） |
| 大川 顕次郎（東工大応セラ研） | 応用物性 | 20p-S323-7 | 強い相対論効果を持つ非磁性半金属InBi単結晶における巨大磁気抵抗（加納 学，並木 宏允，笹川 崇男 (東工大応セラ研)） |
| 藤井 進（大阪大工） | 応用物性 | 21a-W323-3 | 層状Co酸化物における微視的熱伝導現象とその抑制機構（吉矢 真人1,2 (1.大阪大工，2.JFCC)） |
| Arai Keigo（MIT） | スピントロニクス・マグネティクス | 19p-W241-7 | Quantum manipulation of spins in diamond via magnetic field gradients（Lee Junghyun1，Zhang Huiliang2，Walsworth Ronald2 (1.MIT，2.Harvard Univ.)） |
| 岡田 達典（東大院総合） | 超伝導 | 20p-W833-18 | 磁束フローから見た鉄系超伝導体の超伝導ギャップ構造（今井 良宗，前田 京剛 (東大院総合)） |
| 塩谷 暢貴（京大化研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 20a-W242-11 | 赤外pMAIRS法を用いた有機半導体薄膜の構造異方性解析（波田 美耶子1，下赤 卓史1，枝 和男2，長谷川 健1 (1.京大化研，2.神戸大院理)） |
| 尾坂 美樹（京大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 20p-W531-5 | 電流計測原子間力顕微鏡で明らかにする共役高分子薄膜の電荷輸送構造（近藤 祐也，辨天 宏明，大北 英生，伊藤 紳三郎 (京大院工)） |
| 高橋 和也（阪大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 21a-W331-2 | 遠心熱対流PCRの流体解析と薬剤耐性菌遺伝子の迅速検出（齋藤 真人1，山本 倫久2，明田 幸宏2，朝野 和典3，民谷 栄一1 (1.阪大院工，2.阪大微研，3.阪大院医)） |
| 筒井 祐介（京大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 21a-W631-5 | マイクロ波共振法を用いたチエノアセンの特異な電荷輸送特性の解明（崔 旭鎮，櫻井 庸明，関 修平 (京大院工)） |
| 龍崎 奏（九大先導研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 21p-W351-13 | 溶液中における浮遊生体物質の形状分布解析法に基づくナノバイオセンサーの開発（筒井 真楠2，安井 隆雄3，横田 一道2，玉田 薫1，馬場 嘉信3，谷口 正輝2 (1.九大先導研，2.阪大産研，3.名大工学)） |
| 南 豪（山形大院理工/山形大ROEL） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 21p-W521-9 | 印刷デュアルゲート型有機トランジスタのバイオセンサ応用（陳 奕樸1,2，南木 創1,2，竹田 泰典1,2，眞野 泰誠1,2，福田 憲二郎3，時任 静士1,2 (1.山形大院理工，2.山形大ROEL，3.理研)） |
| Nithi Atthi（Tokyo Tech） | 半導体 | 19a-S224-5 | Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering（Ohmi Shun-ichiro (Tokyo Tech)） |
| 廣井 誉（ソーラーフロンティア/昭和シェル石油/東工大院理工） | 半導体 | 19p-W541-6 | Zn1-xMgxOバッファー層によるCu(In,Ga)S2薄膜太陽電池の変換効率改善（岩田 恭彰1,2，杉本 広紀1,2，山田 明3 (1.ソーラーフロンティア，2.昭和シェル石油，3.東工大院理工)） |
| 中堂薗 賢一（九大シス情） | 半導体 | 20a-S423-2 | フリップチップ超音波接合時の歪みと温度のその場観測（岩鍋 圭一郎，千田 洋輔，浅野 種正 (九大シス情)） |
| Xu Lun（Univ. Tokyo） | 半導体 | 20p-S221-14 | New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films（Nishimular Tomonori1，Shibayama Shigehisa1，Yajima Takeaki1，Migita Shinji2，Toriumi Akira1 (1.Univ. Tokyo，2.AIST)） |
| 上原 航（鳥大院工） | 半導体 | 22a-S423-7 | 生体イメージング用Mn5+付活Ca10(PO4)6(OH)2近赤外ナノ蛍光体の液相合成（石垣 雅2，岡本 優樹1，稲垣 徹1,4，大観 光徳1,3 (1.鳥大院工，2.TiFREC，3.TEDREC，4.宇部興産)） |
| 平井 悠久（東大院工） | 結晶工学 | 20p-H101-16 | 4H-SiC MOSFET移動度に対する熱酸化による基板特性劣化とダメージ層除去効果の競合（作田 良太，喜多 浩之 (東大院工)） |
| 土山 和晃（豊技大工） | 結晶工学 | 20p-H121-18 | Si/SiO2/GaN-LED構造を用いたSi-MOSFETおよびLEDのモノリシック集積（宇都宮 脩1，中川 翔太1，山根 啓補1，関口 寛人1，岡田 浩2,1，若原 昭浩1,2 (1.豊技大工，2.EIIRIS)） |
| 吉川 陽（旭化成） | 結晶工学 | 21p-H112-12 | 低温成長Cドーピングによる高品質InSb膜の成長方法（森下 朋浩，永瀬 和宏 (旭化成)） |
| 鈴木 涼太（明治大理工） | 非晶質・微結晶 | 19p-S011-3 | PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの影響評価（池野 成裕1,2，小島 拓人1，大下 祥雄3，小椋 厚志1 (1.明治大理工，2.学振特別研究員，3.豊田工大)） |
| 服部 吉晃（東大マテリアル） | ナノカーボン | 20p-S421-2 | 単結晶六方晶ボロンナイトライドの絶縁破壊強度の異方性（谷口 尚2，渡邊 賢司2，長汐 晃輔1,3 (1.東大マテリアル，2.NIMS，3.JST-さきがけ)） |
| 鎌田 果歩（阪大産研） | ナノカーボン | 21p-S011-10 | 糖鎖機能化グラフェンFETを用いたノイラミニダーゼ反応計測（小野 尭生1，金井 康1，大野 恭秀1,2，前橋 兼三1,3，井上 恒一1，渡邊 洋平4，河原 敏男5，鈴木 康夫5，中北 愼一6，松本 和彦1 (1.阪大産研，2.徳島大，3.東京農工大，4.京都府立医大，5.中部大，6.香川大)） |
| 金 正煥（東工大応セラ研） | 合同セッションK（ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス） | 22a-S222-7 | 超ワイドギャップアモルファス半導体a-Ga2Oxの実現とGa-Zn-O系のバンドアライメント（関谷 拓実，井手 啓介，平松 秀典，細野 秀雄，神谷 利夫 (東工大応セラ研)） |
