第37回（2014年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 長久保 白（阪大基礎工） | 応用物理学一般 | 18p-A15-8 | 極低温ピコ秒超音波法を用いたGaNのキャリアダイナミクスの観測と圧電定数計測（阪大基礎工：石原達也，荻博次，中村暢伴，平尾雅彦） |
| 手島 駿（千歳科技大） | 応用物理学一般 | 18p-A23-6 | 学生プロジェクトによる理科実験授業におけるタブレット端末の活用（千歳科技大：長谷川誠） |
| 古場 裕介（放医研） | 放射線 | 20a-B2-10 | シンチレーティングGlass GEMの炭素線に対する応答(3)（放医研1，東大2：藤原健2，松藤成弘1，高橋浩之2） |
| 草 史野（農工大工） | 光・フォトニクス | 17p-C1-6 | 中赤外超短パルスを用いた金ナノロッドからの光電界電子放出（農工大工1，東大生研2，ゲッティンゲン大3：芦原聡1,2，Katharina Echternkamp3，Claus Ropers3） |
| 松本 歩（京大院工） | 光・フォトニクス | 17p-S9-12 | 電析皮膜の液中レーザーアブレーション放出種に対するパルス幅の効果（京大院工：田村文香，天野健一，深見一弘，西直哉，作花哲夫） |
| 川端 祐斗（東大院工） | 光・フォトニクス | 18a-C6-8 | InP/InGaAsPモノリシック偏波変調器の提案と実証（東大院工：財津優，種村拓夫，中野義昭） |
| 鴻池 遼太郎（京大院工） | 光・フォトニクス | 18p-C8-13 | 離れた光ナノ共振器間での断熱的光転送の実証（京大院工：中川遥之，浅野卓，田中良典，野田進） |
| 羽田 真毅（東工大応セラ研/JST-さきがけ） | 光・フォトニクス | 19a-C2-7 | フェムト秒時間分解電子線回折法の開発（東工大応セラ研1，JST-さきがけ2，東工大院理工3，JST-CREST4：恩田健2,3，腰原伸也3,4，中村一隆1,4） |
| 向井 佑（京大院理） | 光・フォトニクス | 19p-C6-3 | スプリットリング共振器の高強度テラヘルツ近接磁場による非線形スピン波励起（京大院理1，京大iCeMS2，CREST JST3，京大院工4：廣理英基2,3，山本隆文4，陰山洋2,4，田中耕一郎1,2,3） |
| 堀川マイケル知樹（千葉大） | 光・フォトニクス | 19p-C8-4 | 同軸位相整合差周波光発生による中赤外(6.3-12.0µm)光渦（千葉大1，JST-CREST2：古城健司1，尾川あずさ1，宮本克彦1，尾松孝茂1,2） |
| Kyoko Namura（Kyoto Univ. / JSPS Research Fellow） | 薄膜・表面 | 18p-A11-4 | Microfluidic control by temporally modulated thermoplasmonics（Kyoto Univ.：Kaoru Nakajima，Kenji Kimura，Motofumi Suzuki） |
| 清水 荘雄（東工大元素） | 薄膜・表面 | 19p-A9-6 | 斜方晶構造を持つエピタキシャルHfO2系薄膜の作製と評価（東工大元素1，東工大総理工2：舟窪浩1,2） |
| 藤田 貴啓（東大院工） | 薄膜・表面 | 19p-A10-7 | パイロクロア型イリジウム酸化物ヘテロ接合における磁気ドメイン境界の制御と界面伝導の観測（東大院工1，東北大金研2，JSTさきがけ3，東大新領域4，理研CEMS5：佐野航1，打田正輝1，小塚裕介1，塚﨑敦2,3，有馬孝尚4,5，川﨑雅司1,5） |
| 狩野 絵美（筑波大数理，NIMS） | ビーム応用 | 19a-A14-7 | グラフェン上の金属原子のその場TEM観察（筑波大数理1，NIMS2：橋本綾子1,2，竹口雅樹1,2） |
| Yi Ding（Titech） | プラズマエレクトロニクス | 17a-S10-9 | Effect of crystallinity on optical, electrical and photovoltaic properties of silicon nanoparticles synthesized by non-thermal plasma（Titech：Shu Zhou, Michihiro Sugaya, Tomohiro Nozaki） |
| 佐々木 渉太（東北大院工） | プラズマエレクトロニクス | 17a-PB2-15 | 遺伝子細胞膜透過性に対するプラズマ照射起因電気的ストレスと酸化ストレスの効果（東北大院工1，東北大院医工2：神崎展2，金子俊郎1） |
| 金原 一樹（東工大院理工） | 応用物性 | 18p-A9-4 | 遠赤外エリプソメータを用いたBaTiO3単結晶のフォノン解析（東工大院理工：保科拓也，武田博明，鶴見敬章） |
| 稲垣 卓弘（NTT物性研） | 応用物性 | 19p-A9-9 | KTN結晶の電界誘起相転移を用いた低電圧駆動の光位相変調（NTT物性研1，NTTフォトニクス研2：今井欽之2，宮津純2，武居弘樹1，小林潤也2） |
| Duc Anh Le（東大院工） | スピントロニクス・マグネティクス | 20a-S10-8 | Enhancement of ferromagnetism by manipulating the wavefunctions in n-type ferromagnetic semiconductor (In,Fe)As quantum wells（東大院工：Nam Hai Pham，笠原裕一，岩佐義宏，田中雅明） |
| 竹内 尚輝（情通機構） | 超伝導 | 17p-A20-5 | ラッチ回路を用いた断熱磁束量子パラメトロン回路の高速動作実証（横国大：山梨裕希，吉川信行） |
| 藤岡 正弥（物材機構） | 超伝導 | 19p-A21-5 | 高フッ素濃度単結晶SmFeAsO1-xFxの微細加工技術を用いた超伝導特性評価（物材機構1，筑波大2：Saleem Denholme1，田中将嗣1，鈴木皓司1,2，原裕1,2，山木拓馬1,2，山下愛智1,2，山口尚秀1，竹屋浩幸1，高野義彦1,2） |
| 玉井 康成（京大院工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17p-A1-7 | 有機薄膜太陽電池における結晶性と自由電荷生成（京大院工1，JSTさきがけ2：津田一樹1，大北英生1,2，辨天宏明1，伊藤紳三郎1） |
| 猪瀬 朋子（阪大院理） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17p-A2-1 | Au(111)上オクタエチルポルフィリンダブルデッカー型単分子磁石のSTMを用いた単一分子操作（阪大院理1，東北大多元研2，九工大3：田中大輔1，Jie Liu2，田中啓文1,3，米田忠弘2，小川琢治1） |
| 田畑 顕一（筑波大数理物質） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17p-A3-4 | 発光性共振器としての自己集合化共役高分子マイクロ球体（筑波大数理物質1，デュイスブルグ-エッセン大2，筑波大TIMS3：Braam Daniel2，櫛田創1，童亮1，桑原純平1，神原貴樹1，Lorke Axcel2，山本洋平1,3） |
| 野田 祐樹（産総研FLEC） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 18a-A5-9 | 異種ミクロ液滴の特異な混合メカニズムと高度印刷薄膜製造技術への応用（産総研FLEC1，東大工2：峯廻洋美1，山田寿一1，長谷川達生1,2） |
| 稲田 なつみ（金大院） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 20a-A3-6 | 吸着抑制能を有するSAM/水界面の3次元相互作用力分布の直接計測（金大院1，金大バイオAFMセ2，JST ACT-C3：淺川雅2，宮澤佳甫1，福間剛士1,2,3） |
| 吉水 康人（東芝） | 半導体A（シリコン） | 17p-A14-8 | 半導体プロセスを用いたナノギャップ電極の作製（東芝：田中裕介，冨田寛） |
| 図師 知文（早大理工/学振特別研究員DC2） | 半導体A（シリコン） | 19p-A15-10 | 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察（早大理工1，筑波大2：大毛利健治2，山田啓作2，渡邉孝信1） |
| 張 亜（東大生研） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 18a-A27-10 | Terahertz intersublevel transitions in single self-assembled InAs quantum dots with variable electron numbers（東大生研1，東大INQIE2，LPA, Ecole Normale Superieure3：柴田憲治1，長井奈緒美1，G. Bastard1,3，C. Ndebeka-Bandou1,3，平川一彦1,2） |
| 西村 昂人（東工大院理工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 19a-A28-9 | Cu(In,Ga)Se2太陽電池へのCu(In,Ga)3Se5導入による界面再結合の抑制（東工大院理工1，太陽光発電システム研究センター2：平井義晃1，黒川康良1，山田明1,2） |
| 堀 信彦（茨城大院） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 20a-A27-1 | スパッタエッチングによるMg2Si結晶中のAg熱拡散深さの評価（茨城大院1，原子力機構2：江坂文孝2，鵜殿治彦1） |
| 正直 花奈子（東北大金研） | 結晶工学 | 18a-C5-4 | サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000)InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製（東北大金研1，JST, CREST2：崔正焄1，谷川智之1,2，窪谷茂幸1，花田貴1,2，片山竜二1,2，松岡隆志1,2） |
| 市川 修平（京大院工） | 結晶工学 | 18a-C5-12 | CLマッピング測定を用いたAlGaN系半導体における支配的な非輻射再結合経路の直接観察（京大院工1，JFEミネラル2：船戸充1，岩﨑洋介2，川上養一1） |
| チェ ギヒョン（東大ナノ量子機構） | 結晶工学 | 19p-C5-9 | GaNナノワイヤ量子ドットからの最大励起子分子束縛エネルギーの観測（東大ナノ量子機構1，東大生研2：Mark Holmes1，加古敏2，有田宗貴1，荒川泰彦1,2） |
| 久志本 真希（名大院工） | 結晶工学 | 20a-C5-10 | (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性（名大院工1，赤崎研究センター2：本田善央1，天野浩1,2） |
| 廣瀬 光太郎（東北大通研） | 非晶質・微結晶 | 19a-A25-5 | 走査型非線形誘電率顕微鏡によるアモルファスシリコン太陽電池のpin接合の可視化（東北大通研：茅根慎通，長康雄） |
| 壷井 佑夏（京大エネ研） | ナノカーボン | 18a-PA3-26 | CVD成長によるMoS2薄膜の合成と光電変換デバイスへ応用（京大エネ研1，名大院理2，JST-PRESTO3：王飛久1，小澤大知1，宮内雄平1,2,3，毛利真一郎1，松田一成1） |
| 蓬田 陽平（産総研） | ナノカーボン | 19p-B1-7 | 段階溶出による単層カーボンナノチューブの大量構造分離（産総研：都築真由美，魏小均，平野篤，藤井俊治郎，田中丈士，片浦弘道） |
| Yasuaki Kumamoto（RIKEN） | JSAP-OSA Joint Symposia | 20a-C3-5 | Indium for deep-UV plasmonics: Surface-enhanced Raman scattering（RIKEN1，Osaka Univ.2：Yuika Saito2，Atsushi Taguchi1,2，Mitsuhiro Honda1，Koichi Watanabe1，Satoshi Kawata1,2） |
| 野本 淳一（高知工科大総研） | 合同セッションK | 19a-A12-3 | クリティカルレイヤーを用いたスパッタAl添加ZnO透明導電膜キャリア輸送制御（高知工科大総研：牧野久雄，山本哲也） |
