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第36回(2014年春季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会
委員長 益 一哉

応用物理学会講演奨励賞は,春季及び秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これを称えることを目的としています.この度,2014年応用物理学会春季学術講演会で発表された3,542件の一般講演論文及び64件のシンポジウムのうち,予め申請のあった726件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,厳正な審査の結果,以下の38名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.

講演奨励賞受賞者は,講演会当日の会場審査,各大分類及び合同セッションによる推薦候補者の選出,講演奨励賞委員会における議論を経て,原則一般講演件数の1%程度を限度として絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,決定されます.

このようにして選出された受賞者には,2014年秋季講演会において会長から賞状と記念品が授与され,また,受賞記念講演を行う機会が与えられ,すばらしい成果を広くアピールすることができます.受賞者にはさらに,『Japanese Journal of Applied Physics』や『Applied Physics Express』などの一流学術雑誌での公表も強く奨励しております.

講演奨励賞が設置されて既に17年が経過しました.優秀な若手の人材育成,さらには日本及び国際社会の応用物理学ならびにその関連分野の発展に多少なりともつながっていると認識しています.本賞受賞者が,受賞を契機として一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍していただくとともに,まわりの後輩の方へ自らの経験を是非伝えていただきたいと思っております.

講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順に並べています.敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
応用物理学一般
菅原あずさ
(東北大工)
18p-F5-6共焦点サブハーモニック超音波フェーズドアレイによる広範囲の閉口き裂の深さ計測
(東北大工:神納健太郎,小原良和,山中一司)
鈴木健誠
(首都大院都市環境)
20p-F4-6異方性ナノコンポジットゲルの開発と配向記憶
(首都大院都市環境1,物材機構2:山登正文1,廣田憲之2
放射線
畠山修一
(東大工)
20a-F1-9硬 X 線検出用錫吸収体を搭載した超伝導転移端センサの開発
(東大工1,理研2,JAEA3:入松川知也1,大野雅史1,高橋浩之1,トゥシャラダマヤンティ2,大谷知行2,高崎浩司3,安宗貴志3,大西貴士3
中村友哉
(阪大院情)
18p-F10-15ライトフィールドイメージングにおける位相変調の実現
(阪大院情:堀崎遼一,谷田純)
久野恭平
(東工大資源研)
19a-F10-5動的光重合による分子配向制御とフィルムの光学物性
(東工大資源研:木下基,宍戸厚)
量子エレクトロニクス
澤田亮人
(東大院工)
17a-F7-7Enhanced Ionizationのボーム経路解析 2
(東大院工:佐藤健,石川顕一)
井上卓也
(京大院工)
18a-E16-10狭帯域熱輻射光源の電圧高速変調 -実験的実証-
(京大院工:中島嘉久,MenakaDeZoysa,浅野卓,野田進)
江藤修三
(電中研)
19p-D1-14大気圧条件下でパルスレーザー照射されたステンレス鋼表面の残留応力分布測定
(電中研:三浦靖史,谷純一,藤井隆)
光エレクトロニクス
冬木琢真
(京工繊大)
18p-F9-1MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振
(京工繊大:吉田憲司,吉岡諒,吉本昌広)
薄膜・表面
湊拓郎
(名大院工)
17p-D6-8低圧化学気相成長法によるグラフェン成長過程の反射高速電子回折その場観察
(名大院工:中原仁,安坂幸師,齋藤弥八)
村上永晃
(京大化研)
18p-E8-5LaAlO3/CaFeO2.5/SrTiO3ヘテロ構造中の酸化還元過程における酸素イオン拡散
(京大化研1,JST-CREST2:菅大介1,市川能也1,島川祐一1,2
熊谷明哉
(東北大環境科学研究科)
19a-D5-2界面イオン伝導顕微鏡の創製とLiイオン電池電極材料への応用
(東北大環境科学研究科1,東北大WPI-AIMR2,首都大東京都市環境3:高橋康史2,猪又宏貴1,棟方裕一3,伊野浩介1,珠玖仁1,金村聖志3,末永智一1,2
ビーム応用
森本直樹
(阪大院工)
18p-F1-7マルチライン状Mo埋め込みターゲットによる位相格子の自己像直接検出とX線位相イメージング
(阪大院工1,筑波大2,名大3:藤野翔1,大嶋建一2,原田仁平3,細井卓治1,渡部平司1,志村考功1
プラズマエレクトロニクス
加賀真城
(東大院)
19p-F3-6次世代Liイオン電池用PS-PVD Si系ナノ複合負極材料特性のCu添加による変化
(東大院:神原淳)
松田和久
(東芝 S&S社)
19p-F6-2LaAlSiOxのドライエッチング特性
(東芝 S&S社:佐々木俊行,大村光広,林久貴)
応用物性
長島一樹
(阪大産研)
18a-F11-4紙資源を利用した超フレキシブル不揮発性メモリ
(阪大産研1,imec2,九大農3:古賀大尚1,UmbertoCelano2,金井真樹1,北岡卓也3,能木雅也1,柳田剛1
寺西貴志
(岡山大工)
20a-F11-1(Ba,Sr)TiO3系強誘電体における分極のチューナビリティへの寄与
(岡山大工:曽我部剛,林秀考,岸本昭)
スピントロニクス・マグネティクス
深見俊輔
(東北大 CSIS)
19a-E7-1電流誘起磁壁移動素子のしきい電流と熱安定性の素子サイズ依存性
(東北大 CSIS1,東北大 通研2,東北大 WPI-AIMR3:山ノ内路彦1,2,池田正二1,2,大野英男1,2,3
超伝導
佐野京佑
(横浜国大)
17p-D4-7外部クロックを用いたSFQ時間測定回路の冷凍機内における動作実証
(横浜国大1,産総研2:村松祐希1,山梨裕希1,吉川信行1,全伸幸2,大久保雅隆2
辻本学
(京大院工)
18p-D1-18Bi2Sr2CaCu2O8+δテラヘルツ光源のメサ内温度分布制御による高出力化
(京大院工:中川裕也,吉岡佑介,前田圭穂,神原仁志,掛谷一弘)
有機分子・バイオエレクトロニクス
森大輔
(京大院工)
19a-E9-10狭バンドギャップDonor/Acceptor共役高分子を用いた高分子ブレンド薄膜太陽電池の高効率化
(京大院工1,JSTさきがけ2:辨天宏明1,大北英生1,2,伊藤紳三郎1
亀井潤
(東北大院工)
19p-E5-4バイオミメティック撥気泡表面の管内表面への作製
(東北大工1,東北大院工2,東北大多元研3,東北大WPI4:阿部博弥1,齊藤裕太2,下村政嗣3,4,藪浩3
山本俊介
(東北大多元研)
19p-E5-10高分子ナノシートをテンプレートとしたSiO2超薄膜の作製
(東北大多元研:園部和輝,三ツ石方也,宮下徳治)
山田雄介
(理研,東北大院理)
19p-E16-9導電性高分子PEDOT:PSS薄膜のTHz-IR帯光学特性の温度依存性
(理研1,東北大院理2,東北大金研3,山梨大院医工4:山下将嗣1,橋本顕一郎3,佐々木孝彦3,奥崎秀典4,大谷知行1,2
中野元博
(奈良先端大物質)
20p-E6-6単層カーボンナノチューブ/イオン液体ポリマーナノコンポジットの増強ゼーベック効果
(奈良先端大物質:野々口斐之,中嶋琢也,河合壯)
半導体A(シリコン)
青木真由
(日立中研)
18a-E14-10Via-last TSVとウェハ積層を用いた三次元CMOSデバイスの開発
(日立中研:古田太,朴澤一幸,花岡裕子,武田健一)
加藤公彦
(名大院工)
18p-D8-10熱酸化におけるGe(001)基板上Ge1-xSnx層の表面Sn析出に対する熱安定性
(名大院工:浅野孝典,田岡紀之,坂下満男,中塚理,財満鎭明)
小田穣
(産総研GNC)
18p-D8-15HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
(産総研GNC1,住友化学2:入沢寿史1,上牟田雄一1,JevasuwanWipakorn1,前田辰郎1,市川磨2,石原敏雄2,長田剛規2,手塚勉1
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
小林健悟
(東北大通研)
19a-D8-9多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制
(東北大通研1,MIT MTL2:畠山信也1,吉田智洋1,矢部裕平1,DanielPiedra2,TomasPalacios2,尾辻泰一1,末光哲也1
西田圭佑
(都市大工)
19a-E11-6n型ドープ引っ張り歪みGOIの作製と発光特性の評価
(都市大工:徐学俊,高林昂紀,吉田圭佑,澤野憲太郎,白木靖寛,丸泉琢也)
トープラサートポン カシディット
(東大工)
19p-D7-11プローブ構造を用いた量子構造太陽電池におけるキャリア走行時間の測定
(東大工1,東大先端研2,神戸大3:笠松直史3,藤井宏昌1,加田智之3,朝日重雄3,王云鵬2,渡辺健太郎2,杉山正和1,喜多隆3,中野義昭1
結晶工学
藤井拓郎
(NTTフォトニクス研)
18a-E11-8MOVPEによるSiO2/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長
(NTTフォトニクス研:佐藤具就,武田浩司,長谷部浩一,硴塚孝明,松尾慎治)
染谷満
(産総研先進パワエレ)
18p-E5-7ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案
(産総研先進パワエレ1,富士電機2:岡本大1,原田信介1,石森均1,高須伸次1,畠山哲夫1,武井学2,児島一聡1,米澤善幸1,福田憲司1,奥村元1
西中淳一
(京大院工)
19a-E13-9半極性(11-22)InGaN/AlGaN応力補償超格子のコヒーレント成長
(京大院工:船戸充,川上養一)
非晶質・微結晶
酒池耕平
(広大院 先端研)
19a-D2-11フレキシブル基板上での単結晶シリコンMOSFETの作製
(広大院 先端研:赤澤宗樹,中村将吾,東清一郎)
ナノカーボン
安野裕貴
(大阪府大院工)
17a-E2-14同位体ヘテロ接合グラフェンの合成と接合界面の特性
(大阪府大院工:竹井邦晴,秋田成司,有江隆之)
寺澤知潮
(東大院理)
20p-E2-6黒体輻射を用いたグラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察
(東大院理1,東大院新領域2:斉木幸一朗1,2
合同セッションK
大仲崇之
(阪工大)
19p-E10-7ZnO 溶液ゲート電界効果トランジスタを用いた免疫センサの作製と評価
(阪工大:池谷謙,広藤裕一,小池一歩,前元利彦,佐々誠彦,矢野満明)
(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)