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第35回(2013年秋季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 益 一哉

応用物理学会講演奨励賞は,春季及び秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これを称えることを目的としています.この度,2013年応用物理学会秋季学術講演会で発表された3,175件の一般講演論文及び40件のシンポジウムのうち,予め申請のあった563件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,厳正な審査の結果,以下の34名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.

講演奨励賞受賞者は,講演会当日の会場審査,各大分類及び合同セッションによる推薦候補者の選出,講演奨励賞委員会における議論を経て,原則一般講演件数の1%程度を限度として絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,決定されます.

このようにして選出された受賞者には,2014年春季講演会において会長から賞状と記念品が授与され,また,受賞記念講演を行う機会が与えられ,すばらしい成果を広くアピールすることができます.受賞者にはさらに,『Japanese Journal of Applied Physics』や『Applied Physics Express』などの一流学術雑誌での公表も強く奨励しております.

講演奨励賞が設置されて既に17年が経過し,受賞者数は600名を越えております.優秀な若手の人材育成,さらには日本及び国際社会の応用物理学ならびにその関連分野の発展に多少なりともつながっていると認識しています.本賞受賞者が,受賞を契機として一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍していただくとともに,まわりの後輩の方へ自らの経験を是非伝えていただきたいと思っております.

さて,この受賞紹介記事はどのような方が読まれているのでしょうか? 一体何だろうと思って読んでいる学生や若手研究者の方もおられると思います.先に述べたように,講演奨励賞は投稿時に『自らが』申請することから始まります.「自分の研究じゃダメだよなぁ」と最初からあきらめている人はいませんか? 投稿原稿をいつもより2,3日早く書いて,指導教員や指導者の方に余裕をもって見てもらってはどうでしょうか? 指導教員からの厳しいコメントはあるかもしれませんが,より良い原稿に仕上がるはずです.また,発表までの間の準備にも気合いが入るでしょう.是非チャレンジして下さい.

講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順に並べています.敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
応用物理学一般
アベ松賢一
(鹿児島大理)
18p-A2-6メタ磁性形状記憶合金Ni46Mn41In13の磁場中結晶構造評価
(鹿児島大理1,東北大金研2,東北大工3,東北学院大工4 : 梅津理恵2,貝沼亮介3,鹿又武4,渡辺和雄2,小山佳一1)
放射線
黒澤俊介
(東北大金研,東北大NICHe)
18a-A12-5赤・近赤外線発光シンチレータの開発と応用研究
(東北大金研1,東北大NICHe2,ロシア物理研3,C&A4 : 山路晃広1,Vladimir Kochurikhin3,横田有為2,鎌田圭2,4,吉川彰1,2,4
和田直樹
(東大工)
18p-C14-12ホモ接合Si-LED内のフォノン操作による発光スペクトル制御
(東大工 : 水島彩子,川添忠,大津元一)
鎌田啓吾
(京大院工)
19p-C14-1モジュール型光ポンピング原子磁気センサによるMEG計測に向けた生体ファントム実験
(京大院工1,キャノン2 : 佐藤大地1,伊藤陽介1,岡野一久2,水谷夏彦2,小林哲生1)
量子エレクトロニクス
西本昌哉
(京大院工)
17a-P14-5分子線エピタキシー法によるフォトニック結晶レーザ構造の作製II
(京大院工1,京大白眉2 : 石崎賢司1,前川亨平1,梁永1,北村恭子1,2,野田進1)
大久保章
(産総研)
19p-A3-2近赤外デュアルコム広帯域分光システムの開発
(産総研1,慶大理工2 : 岩國加奈2,稲場肇1,長谷川太郎2,保坂一元1,大苗敦1,佐々田博之2,洪鋒雷1)
大間知潤子
(東大院工)
19p-A14-2高分解能レーザー光電子分光のための5.9eV光源のファブリーペロー共振器を用いた高繰り返し化
(東大工1,東大理2 : 吉岡孝高2,五神真1,2
光エレクトロニクス
顧暁冬
(東工大精研)
19a-P2-10Ultra-compact Bragg Reflector Waveguide Modulator with Large Response Bandwidth and Low Power Consumption
(東工大精研1,東工大技術部2 : 島田敏和1,松谷晃宏2,小山二三夫1)
高武直弘
(阪大)
19p-A8-2分極反転構造アンテナ電極電気光学変調器を用いたミリ波帯無線信号-光信号変換の指向性制御
(阪大 : 村田博司,岡村康行)
薄膜・表面
川崎聖治
(東大物性研)
17a-D3-6FM-AFMによる光触媒SrTiO3上の水和構造観察
(東大物性研1,神戸大理2 : 水光俊介2,高橋竜太1,大西洋2,ミック リップマー1)
橘田晃宜
(産総研・ユビキタス)
18p-D2-8走査トンネル顕微鏡と中エネルギーイオン散乱法によるチタン酸リチウム Li4Ti5O12(111)表面の原子レベル構造解明
(産総研・ユビキタス1,立命館大・理工2 : 松田太志2,前田泰1,秋田知樹1,田中真悟1,城戸義明2,香山正憲1)
宮田一輝
(金大院)
19a-D2-6低遅延・広帯域PLLを用いた液中FM-AFMによる高速原子分解能観察
(金大院1,金大バイオAFMセ2,ACT-C/JST3 : 淺川雅2,福間剛士1,2,3
ビーム応用
治田充貴
(物材研,京大化研)
16a-A13-2金属酸化物における酸素の電子状態マッピング
(物材研1,京大化研2 : 長井拓郎1,倉嶋敬次1,島川祐一2,倉田博基2,木本浩司1)
プラズマエレクトロニクス
村木裕
(阪大院工)
17a-C2-4HBrプラズマにおける斜め入射イオンおよび反応生成物(SiBrx)イオンによる反応
(阪大院工1,東京エレクトロン2 : 李虎1,伊藤智子1,唐橋一浩1,松隈正明2,浜口智志1)
重歳卓志
(ソニー)
17a-C2-5CHxFyプラズマエッチング時のSiO2/Si界面準位の生成
(ソニー : 深沢正永,長畑和典,辰巳哲也)
応用物性
藤曲央武
(北大,量集センター)
19p-P2-7Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ナノワイヤ上の強磁性体MnAsナノクラスタ複合構造の作製と構造評価
(北大,量集センター : 崎田晋哉,原真二郎)
スピントロニクス・マグネティクス
金井駿
(東北大通研)
17p-C15-18電界誘起磁化歳差運動の実時間観測
(東北大通研1,東北大CSIS2,電通大3,東北大WPI-AIMR4 : 山ノ内路彦1,2,池田正二1,2,仲谷栄伸3,松倉文礼1,2,4,大野英男1,2,4
超伝導
矢島健
(京大院工)
17p-C8-4d1正方格子を有する新規超伝導体BaTi2Sb2O
(京大院工1,阪大府理2,NIMS3,ANSTO4 : 中野晃佑1,竹入史隆1,小野俊雄2,細越裕子2,松下能孝3,James Hester4,小林洋治1,陰山洋1)
佐藤光
(東工大応セラ研)
19a-C9-4Jc BaFe2(As,P)2薄膜のヘテロエピタキシャル成長と等方的な磁束ピニング特性
(東工大応セラ研1,東工大元素センター2,東工大フロンティア3 : 平松秀典1,2,神谷利夫1,2,細野秀雄1,2,3
有機分子・バイオエレクトロニクス
河野顕輝
(豊橋技科大)
16a-C4-11カリウムイオンイメージセンサを用いた海馬スライスK+放出測定
(豊橋技科大1,EIIRIS2,JST-CREST3 : 櫻井孝司1,2,3,奥村弘一1,3,服部敏明1,3,石田誠1,2,3,澤田和明1,2,3
鳥羽亜沙美
(神戸大院工)
17p-C5-6レーザアニールによる熱変換型分子の配向制御
(神戸大院工1,奈良先端大2 : 佐伯宏之1,小柴康子1,三崎雅裕1,石田謙司1,葛原大軌2,山田容子2,上田裕清1)
佐野誠実
(名大院工)
17p-C7-13液晶性ブロック共重合体が示す動的光配向の速度論的考察
(名大院工1,名大VBL2,東大院新領域3 : 原光生1,永野修作2,篠原裕也3,雨宮慶幸3,関隆広1)
辻生翔一
(阪大院工)
20a-C4-5高移動度有機材料tris[4-(5-phenylthiophen-2-yl)phenyl]amineを用いた有機受光素子の効率改善に関する検討
(阪大院工1,琉球大2,福井工大3 : 梶井博武1,景山弘2,城田靖彦3,大森裕1)
半導体A(シリコン)
田中亮平
(阪大院工)
17p-B5-17極薄AlOx層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現
(阪大院工1,原子力機構2 : 秀島伊織1,箕浦佑也1,吉越章隆2,寺岡有殿2,細井卓治1,志村考功1,渡部平司1)
増田恭平
(立命館大)
19a-B4-4非対称形状を導入したプラズモニックメタマテリアルによる偏光検知非冷却赤外線センサ
(立命館大1,三菱電機2 : 高川陽輔1,小川新平2,木股雅章1)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
上田純平
(京大人環,京大地環)
17a-D7-6白色LED用蛍光体の光伝導度測定による消光機構の解明
(京大人環 : 田部勢津久)
中島秀朗
(物材機構,北大電子研,学振DC)
18a-D6-1(111)A面上量子ドットからの量子もつれ光子対生成
(物材機構1,北大電子研2 : 黒田隆1,熊野英和2,間野高明1,迫田和彰1,末宗幾夫2)
松下雄一郎
(東大院工,マックス−プランク研究所)
20p-D6-7SiCにおけるバンドギャップ変化の微視的メカニズムの解明: 内包空間を浮遊する特異な電子状態の発見
(東大院工 : 押山淳)
結晶工学
井上亮一
(鳥大工)
16a-B4-7インクジェット法による有機-無機ハイブリッド型ZnSSe系紫外APD光検出器の開発 〜表面保護膜による素子劣化の抑制〜
(鳥大工 : 稲垣雄介,筏津教行,藤本健,田中健太,田末章男,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止)
沼田諒平
(筑波大院)
18a-B4-2絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200°C)Al誘起成長
(筑波大院 数理物質1,名大院 工2,JST-CREST3 : 都甲薫1,大谷直生1,宇佐美徳隆2,3,末益崇1,3
非晶質・微結晶
吉田和貴
(東北大院工)
19a-A2-3化学エッチングによるTiO2結晶化ガラスの光触媒活性向上
(東北大院工1,京大化研2,東北大多元研3 : 正井博和2,高橋儀宏1,井原梨恵1,藤原巧1,加藤英樹3,垣花眞人3)
ナノカーボン
蒲江
(早大先進)
16p-B1-3遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層トランジスタ
(早大先進1,Academia Sinica2,東大院工3 : Jing-Kai Huang2,清水諒1,舟橋一真1,Lain-Jong Li2,岩佐義宏3,竹延大志1)
田邉真一
(NTT物性基礎研)
17a-B1-11SiC上グラフェンのダメージフリー転写
(NTT物性基礎研 : 古川一暁,日比野浩樹)
合同セッションK
上岡義弘
(奈良先端大)
17p-B4-13アモルファスInGaZnO TFTにおける低温水素アニールの影響
(奈良先端大 : 石河泰明,Bermundo Juan Paolo,山﨑はるか,浦川哲,長田至弘,堀田昌宏,浦岡行治)
(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)