第34回(2013年春季)応用物理学会講演奨励賞 受賞者

所属の表記は予稿集掲載内容より引用

大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順/敬称略

受賞者
(講演時の所属)
大分類分科名 講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者,所属)
久住 亮介(京大院農) 応用物理学一般 27p-B5-10 フェニルホスホン酸微結晶の三次元磁場配向化と固体NMR法による31P化学シフトテンソル解析(京大院農:木村史子,木村恒久)
松倉 史弥(山梨大院医工) 応用物理学一般 29a-B5-5 高音速薄膜装荷LiNbO3基板上の縦型漏洩弾性表面波(山梨大院医工:植松真人,保坂桂子,垣尾省司)
山下 良樹(京大院工) 放射線 30p-A6-2 エネルギー分解CTによる実効原子番号測定(京大院工1,原子力機構2,レイテック3:島一成1,木村優志1,神野郁夫1,大高雅彦2,橋本周2,荒邦章2,尾鍋秀明3
田村 守(阪府大ナノ科学・材セ,阪府大院工) 27p-G16-10 熱揺らぎによる超高精度ナノ光スクリーニングの原理開拓(阪府大ナノ科学・材セ:飯田琢也)
宮田 将司(阪大院工) 28a-A1-11 長距離および二次元等方伝搬を有する量子ドットプラズモン光源(阪大院工1,フォトニクスセ2:高原淳一1,2
平 祐介(名大院工) 量子エレクトロニクス 28p-D1-13 LiNbO3結晶を用いたテラヘルツ波のパラメトリック増幅(名大院工1,理研2:林伸一郎2,南出泰亜2,縄田耕二2,川瀬晃道1,2
原口 英介(三菱電機) 量子エレクトロニクス 29p-C1-7 単一光検出器による位相変調を加えた複数信号光のコヒーレントビーム結合(三菱電機:鈴木二郎,安藤俊行,平野嘉仁)
三上 勝大(阪大レーザー研,阪大院工) 量子エレクトロニクス 29p-C1-10 超短パルスレーザーによるレーザー損傷閾値の温度依存性 (3)(阪大レーザー研1,阪大院工2,レーザー総研3:本越伸二3,染川智弘3,實野孝久1,藤田雅之3,田中和夫2
Yusuf Nur Wijayanto(大阪大学大学院基礎工学研究科) 光エレクトロニクス 29a-B3-6 Analysis of Millimeter-Wave Electro-Optic Modulator Suspended to Gap-Embedded Patch-Antenna on Low-k Substrate(大阪大学大学院基礎工学研究科:村田博司,岡村康行)
藤原 宏平(阪大産研,理研ASI) 薄膜・表面 27p-F2-2 ユニポーラ型抵抗変化メモリーにおける局所酸化還元の観測(理研ASI1,高エネ研2,東大放射光3,東大院工4,東大院理5:堀場弘司2,3,4,永村直佳3,4,尾嶋正治3,4,高木英典1,5
麻生 亮太郎(京大化研) 薄膜・表面 28a-F2-9 SrRuO3エピタキシャル薄膜の走査型透過電子顕微鏡による局所構造・歪み解析(京大化研1,JST-CREST2:菅大介1,島川祐一1,2,倉田博基1,2
三村 憲一(産総研) 薄膜・表面 29a-D3-5 チタン酸バリウムナノキューブ規則配列集合膜の作製と電気特性(産総研:加藤一実)
鈴木 雅視(名工大) ビーム応用 29p-B2-16 イオンビームアシスト成膜によるc軸平行極性反転AlN多層構造の形成(名工大:柳谷隆彦)
竹田 圭吾(名大院工) プラズマエレクトロニクス 29p-B9-13 Behaviors of activated species generated by AC power excited non-equilibrium atmospheric pressure Ar plasma jet in atmosphere(名大院工1,NUエコ・エンジニアリング2:石川健治1,田中宏昌1,加納浩之2,関根誠1,堀勝1
坂田 修一(東大生研,東大ナノ量子機構) 応用物性 28p-B9-6 単一ポリフィリン分子トランジスタにおける分子の回転と異方性分子軌道の効果(東大生研1,東大ナノ量子機構2,JST-CREST3:北川裕一1,小尾匡司1,吉田健治1,2,石井和之1,平川一彦1,2,3
中山 裕康(東北大金研) スピントロ二クス・マグネティクス 28a-A7-10 スピンHall効果を介した磁気抵抗効果(東北大金研1,ヴァルター・マイスナー研2,デルフト工科大3,JST-PRESTO4,東北大WPI5,ミュンヘン工科大6,JST-CREST7,原研先端研8:MatthiasAlthammer2,Yan-TingChen3,内田健一1,4,梶原瑛祐1,菊池大介1,5,大谷隆史1,Stephan Gepraegs2,Matthias Opel2,高橋三郎1,Rudolf Gross2,6,Gerrit Bauer1,3,Sebastian Goennenwein2,齊藤英治1,5,7,8
鶴田 彰宏(名大工) 超伝導 29p-G3-5 BaHfO3添加量及び成膜温度の異なるSmBa2Cu3Oy薄膜の超伝導特性及び微細構造観察(名大工1,電中研2,九工大3,東北大4:吉田隆1,三浦峻1,一野祐亮1,一瀬中2,松本要3,淡路智4
井上 曜(阪大院工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 27a-G13-2 液晶モノマー/液晶複合系の重合相分離により形成される微細液晶液滴(阪大院工1,JSTさきがけ2:吉田浩之1,2,尾崎雅則1
細貝 拓也(岩手大) 有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-G13-4 π共役系有機分子の吸着によって形成される電荷移動準位の発現条件(千葉大:米澤恵一朗,加藤賢悟,上野信雄,解良聡)
前川 侑毅(東大工) 有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-G17-7 分子動力学法による半導体/バイオインターフェイス構造の基礎検討(東大工:坂田利弥,澁田靖)
齊藤 祐太(東北大多元研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 28p-PA9-7 カテコール基含有両親媒性高分子によるハニカム状無機ナノ粒子多孔質膜の作製(東北大多元研1,JSTさきがけ2:下村政嗣1,藪浩1,2
金原 雅晃(東北大多元研) 有機分子・バイオエレクトロニクス 29p-G15-2 シェルに金ナノ粒子が配列したコア-シェル型ポリマー微粒子の作製(東北大多元研1,東北大WPI2,JSTさきがけ3:下村政嗣1,2,藪浩1,3
馮 瑋(筑波大,JST-CREST) 半導体A(シリコン) 27p-PB5-2 Drain-Current Fluctuation during Dynamic Gate Bias in Si MOSFETs due to Random Telegraph Noise(筑波大1,JST-CREST2:山田啓作1,2,大毛利健治1,2
田畑 俊行(東大院工) 半導体A(シリコン) 28p-G2-9 高圧不活性ガスPDAによるAlN/Geゲートスタックの実現(東大院工:長汐晃輔,鳥海明)
市橋 史朗(名大院工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 28p-G4-11 NEA表面を利用した伝導電子エネルギーの直接測定(名大院工:志村大樹,西谷健治,原田俊太,桑原真人,伊藤孝寛,田川美穂,宇治原徹)
鈴木 一将(慶大理工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 28p-G20-4 量子ドット集合体への通信波長帯ピコ秒単一光子パルスのコヒーレントな転写・再生(慶大理工1,情報通信研究機構2:赤羽浩一2,山本直克2,早瀬潤子1
本村 俊一(九大総理工) 半導体B(探索的材料・物性・デバイス) 29p-G7-13 AgコートしたSi上に成長させたβ-FeSi2薄膜の微細構造解析(九大総理工1,神奈川産業技術センター2:林剛平1,板倉賢1,秋山賢輔2
今出 完(阪大院工) 結晶工学 28a-G21-1 Naフラックス法によるポイントシード上バルクGaN単結晶成長(阪大院工:村上航介,松尾大輔,今林弘毅,高澤秀生,轟夕摩,北本啓,丸山美帆子,吉村政志,森勇介)
川西 咲子(東大生研) 結晶工学 28a-G22-2 干渉縞を利用した溶融合金へのSiC溶解時の高温界面リアルタイム観察(東大生研1,トヨタ自動車2:吉川健1,森田一樹1,鈴木寛2,坂元秀光2
中村 亮裕(東大工) 結晶工学 30a-G21-1 水分解GaN系光電気化学電極における新規構造の提案(東大工1,GS+I2,東大先端研3:藤井克司2,杉山正和1,中野義昭3
岡山 太(JAXA宇宙研,明大院) 非晶質・微結晶 30a-A4-7 多結晶Siウエハー中の小角粒界の顕微フォトルミネッセンス解析(JAXA宇宙研1,明大院2,慶大理工3:宮崎直人2,平野梨伊1,3,田島道夫1,2,豊田裕之1,小椋厚志2
Mark Bissett(九大先導研) ナノカーボン 27p-G12-27 Investigation of mechanical strain of graphene by Raman spectroscopy(九大先導研1,東北大理2:泉田渉2,齋藤理一郎2,辻正治1,吾郷浩樹1
井福 亮太(東大院工) ナノカーボン 29a-G10-6 金属と接触したグラフェンの量子容量測定による状態密度の抽出と結合機構の解明(東大院工:長汐晃輔,西村知紀,鳥海明)
山﨑 はるか(奈良先端大) 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 29p-G19-14 アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響(奈良先端大1,日新電機2:石河泰明1,上岡義弘1,藤原将喜2,高橋英治2,安東靖典2,浦岡行治1
井上 純一(兵庫県大工) 合同セッションL「MEMS,NEMSの基礎と応用:異種機能集積化」 29p-PA4-2 MEMSデバイス向け厚膜PZT/PZTバイモルフ構造(兵庫県大工1,JST2:神田健介1,2,斎藤誉司2,藤田孝之1,2,前中一介1,2