第33回（2012年秋季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 江上 茂樹（早稲田大理工） | 応用物理学一般 | 13a-C11-6 | 弱磁性物質を対象としたファラデー顕微鏡の開発（阪大INSD：渡會 仁） |
| 坪田 陽一（北大） | 放射線 | 12a-C7-8 | TSSG 法によるGd2Si2O7:Ce単結晶シンチレータの合成と窒素中アニールによる発光量の改善（北大1，日立化成工業2：金子純一1，樋口幹雄1，石橋浩之2，西山修輔1，嶋岡毅紘1） |
| 三井田 佑輔（東北大医工） | 光 | 12a-F3-10 | 光ファイバプローブを用いた全光学式光音響計測の試み（東北大医工：松浦祐司） |
| 高橋 冬都（千葉大院融合） | 光 | 13p-PA9-9 | 光波の全角運動量を用いた金属ナノニードルのカイラル制御（千葉大院融合1，JST-CREST2：豊田耕平1，宮本克彦1，尾松孝茂1,2） |
| 金谷 英敏（東工大 総理工） | 量子エレクトロニクス | 11p-B1-13 | 厚いコレクタスペーサと狭井戸構造を持つ共鳴トンネルダイオードによる1.31THz 基本波発振（東工大 総理工：柴山裕孝，鈴木左文，浅田雅洋） |
| 角倉 久史（NTT物性基礎研，NTT NPC） | 量子エレクトロニクス | 13a-PA5-11 | シリコンフォトニック結晶共振器による銅等電子中心のPurcell効果（NTT物性基礎研1，NTT NPC2：倉持栄一1,2，谷山秀昭1,2，納富雅也1,2） |
| 小澤 陽（東大物性研，JST CREST） | 量子エレクトロニクス | 13p-B2-12 | 真空紫外周波数コムによる精密分光実験（東大物性研1, JST CREST2：小林洋平1,2） |
| 植竹 理人（富士通研） | 光エレクトロニクス | 12a-C6-9 | 高抵抗基板上LAN-WDM 4 波長集積AlGaInAs系DRレーザアレイ（富士通研：下山峰史，奥村滋一，松田 学，江川 満，山本剛之） |
| 武井 亮平（産総研，PECST） | 光エレクトロニクス | 12p-C5-14 | i線露光法を用いた超低損失シリコン導波路スポットサイズ変換器（産総研1，PECST2：鈴木政雄1,2，面田恵美子1,2，眞子祥子1,2，亀井利浩1,2，森 雅彦1,2，榊原陽一1,2） |
| 福地 厚（産総研） | 薄膜・表面 | 12p-C13-4 | BiFeO3薄膜を用いた強誘電抵抗変化メモリの動作特性（産総研：山田浩之，澤 彰仁） |
| 土井 悠生（阪大院基礎工） | 薄膜・表面 | 13p-C12-21 | ダイヤモンド中の単一NV中心における電荷状態の電気的制御（阪大院基礎工1, 産総研エネ部門2, Stuttgart大3：牧野俊晴2, 加藤宙光2, 小倉政彦2, 竹内大輔2, 大串秀世2, 山崎 聡2, Jorg Wrachtrup3, 三輪真嗣1, 鈴木義茂1, 水落憲和1） |
| 江原 祥隆（東工大院） | 薄膜・表面 | 14a-C10-9 | 放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察（東工大院1, 名大2, JASRI/SPring-83, NIMS/SPring-84：安井伸太郎1, 及川貴弘1, 白石貴久1, 山田智明2, 今井康彦3, 田尻寛男3, 坂田修身4, 舟窪 浩1） |
| 郭 登極（東大工） | ビーム応用 | 12a-C5-5 | FIB-CVDの実時間走査速度制御による空中水平ナノワイヤの長尺形成（東大工：米谷玲皇，割澤伸一，石原 直） |
| 堤 隆嘉（名大） | プラズマエレクトロニクス | 11p-E2-8 | 窒化ガリウム（GaN）向けサファイア基板の周波数領域型低コヒーレンス干渉計による温度計測（名大1，名城大2：竹田圭吾1，石川健治1，近藤博基1，太田貴之2，伊藤昌文2，関根 誠1，堀 勝1） |
| 中崎 暢也（京大院工） | プラズマエレクトロニクス | 13a-E3-11 | 分子動力学法によるSi/Cl，Si/Brビームエッチング表面反応解析：イオン入射エネルギー・角度と中性ラジカルフラックス比依存性（京大院工：津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧 髙一） |
| 船越 雄一朗（山形大院理工） | 応用物性 | 11a-C8-1 | 空気中で安定に取り扱える銅ナノ微粒子の合成と単離（山形大理：齋藤皓太，金井塚勝彦，坂本政臣，栗原正人） |
| 植田 正輝（東北大金研） | スピントロニクス・マグネティクス | 13p-H8-9 | Co2FexMn1-xSi電極を用いた巨大磁気抵抗素子の磁気伝導特性（東北大金研：桜庭裕弥，高梨弘毅） |
| 尾崎 壽紀（物質・材料研究機構） | 超伝導 | 12a-A2-1 | One-step合成法によるTe置換KxFe2-ySe2単結晶育成と超伝導特性（物質・材料研究機構1，筑波大2：竹屋浩幸1，出口啓太1,2，出村郷志1,2，原 裕1,2，渡邊 徹1,2，岡崎宏之1，Denholme Saleem1，山口尚秀1，高野義彦1,2） |
| マワルディ モハマド（岡山大自然） | 超伝導 | 14a-A2-6 | 高温超伝導SQUIDを用いた直流磁化率計の高感度計測法（岡山大自然：高木竜輝，堺 健司，紀和利彦，塚田啓二） |
| 山本 真人（千葉大院融合） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 11p-H1-15 | 色素分子をフローティングゲートにした光制御型単電子デバイスにおけるスイッチング特性（千葉大院融合1, 情通研未来2, 九州大先物化研3, 京都大院工4, 千葉大先進5, 科技機構さきがけ6：照井通文2，上田里永子2，今津圭介3，玉田 薫3，坂野 豪4，松田建児4，石井久夫1,5，野口 裕1,5,6） |
| 三津井 親彦（阪大産研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12p-H2-1 | W字型構造を有する含カルコゲン元素縮環パイ共役系分子を用いた高性能有機単結晶トランジスタ（阪大産研1，JNC石油化学2，リガク3：岡本敏宏1，山岸正和1，松下武司2，三輪一元1，中原勝正1，添田淳史1，佐藤寛泰3，山野昭人3，植村隆文1，竹谷純一1） |
| 福田 憲二郎（山形大院理工, 山形大ROEL） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12p-H2-9 | インクジェット銀電極を用いたフレキシブル有機トランジスタの実現（山形大院理工1, 山形大ROEL2：引地健太1,2，竹田泰典1,2，南木 創1,2，小林拓磨1,2，関根智仁1,2，熊木大介1,2，時任静士1,2） |
| 三宅 丈雄（東北大，JST-CREST） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 12p-H4-2 | 生体/食物からの直接バイオ発電システムの開発（東北大1，JST-CREST2：吉野修平1，大藤琢矢1，西澤松彦1,2） |
| 水野 斎（奈良先端大物質） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 13p-H2-12 | シアノ基置換（チオフェン/フェニレン）コオリゴマー結晶の発光増幅特性（奈良先端大物質1，産総研電子光技術2，京都工繊大院工芸3：前田拓郎1，柳 久雄1，佐々木史雄2，堀田 収3） |
| 張 睿（東大院工） | 半導体A（シリコン） | 12p-F4-11 | 0.7nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs（東大院工1，名大院工2：林 汝静1，黄 博勤1，田岡紀之1,2，竹中 充1，高木信一1） |
| 小濱 和之（産総研, 学振特別研究員） | 半導体A（シリコン） | 12p-F5-7 | ヘリウムイオン顕微鏡を用いて作製したタングステンピラーの微細構造および成長速度解析（産総研：飯島智彦，林田美咲，小川真一） |
| 上村 直（九大院総理工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 12p-F1-11 | ペロブスカイト型酸化物Sr2SnO4:Eu3+におけるフォトクロミック現象発現（九大院総理工1, 産総研2：山田浩志1,2，徐 超男1,2） |
| 河野 悠（立命館大理工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 13a-H8-3 | ZnO1-xSxバッファ層を用いた硫化スズ薄膜太陽電池の作成（立命館大理工：峯元高志） |
| 中村 航太郎（筑波大院 電子・物理工学専攻） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 14a-F2-3 | BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価（筑波大院 電子・物理工学専攻1，東北大金研2，JST-CREST3：馬場正和1，Khan M. Ajmal1，Weijie Du1，宇佐美徳隆2，原 康祐2，都甲 薫1，末益 崇1,3） |
| 関 和明（名大院工） | 結晶工学 | 12a-H7-3 | DPBフリー3C-SiCの溶液成長（名大院工：原田俊太，宇治原徹） |
| 光野 徹也（静岡大電子工） | 結晶工学 | 12p-H10-16 | 六角形状GaNマイクロディスクにおける擬ウィスパリングギャラリーモードによる光励起レーザ発振の検証（静岡大電子工1，山梨大院医工2，上智大理工3：酒井 優2，岸野克巳3，原 和彦1） |
| 石黒 真未（名城大・理工） | 結晶工学 | 14a-H10-9 | 窒化物半導体を用いた高感度なHFET型光センサー（名城大・理工1，名大・赤崎記念研究センター2：池田和弥1，水野正隆1，岩谷素顕1，竹内哲也1，上山 智1，赤崎 勇1,2） |
| 池田 諭（岐阜大） | 非晶質・微結晶 | 12a-F6-8 | 実時間分光エリプソメトリーによるa-Si:H/c-Siヘテロ接合界面特性の水素プラズマ処理効果の評価（岐阜大：松木伸行，藤原裕之） |
| 増渕 覚（東大生研，東大ナノ量子） | ナノカーボン | 12p-C2-2 | 高移動度グラフェン／h-BN細線における磁気整合効果（東大生研1，東大ナノ量子2，物材機構3，JSTさきがけ4：井口和之1，山口健洋1，大貫雅広1，森川 生1，荒井美穂1，渡邊賢司3，谷口 尚3，町田友樹1,2,4） |
| 平野 篤（産総研 ナノシステム，CREST） | ナノカーボン | 12p-E3-4 | ゲルをもちいたSWCNTsの半導体・金属分離の原理：熱力学的解析（産総研 ナノシステム1，CREST2：田中丈士1，片浦弘道1,2） |
| 菰田 潤哉（立命館大） | 合同セッションL | 13a-F7-7 | プラズモニック吸収体による中・遠赤外域多波長検知非冷却赤外線センサ（立命館大1，三菱電機2：増田恭平1，福島直樹1，小川新平2，木股雅章1） |
