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第33回(2012年秋季)応用物理学会講演奨励賞受賞者紹介

応用物理学会講演奨励賞委員会 委員長 宮崎 誠一

応用物理学会講演奨励賞は,春季および秋季の学術講演会において,応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し,これを称えることを目的としています.この度,2012年秋季応用物理学会学術講演会(愛媛大学・松山大学)で発表された3,593件の一般講演論文のうち,予め申請のあった661件の口頭,ポスター講演の発表者の中から,慎重な審査の結果,下記の36名の方々が選出されました.誠におめでとうございます.受賞者には,2013年春季講演会(神奈川工科大学)において,会長から賞状と記念品が授与される予定です.

ここで,講演奨励賞受賞者の選出方法について,簡単に紹介します.第一段階は講演発表会場での審査で,原則として座長,講演奨励賞審査員,講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います.評価の対象項目は,資格要件,発表内容の新規性と本人の寄与率,学術的インパクト又は有用性,プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ,講演予稿集の記述,などです.これらの結果をもとに,大分類分科と合同セッション毎に,推薦候補者が選出されます.第二段階の審査は,各大分類分科と合同セッションからの推薦リストと,同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに,講演奨励賞委員会で進められます.異なる分野間の比較を伴う困難な作業のため,真摯な議論が交わされた上で,講演奨励賞委員の合議によって,原則一般講演件数の1%程度を限度として受賞候補者が絞り込まれます.その後理事会の審議を経て,講演奨励賞受賞者が決定されます.

このようにして選出された受賞者は,非常に質の高い講演発表を行われた方々であり,該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会を得て,受賞に輝いた素晴らしい成果を広くアピールすることができます.受賞者にはこの記念講演に加えて,Japanese Journal of Applied PhysicsやApplied Physics Expressなどの一流学術雑誌での公表も強く奨励しております。

講演奨励賞が設置されて既に16年が経過しました.この間、講演奨励賞申請件数は第1回の434件から着実に増加し、最近では600件を越える件数となっています。本表彰制度が若手研究者に応用物理学会への参加・発表を促す原動力となってきたことを示唆しているものと考えております.また、受賞者は多様な方面でご活躍され、我が国あるいは世界をリードする人材として成長されていると期待しております。本賞受賞者が,これを踏み台としてまた一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍されるとともに、本制度が、優秀な若手の人材育成に繋がり、日本及び国際社会の持続的発展に貢献できることを念願する次第です.

講演奨励賞受賞者一覧表

(大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順に並べています.敬称は略させていただきました.ご了承ください.)
講演奨励賞受賞者
(講演時の所属)
講演番号 講演題目
(受賞者以外の共著者の所属:共著者)
応用物理学一般
江上 茂樹
(早稲田大理工)
13a-C11-6弱磁性物質を対象としたファラデー顕微鏡の開発
(阪大INSD : 渡會 仁)
放射線
坪田 陽一
(北大)
12a-C7-8TSSG 法によるGd2Si2O7:Ce単結晶シンチレータの合成と窒素中アニールによる発光量の改善
(北大1,日立化成工業2 : 金子純一1,樋口幹雄1,石橋浩之2,西山修輔1,嶋岡毅紘1
三井田 佑輔
(東北大医工)
12a-F3-10光ファイバプローブを用いた全光学式光音響計測の試み
(東北大医工 : 松浦祐司)
高橋 冬都
(千葉大院融合)
13p-PA9-9光波の全角運動量を用いた金属ナノニードルのカイラル制御
(千葉大院融合1,JST-CREST2 : 豊田耕平1,宮本克彦1,尾松孝茂1,2
量子エレクトロニクス
金谷 英敏
(東工大 総理工)
11p-B1-13厚いコレクタスペーサと狭井戸構造を持つ共鳴トンネルダイオードによる1.31THz 基本波発振
(東工大 総理工 : 柴山裕孝,鈴木左文,浅田雅洋)
角倉 久史
(NTT物性基礎研,NTT NPC)
13a-PA5-11シリコンフォトニック結晶共振器による銅等電子中心のPurcell効果
(NTT物性基礎研1,NTT NPC2 : 倉持栄一1,2,谷山秀昭1,2,納富雅也1,2
小澤 陽
(東大物性研,JST CREST)
13p-B2-12真空紫外周波数コムによる精密分光実験
(東大物性研1, JST CREST2 : 小林洋平1,2
光エレクトロニクス
植竹 理人
(富士通研)
12a-C6-9高抵抗基板上LAN-WDM 4 波長集積AlGaInAs系DRレーザアレイ
(富士通研 : 下山峰史,奥村滋一,松田 学,江川 満,山本剛之)
武井 亮平
(産総研,PECST)
12p-C5-14i線露光法を用いた超低損失シリコン導波路スポットサイズ変換器
(産総研1,PECST2 : 鈴木政雄1,2,面田恵美子1,2,眞子祥子1,2,亀井利浩1,2,森 雅彦1,2,榊原陽一1,2
薄膜・表面
福地 厚
(産総研)
12p-C13-4BiFeO3薄膜を用いた強誘電抵抗変化メモリの動作特性
(産総研 : 山田浩之,澤 彰仁)
土井 悠生
(阪大院基礎工)
13p-C12-21ダイヤモンド中の単一NV中心における電荷状態の電気的制御
(阪大院基礎工1, 産総研エネ部門2, Stuttgart大3 : 牧野俊晴2, 加藤宙光2, 小倉政彦2, 竹内大輔2, 大串秀世2, 山崎 聡2, Jorg Wrachtrup3, 三輪真嗣1, 鈴木義茂1, 水落憲和1)
江原 祥隆
(東工大院)
14a-C10-9放射光X線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察
(東工大院1, 名大2, JASRI/SPring-83, NIMS/SPring-84 : 安井伸太郎1, 及川貴弘1, 白石貴久1, 山田智明2, 今井康彦3, 田尻寛男3, 坂田修身4, 舟窪 浩1
ビーム応用
郭 登極
(東大工)
12a-C5-5FIB-CVDの実時間走査速度制御による空中水平ナノワイヤの長尺形成
(東大工 : 米谷玲皇,割澤伸一,石原 直)
プラズマエレクトロニクス
堤 隆嘉
(名大)
11p-E2-8窒化ガリウム(GaN)向けサファイア基板の周波数領域型低コヒーレンス干渉計による温度計測
(名大1,名城大2 : 竹田圭吾1,石川健治1,近藤博基1,太田貴之2,伊藤昌文2,関根 誠1,堀 勝1
中崎 暢也
(京大院工)
13a-E3-11分子動力学法によるSi/Cl,Si/Brビームエッチング表面反応解析:イオン入射エネルギー・角度と中性ラジカルフラックス比依存性
(京大院工 : 津田博隆,鷹尾祥典,江利口浩二,斧 髙一)
応用物性
船越 雄一朗
(山形大院理工)
11a-C8-1空気中で安定に取り扱える銅ナノ微粒子の合成と単離
(山形大理 : 齋藤皓太,金井塚勝彦,坂本政臣,栗原正人)
スピントロニクス・マグネティクス
植田 正輝
(東北大金研)
13p-H8-9Co2FexMn1-xSi電極を用いた巨大磁気抵抗素子の磁気伝導特性
(東北大金研 : 桜庭裕弥,高梨弘毅)
超伝導
尾崎 壽紀
(物質・材料研究機構)
12a-A2-1One-step合成法によるTe置換KxFe2-ySe2単結晶育成と超伝導特性
(物質・材料研究機構1,筑波大2 : 竹屋浩幸1,出口啓太1,2,出村郷志1,2,原 裕1,2,渡邊 徹1,2,岡崎宏之1,Denholme Saleem1,山口尚秀1,高野義彦1,2
マワルディ モハマド
(岡山大自然)
14a-A2-6高温超伝導SQUIDを用いた直流磁化率計の高感度計測法
(岡山大自然 : 高木竜輝,堺 健司,紀和利彦,塚田啓二)
有機分子・バイオエレクトロニクス
山本 真人
(千葉大院融合)
11p-H1-15色素分子をフローティングゲートにした光制御型単電子デバイスにおけるスイッチング特性
(千葉大院融合1, 情通研未来2, 九州大先物化研3, 京都大院工4, 千葉大先進5, 科技機構さきがけ6 : 照井通文2,上田里永子2,今津圭介3,玉田 薫3,坂野 豪4,松田建児4,石井久夫1,5,野口 裕1,5,6
三津井 親彦
(阪大産研)
12p-H2-1W字型構造を有する含カルコゲン元素縮環パイ共役系分子を用いた高性能有機単結晶トランジスタ
(阪大産研1,JNC石油化学2,リガク3 : 岡本敏宏1,山岸正和1,松下武司2,三輪一元1,中原勝正1,添田淳史1,佐藤寛泰3,山野昭人3,植村隆文1,竹谷純一1
福田 憲二郎
(山形大院理工, 山形大ROEL)
12p-H2-9インクジェット銀電極を用いたフレキシブル有機トランジスタの実現
(山形大院理工1, 山形大ROEL2 : 引地健太1,2,竹田泰典1,2,南木 創1,2,小林拓磨1,2,関根智仁1,2,熊木大介1,2,時任静士1,2
三宅 丈雄
(東北大,JST-CREST)
12p-H4-2生体/食物からの直接バイオ発電システムの開発
(東北大1,JST-CREST2 : 吉野修平1,大藤琢矢1,西澤松彦1,2
水野 斎
(奈良先端大物質)
13p-H2-12シアノ基置換(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー結晶の発光増幅特性
(奈良先端大物質1,産総研電子光技術2,京都工繊大院工芸3 : 前田拓郎1,柳 久雄1,佐々木史雄2,堀田 収3
半導体A(シリコン)
張 睿
(東大院工)
12p-F4-110.7nm超薄EOT HfO2/Al2O3/GeOx/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs
(東大院工1,名大院工2 : 林 汝静1,黄 博勤1,田岡紀之1,2,竹中 充1,高木信一1
小濱 和之
(産総研, 学振特別研究員)
12p-F5-7ヘリウムイオン顕微鏡を用いて作製したタングステンピラーの微細構造および成長速度解析
(産総研 : 飯島智彦,林田美咲,小川真一)
半導体B(探索的材料・物性・デバイス)
上村 直
(九大院総理工)
12p-F1-11ペロブスカイト型酸化物Sr2SnO4:Eu3+におけるフォトクロミック現象発現
(九大院総理工1, 産総研2 : 山田浩志1,2,徐 超男1,2
河野 悠
(立命館大理工)
13a-H8-3ZnO1-xSxバッファ層を用いた硫化スズ薄膜太陽電池の作成
(立命館大理工 : 峯元高志)
中村 航太郎
(筑波大院 電子・物理工学専攻)
14a-F2-3BaSi2エピタキシャル膜中のp型不純物原子AlとBの格子拡散および粒界拡散の評価
(筑波大院 電子・物理工学専攻1,東北大金研2,JST-CREST3 : 馬場正和1,Khan M. Ajmal1,Weijie Du1,宇佐美徳隆2,原 康祐2,都甲 薫1,末益 崇1,3
結晶工学
関 和明
(名大院工)
12a-H7-3DPBフリー3C-SiCの溶液成長
(名大院工 : 原田俊太,宇治原徹)
光野 徹也
(静岡大電子工)
12p-H10-16六角形状GaNマイクロディスクにおける擬ウィスパリングギャラリーモードによる光励起レーザ発振の検証
(静岡大電子工1,山梨大院医工2,上智大理工3 : 酒井 優2,岸野克巳3,原 和彦1
石黒 真未
(名城大・理工)
14a-H10-9窒化物半導体を用いた高感度なHFET型光センサー
(名城大・理工1,名大・赤崎記念研究センター2 : 池田和弥1,水野正隆1,岩谷素顕1,竹内哲也1,上山 智1,赤崎 勇1,2
非晶質・微結晶
池田 諭
(岐阜大)
12a-F6-8 実時間分光エリプソメトリーによるa-Si:H/c-Siヘテロ接合界面特性の水素プラズマ処理効果の評価
(岐阜大 : 松木伸行,藤原裕之)
ナノカーボン
増渕 覚
(東大生研,東大ナノ量子)
12p-C2-2高移動度グラフェン/h-BN細線における磁気整合効果
(東大生研1,東大ナノ量子2,物材機構3,JSTさきがけ4 : 井口和之1,山口健洋1,大貫雅広1,森川 生1,荒井美穂1,渡邊賢司3,谷口 尚3,町田友樹1,2,4
平野 篤
(産総研 ナノシステム,CREST)
12p-E3-4ゲルをもちいたSWCNTsの半導体・金属分離の原理:熱力学的解析
(産総研 ナノシステム1,CREST2 : 田中丈士1,片浦弘道1,2
合同セッションL
菰田 潤哉
(立命館大)
13a-F7-7プラズモニック吸収体による中・遠赤外域多波長検知非冷却赤外線センサ
(立命館大1,三菱電機2 : 増田恭平1,福島直樹1,小川新平2,木股雅章1
(所属の表記は予稿集掲載内容より引用)