第32回（2012年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者
所属の表記は予稿集掲載内容より引用
大分類分科ごとの講演発表日・講演番号のアルファベット順／敬称略
| 受賞者 （講演時の所属） |
大分類分科名 | 講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者，所属） |
|---|---|---|---|
| 遠藤 達郎（阪府大院工） | 応用物理一般 | 17a-C3-10 | ナノインプリントフォトニック結晶を用いたインフルエンザウイルスの検出（阪府大院工1，九大工2，SCIVAX3：梶田浩志3，山下知恵2，瀬戸弘一2，奥田徳路3，田中 覚3，三浦佳子2，久本秀明1） |
| 坂本 俊裕（東北大・JST, CREST） | 応用物理一般 | 17p-C3-20 | ボールSAWガスクロマトグラフを用いた多種類のガスの連続測定（東北大1，凸版印刷2，JST,CREST3：大久保道正1，萩原 啓1，岩谷隆光1,3，赤尾慎吾1,2,3，大木恒郎2,3，柳沢恭行1,2,3，中曽教尊1,2,3，辻 俊宏1,3，山中一司1,3） |
| 岸本 彩（早大理工） | 放射線 | 16a-C4-7 | 大面積モノリシックMPPCアレイを用いた新規DOI測定手法の開発（早大理工1，古河機械金属2，浜松ホトニクス3，神戸高専4：片岡 淳1，加藤卓也1，三浦大陽1，中森健之1，鎌田 圭2，中村重幸3，里 健一3，石川嘉隆3，山村和久3，山本誠一4） |
| 名和 靖矩（静岡大工） | 光 | 16p-B9-10 | 電子線直接励起による液中ナノ粒子の動的観察（静岡大工1，静岡大GRL2，JST-CREST3，浜松医大・光量子医学研究センター4：居波 渉2,3，小野篤史2,3，林 升4，宮川厚夫1,3，川田善正1,3，寺川 進3,4） |
| 田中 肇（東大工） | 光 | 17ｐ-B11-3 | ホモ接合Siを用いた1.3μm帯のフォトダイオード（東大工：川添 忠，大津元一） |
| 野崎 裕人（名大院工） | 量子エレクトロニクス | 17a-GP4-3 | 散逸性ソリトンモード同期による高出力ナノチューブファイバーレーザーの開発（名大院工1，産総研2，JST CREST3：西澤典彦1，糸賀恵美子2，片浦弘道2,3，榊原陽一2,3） |
| 松田 信幸（NTT物性研） | 量子エレクトロニクス | 18a-E3-4 | オンチップ偏波もつれ光子対源（NTT物性研1，NTT MI研2，ESPCI ParisTech3：アンナ ルジャニク1,3，武居弘樹1，福田 浩2，土澤 泰2，山田浩治2，都倉康弘1） |
| 今井 亮（東大院工・CREST(JST)） | 量子エレクトロニクス | 18a-E8-9 | 非線形光学結晶を用いたテラヘルツベクトルビームの発生（東大院工1，CREST(JST)2，東大院理3：神田夏輝1,2，鄭 渚1,2，小西邦昭1,2，五神 真1,2,3） |
| 村中 勇介（物材機構・早大先進理工） | 光エレクトロニクス | 15p-F4-6 | QPM接着リッジ導波路を用いたCW励起高効率差周波発生（物材機構1，早大先進理工2，住友大阪セメント3：杉浦かおり1,2，栗村 直1,2，菊池清史1,2，高 磊1,2，中島啓幾2，市川潤一郎3） |
| グェン ホン（横国大・院工） | 光エレクトロニクス | 18a-F4-8 | RF終端無しSiフォトニック結晶光変調器の1.6 Vpp，10 Gb/s動作（横国大・院工：新川瑞季，石倉徳洋，馬場俊彦） |
| 井戸 慎一郎（京大院工） | 薄膜・表面 | 16p-F5-2 | 周波数変調検出方式原子間力顕微鏡を用いた抗体分子の液中高分解能観察 (2)（京大院工1，パナソニック2，京大SACI3：木宮宏和2，小林 圭3，松重和美1, 山田啓文1） |
| 浅沼 周太郎（産総研・JST-CREST） | 薄膜・表面 | 17a-F6-12 | (Nd,Sm)NiO3電気二重層トランジスタの動作特性（産総研1，JST-CREST2，東大院総合3，JSTさきがけ4，東大院工5，理研CERG6：向 平華1,2，山田浩之1，佐藤 弘1，井上 公1,2，赤穗博司1,2，澤 彰仁1,2，上野和紀3,4，川崎雅司5,6，岩佐義宏5,6） |
| 高島 舞（東工大院） | 薄膜・表面 | 17p-F3-13 | 複雑形状へのテクスチャーDLC膜の作成（東工大院1，iMott2：神沢 圭1，松尾 真2，松尾 誠2，岩本喜直2，大竹尚登1） |
| 田中 良明（パナソニック先端研） | 薄膜・表面 | 18p-F5-3 | 斜方晶構造に歪んだ(Na,Bi)TiO3-BaTiO3エピタキシャル薄膜の巨大圧電特性（パナソニック先端研：張替貴聖，上田路人，足立秀明，藤井映志） |
| 喜多村（小川） 茜（原子力機構） | ビーム応用 | 17p-B5-5 | イオンマイクロビームがもたらすPTFE表面の三次元構造変化（原子力機構1，理研2：佐藤隆博1，江夏昌志1，神谷富裕1，小林知洋2） |
| 中島 義晴（阪大三井造船共同講座） | プラズマエレクトロニクス | 16p-A7-2 | プラズマアクチュエータを用いた高圧力・均一プラズマ源（阪大三井造船共同講座：星島一輝，木村憲明） |
| 津田 博隆（京大院工） | プラズマエレクトロニクス | 17p-A7-18 | 3次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：酸素添加依存性（京大院工：鷹尾祥典，江利口浩二，斧 高一） |
| 菊池 祐太（東北大院工） | 応用物性 | 15p-B2-4 | p型シリサイド系熱電材料MnSiγ (γ〜1.7) へのCr置換効果（東北大院工1，東北大金研2：宮崎 譲1，齊藤祥二1，林 慶1，湯蓋邦夫2，梶谷 剛1） |
| 谷口 知大（産総研） | スピントロニクス・マグネティクス | 17p-B4-11 | 熱揺らぎによる磁化反転の電流依存性に関する理論的研究（産総研：今村裕志） |
| 島村 一利（京大化研） | スピントロニクス・マグネティクス | 18p-B4-3 | 電気二重層を利用したCo超薄膜の磁性制御（京大化研1，JST さきがけ2，電中研3，NECグリーン研4：千葉大地1,2，小野新平3，深見俊輔4，石綿延行4，河口真志1，小林研介1，小野輝男1） |
| 春田 正和（高知工大環境理工） | 超伝導 | 17p-B7-1 | 製造温度に依存しない臨界電流特性を有するナノロッド導入REBCO薄膜の作製（高知工大環境理工：藤田夏斗，小椋裕太，中田貴大，前田敏彦，堀井 滋） |
| 多賀谷 基博（長岡技科大工） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 16a-F1-7 | バイオ診断のための発光多孔質シリカナノ粒子の創製（東工大院理工：生駒俊之，吉岡朋彦，許 哲峰，田中順三） |
| 遠藤 洋史（東理大工・東理大界面科研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 16p-F1-4 | バイオインスパイアード型微細リンクル加工を基盤とした多機能フレキシブルフィルムの開発（東理大工1，東理大界面科研2：田村眞弘1，前田 泉1，飯島貴之1，河合武司1,2） |
| 康 宇建（東大ナノ量子機構・東大生研） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 16p-F9-6 | インクジェット法による高均一非晶質C60薄膜の作製と高移動度(>2.4cm2/V・s) n-channelトランジスタの実現（東大ナノ量子機構1，東大生研2，神戸大院工3：北村雅季1,3，荒川泰彦1,2） |
| 小野 尭生（東大院工・学振DC・JST-CREST） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17a-F8-6 | ポリマー製ナノホールアレイデバイスを用いた光の回折限界を越えた1分子イメージング（東大院工1，JST-CREST2，東大院薬3：飯塚 怜2,3，赤木貴則1,2，船津高志2,3，一木隆範1,2） |
| 合志 憲一（九大・工(応用化学)・最先端有機光エレクトロニクス研究センター） | 有機分子・バイオエレクトロニクス | 17p-F7-6 | エキサイプレックスを用いた遅延蛍光有機EL素子（九大・工(応用化学)1，最先端有機光エレクトロニクス研究センター2：野村洸子2，安達千波矢1,2） |
| 川那子 高暢（東工大フロンティア研） | 半導体A（シリコン） | 15p-GP1-10 | 高温熱処理とMIPS構造によるEOT=0.62nmのLa-silicate MOSFETの実現（東工大フロンティア研1，東工大総理工2：角嶋邦之2，Ahmet Parhat1，片岡好則2，西山 彰2，杉井信之2，筒井一生2，名取研二1，服部健雄1，岩井 洋1） |
| 金 相賢（東大） | 半導体A（シリコン） | 18a-GP6-1 | MOS界面バッファ層の導入とチャネルIn組成変調による極薄膜 InXGa1-XAs-OI MOSFETの高性能化（東大1，産総研2，住友化学3：横山正史1，田岡紀之1，中根了昌1，安田哲二2，市川 磨3，福原 昇3，秦 雅彦3，竹中 充1，高木信一1） |
| 西村 健太郎（京大院エネルギー科学） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 16p-E1-2 | β-FeSi2ナノ結晶の発光増強：アニールプロセス依存性（京大院エネルギー科学：中島孝仁，松倉武偉，赤坂一行，前田佳均） |
| 藤井 宏昌（東大工） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 18a-C1-5 | 補償ドーピングによるInGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池のキャリア回収効率向上（東大工1，東大先端研2：渡辺健太郎2，杉山正和1，中野義昭2） |
| 吉村 正利（北大院情報科学・北大量集センター） | 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | 18a-C1-6 | InPナノワイヤアレイ太陽電池の表面パッシベーション（北大院情報科学1，北大量集センター2，JSTさきがけ3：中井栄治1,2，冨岡克広1,2,3，福井孝志1,2） |
| 関口 寛人（豊技大） | 結晶工学 | 17a-F12-11 | Mg共添加によるGaN:Euの発光特性向上のメカニズム（豊技大1，浜ホト2：大谷龍輝1，高木康文2，岡田 浩1，若原昭浩1） |
| 奥田 貴史（京大院工） | 結晶工学 | 17p-A8-15 | μ-PCD測定において観測された4H-SiC p型基板の極めて長いキャリア寿命（京大院工：三宅裕樹，木本恒暢，須田 淳） |
| 岡田 成仁（山口大院理工） | 結晶工学 | 18a-F12-2 | ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化（山口大院理工：上野元久，内田健充，大下弘康，高見成希，古家大士，山根啓輔，只友一行） |
| 中村 健作（東北大） | 非晶質・微結晶 | 16p-B6-14 | シリケートガラスにおけるボソンピーク位置と弾性率の関係（東北大1，物材機構2：高橋儀宏1，井原梨恵1，長田 実2，藤原 巧1） |
| 林 賢二郎（産総研GNC） | ナノカーボン | 16p-A3-14 | Cu双晶表面を用いた自己組織化的グラフェンリボン成長（産総研GNC1，富士通研2：佐藤信太郎1，池田 稔2，金田千穂子2，横山直樹1） |
| 千賀 亮典（阪大・CREST） | ナノカーボン | 17a-B2-6 | ナノチューブの状態遷移を利用した回転式ナノアクチュエータの応答性（阪大1，CREST2：平原佳織1,2，山口康隆1，中山喜萬1,2） |
| フォルソン ジョセフ（東北大金研） | 合同セッションK | 16p-E4-15 | MgXZn1-XO/ZnOヘテロ界面における二次元電子ガスの移動度制御（理研 ASI-CERG1，東大院工2，JST-PRESTO3，JST-CREST4：デニス マリエンコ1，小塚裕介2，塚崎 敦2,3，川崎雅司1,2,4） |
| 鈴木 俊哉（名大院工） | 合同セッションL | 16a-E3-5 | 有機材料エッチングによる電界電子放出ナノピラーの作成（名大院工1，JST-CREST2，阪大工3，九大シス情4：Arkadiusz Malinowski1，竹田圭吾1,2，近藤博基1，石川健治1，節原裕一2,3，白谷正治2,4，関根 誠1,2，堀 勝1,2） |
