応用物理学会講演奨励賞は，春季および秋季の学術講演会において，応用物理学の視点から極めて価値のある一般講演論文を発表した若手会員に授与し，これを称えることを目的としています．この度，2011年秋季応用物理学会学術講演会（山形大学）で発表された3290件の一般講演論文のうち，予め申請のあった664件の口頭，ポスター講演の発表者の中から，慎重な審査の結果，下記の33名の方々が選出されました．誠におめでとうございます．受賞者には，2012年春季講演会（早稲田大学）において，会長から賞状と記念品が授与される予定です．
ここで，講演奨励賞受賞者の選出方法について，簡単に紹介します．第一段階は講演発表会場での審査で，原則として座長，講演奨励賞審査員，講演会プログラム編集委員の3名が評価を行います．評価の対象項目は，資格要件，発表内容の新規性と本人の寄与率，学術的インパクト又は有用性，プレゼンテーションの明快さと質疑応答の的確さ，講演予稿集の記述，などです．これらの結果をもとに，大分類分科と合同セッション毎に，推薦候補者が選出されます．第二段階の審査は，各大分類分科と合同セッションからの推薦リストと，同時に提出頂く推薦候補者の評価結果をもとに，講演奨励賞委員会で進められます．異なる分野間の比較を伴う困難な作業ですが，真摯な議論が交わされた上での講演奨励賞委員全員の合意として，原則一般講演件数の1％程度を限度として受賞候補者が絞り込まれました．その後理事会の審議を経て，講演奨励賞受賞者が決定されます．
このようにして選出された受賞者は，非常に質の高い講演発表を行われた方々であり，その栄誉を称えて，受賞者には受賞業績に該当する大分類分科内のセッションで記念講演を行う機会も与えられます．また、素晴らしいご成果を発表された方々ですので、これらの成果をJapanese Journal of .Applied PhysicsやApplied Physics Expressなどの一流学術雑誌に公表していただくことも奨励しております。
講演奨励賞が設置されて既に15年が経過しました．この間、講演奨励賞申請件数は第１回の434件から着実に増加し、最近では600件を越える件数となっております。本授賞制度が若手研究者に応用物理学会への参加・発表を促す原動力となってきたことを示唆しているものと考えております．また、受賞者は多様な方面でご活躍され、我が国あるいは世界をリードするような人材として成長されていると期待しております。本賞受賞者が，これを踏み台としてまた一段と高い水準の研究成果を目指しご活躍されるとともに、本制度が、優秀な若手の人材育成に繋がり、人類の持続的発展に貢献できることを念願する次第です．
| 講演奨励賞受賞者 （講演時の所属） |
講演番号 | 講演題目 （受賞者以外の共著者の所属：共著者） |
|---|---|---|
| 計測・制御 | ||
| 菊永 和也 （産総研） | 30a-B-3 | 音波を用いた静電気計測技術の開発 （産総研 ： 蒲原敏浩，坂井一文，野中一洋） |
| 光 | ||
| 田原 樹 （京工繊大） | 31p-ZL-11 | 並列位相シフトディジタルホログラフィック顕微鏡による生体の毎秒20000フレーム3次元動態イメージング （京工繊大1，久保田ホログラム工房2，神戸大3 ： 米坂綾甫1，角江 崇1，粟辻安浩1，西尾謙三1，裏 升吾1，久保田敏弘2，的場 修3） |
| 量子エレクトロニクス | ||
| 寺川 光洋 （慶大理工） | 31a-B-29 | フェムト秒レーザの多微粒子レンズ集光場による細胞膜の単一パルスプロセッシング |
| 山口 啓太 （東大物性研） | 1p-F-8 | テラヘルツ波ダブルパルスによる弱強磁性体における超高速スピン制御 （東大物性研 ： 中嶋 誠，南 康夫，末元 徹） |
| 光エレクトロニクス | ||
| 田辺 克明 （東大ナノ量子機構） | 31p-ZN-6 | GaAs/Si直接融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ （東大ナノ量子機構1，東大生研2 ： 渡邉克之1，ステファン フォーレ1，荒川泰彦1,2） |
| 薄膜・表面 | ||
| 菅 大介 （京大化研） | 30a-ZK-7 | SrRuO3エピタキシャル薄膜の構造相転移:薄膜ナノ構造におけるストレイン効果 （京大化研 ： 島川祐一） |
| 鷲山 瞬 （青学大院） | 30a-P1-5 | ラマン分光及びカソードルミネッセンスによる横方向成長ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの断面評価 （青学大院1，トウプラスエンジニアリング2，物質・材料研究機構3 ： 児玉英之1，鈴木一博2，寺地徳之3，河野省三1，澤邊厚仁1） |
| 山添 誠司 （龍谷大） | 1p-C-11 | (001), (110), (111) SrTiO3基板に作製したNaNbO3薄膜のドメイン構造 （龍谷大1，東大先端研2 ： 小堀晃弘1，北中祐樹2，野口祐二2，宮山 勝2，和田隆博1） |
| ビーム応用 | ||
| 星指 健太郎 （東大新領域，JST/CREST/SasakiTeam） | 30p-B-10 | Ｘ線放射圧による溶液中ナノ結晶の動的挙動計測 （東大新領域1，JST/CREST/SasakiTeam2，Spring-8/JST3 ： 関口博史1,2，一柳光平1,2，鈴木祥仁1,2，八木直人2,3，松尾龍人3，太田 昇3，佐々木裕次1,2,3） |
| プラズマエレクトロニクス | ||
| 陳 尚 （名大） | 30a-M-7 | GaNにおけるプラズマダメージの水素ラジカル修復 （名大1，NUエコ・エンジニアリング2，愛知工大3，名工大4 ： 盧 翌1，米谷亮祐1，竹田圭吾1，石川健治1，近藤博基1，加納浩之2，徳田 豊3，関根 誠1，江川孝志4，天野 浩1，堀 勝1） |
| 白井 直機 （首都大院理工） | 30a-ZD-5 | 液体または金属陽極を用いた直流駆動大気圧グロー放電の自己組織化 （首都大院理工 ： 内田 諭，杤久保文嘉） |
| 応用物性 | ||
| 牧原 克典 （名大院工） | 2p-ZQ-3 | プラズマジェット急速熱処理による高密度Ptナノドット形成とフローティングゲートメモリ応用 （名大院工1，広大院先端研2 ： 池田弥央2，山根雅人2，東清一郎2，宮崎誠一1） |
| スピントロニクス・マグネティクス | ||
| 亀野 誠 （阪大院基礎工） | 31a-ZS-1 | 直流非局所測定法によるハイドープSi中のスピン輸送特性の評価 （阪大院基礎工1，TDK2，秋田産業技術センター3 ： 仕幸英治1，新庄輝也1，白石誠司1，佐々木智生2，及川 亨2，野口 潔2，鈴木淑男3） |
| 超伝導 | ||
| 山下 太郎 （情通機構） | 1a-ZM-9 | 超伝導単一光子検出器における揺らぎとダークカウント起源 （情通機構 ： 三木茂人，牧瀬圭正，丘 偉，藤原幹生，佐々木雅英，王 鎮） |
| 今井 良宗 （東大院総合，JST TRIP） | 1a-ZS-4 | 酸化物およびフッ化物基板上に作製したFeSe1-XTeX薄膜の基板依存性 （東大院総合1，電中研2，名大工3，JST TRIP4 ： 秋池孝則1,4，鍋島冬樹1,4，花輪雅史2,4，塚田一郎2,4，一瀬 中2,4，日影達夫3，川口昂彦3,4，生田博志3,4，前田京剛1,4） |
| 有機分子・バイオエレクトロニクス | ||
| 平井 悠司 （東北大多元研，JST-CREST） | 31a-ZQ-4 | ディウェッティングを利用した異方性透明導伝膜の作製 （東北大多元研1，JST-CREST2，東北大院工3，東北大WPI原子分子材料機構4 ： 中西貴之3，藪 浩1，下村政嗣1,2,4） |
| 松井 弘之 （産総研） | 1a-R-7 | ESRの異方性を利用した多結晶OTFTの結晶内‐結晶間のキャリア運動性の分離測定 （産総研1，山形大有機エレ2，住化分析センター3，広大工4 ： 熊木大介2，高橋永次3，瀧宮和男4，時任静士2，長谷川達生1） |
| 峯廻 洋美 （産総研） | 1a-R-9 | 高移動度有機半導体単結晶薄膜のダブルショット・インクジェット印刷II （産総研1，東大工2，物構研CMRC3 ： 山田寿一1，千葉亮輔1,2，松井弘之1，堤 潤也1，Haas Simon1，熊井玲児1,3，長谷川達生1） |
| 嘉治 寿彦 （分子研，総研大，ロチェスター大） | 1p-L-7 | 有機太陽電池のドナー：アクセプター混合層の共蒸発分子誘起結晶化 （分子研1，総研大2，ロチェスター大3，CREST4 ： Minlu Zhang3，中尾 聡1，池滝何以1，横山和弥1,4，Ching Tang3，平本昌宏1,2,4） |
| 池田 丈 （広大先端研，広大ナノデバイス研） | 1p-V-9 | バイオと半導体をつなぐ素材 - シリコン結合タンパク質「Si-tag」 （広大先端研1，広大ナノデバイス研2 ： 本村 圭1，横山 新2,1，黒田章夫1,2） |
| 半導体A（シリコン） | ||
| 横山 正史 （東大院工） | 1a-P7-7 | 基板貼り合わせ法を用いたIII-V/Ge CMOS トランジスタ集積化 （東大院工1，産総研2，住友化学3 ： 金 相賢1，張 睿1，田岡紀之1，卜部友二2，前田辰郎2，高木秀樹2，安田哲二2，山田 永3，市川 磨3，福原 昇3，秦 雅彦3，杉山正和1，中野義昭1，竹中 充1，高木信一1） |
| 金子 貴昭 （ルネサスエレクトロニクス） | 2a-C-4 | LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを実現するInGaZnOを用いたBEOLトランジスタ技術 （ルネサスエレクトロニクス ： 井上尚也，齋藤 忍，古武直也，林 喜宏） |
| 半導体B（探索的材料・物性・デバイス） | ||
| 平井 義晃 （東工大院理工） | 30a-H-5 | 多段階法で作製した高いGa組成を有するCu(In,Ga)Se2太陽電池バンドプロファイル （東工大院理工1，東工大PVREC2 ： 黒川康良1,2，山田 明1,2） |
| 大野 槙悟 （北大院工） | 1p-K-4 | 単一量子ドットの光学異方性：異方的交換相互作用と価電子帯混合 （北大院工 ： 鍜治怜奈，足立 智，武藤俊一） |
| 畑中 大樹 （NTT物性科学基礎研究所） | 1p-K-8 | 2DEGキャリア制御による機械振動子の高効率遠隔励振 （NTT物性科学基礎研究所 ： Imran Mahboob，山口浩司） |
| 結晶工学 | ||
| 西永 慈郎 （早大高等研，JSTさきがけ） | 30a-ZA-8 | C60, Si codoped GaAs薄膜の結晶学的・電気的特性 （早大理工 ： 堀越佳治） |
| 藤金 正樹 （パナソニック） | 30a-ZF-11 | ナノインデンテーションによる窒化ガリウム単結晶の機械的特性及び電気的特性評価 （パナソニック1，ノルウェー科学技術大2，アールト大学3 ： 横川俊哉1，長尾至成2，Nowak Roman3） |
| 藤本 裕 （東北大金属材料研究所） | 1a-P8-5 | カルシウムオルソボレートシンチレータの作製と特性評価 （東北大金属材料研究所1，東北大未来科学技術共同研究センター2，トクヤマ3，日本結晶光学4，名大5 ： 柳田健之2，横田有為1，河口範明1,3，福田健太郎3，戸塚大輔4，渡辺賢一5，山崎 淳5，吉川 彰1,2） |
| 非晶質・微結晶 | ||
| 藤丘 英明 （東工大院理工） | 1a-ZH-9 | 低屈折率n型微結晶Si1-XOX:H薄膜によるヘテロ接合型微結晶Si太陽電池の構造簡略化 （東工大院理工1，東工大PVREC2 ： Bancha Janthong1，Porponth Sichanugrist1，小長井誠1,2） |
| ナノカーボン | ||
| 宮内 雄平 （京大エネ研，JSTさきがけ，コロンビア大） | 2a-E-8 | 電界ドープによる単層カーボンナノチューブのレイリー散乱変調 （京大エネ研1，JSTさきがけ2，コロンビア大3，ストラスブール大4 ： Zhengyi Zhang3，Mitsuhide Takekoshi3，Vikram Deshpande3，Stéphane Berciaud4，Philip Kim3，James Hone3，Tony Heinz3） |
| 小川 友以 （九大院総理工） | 2a-ZF-7 | Cuの結晶面に依存したCVDグラフェンのドメイン構造 （九大院総理工1，九大先導研2，NTT物性基礎研3 ： 吾郷浩樹1,2，胡 宝山2，辻 正治1,2，池田賢一1，水野清義1，日比野浩樹3） |
| 応用物理一般 | ||
| 三井 好古 （東北大金研強磁場センター） | 2a-ZM-6 | Mn-Bi二元系の強磁場中平衡状態図の作成 （東北大金研強磁場センター1，鹿児島大理工2，東北大工3 ： 小山佳一2，及川勝成3，渡辺和雄1） |
| 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 | ||
| 金子 健太郎 （京大院工） | 31p-N-8 | 新規強磁性半導体alpha-(GaFe)2O3薄膜の磁気特性評価及び断面TEM観察 （京大院工 ： 藤田静雄） |